介绍MOS 管，包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异

介绍MOS 管，包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异

1、P和N 。这个和三极管类似，P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上，N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话，这是关于MOS最重要的知识。
2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的，耗尽型在无线电设备上有用到，平时说的功率MOS都是增强型的，它的功率可以做得很大。
3、记住：不到万不得已不要用P沟道的MOS，价格昂贵、导通电阻大、发热大、效率低，它的唯一的优点是在某些场合中容易驱动，因为只要把栅极电压拉下来就可以了，而N沟道的MOS需要更高的驱动电压，这点很麻烦。

还有，分析电路的时候，P沟道的可看成PNP三极管，N沟道的可堪称NPN的三极管，这样分析会更直观。