电磁兼容（EMC）：一文读懂过电应力（EOS）

目录

1 过电应力来源

1.1 静电放电

1.2 雷击

1.3 机械装置

1.4 电磁脉冲

2 考虑EOS设计与一般产品设计区别

3 EOS失效机理

3.1 芯片键合线失效

3.2 半导体工艺和应用不匹配

3.3 外部负载导致芯片失效

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         过电应力（EOS）是指元器件承受的电流或电压应力超过其允许的最大范围。产品的电磁兼容（EMC）失效的一种常见模型为过电应力（EOS），也是电子产品失效的最常见的情况之一。过电应力基本与半导体器件相关，EOS事件包括有：静电放电（ESD）、雷击、系统瞬态、电磁脉冲、充电等。本文将详细讨论一下产品设计中如何关注EOS设计。

1 过电应力来源

1.1 静电放电

        ESD是过电应力来源之一。分为接触放电和空气放电。静电放电干扰会以传导干扰和辐射干扰的方式对产品内部元器件产生过电应力冲击。静电放电的国家标准测试方法GB/T 17626.2 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验

1.2 雷击

        雷击是过电应力来源之一。分为感应雷和直接雷。对电子产品需要防护的主要为感应雷，直接雷会通过避雷针和法拉第笼泄放掉