1、晶体管

BJT模型：

电流关系：

输入伏安特性：基极电流iB、发射结电压uBE，受uCE的影响

表达式：

UT是热电压，在27°时为26mV。
输出伏安特性：在确定基极电流iB下，集电极电流iC与uCE的关系。

放大区：

饱和区：UCE<UCES
UCES：晶体管的饱和压降，=0.3V

截止区：IB=0的那根线

静态：没有信号加入的情况下，电路中所有量都不变化的状态。
动态：加入输入变化信号，引起输出也跟着变化的状态。

静态电阻：

动态电阻：

静态β：

动态β：

阻容耦合：实现了输出信号无直流电平（隔直）通交

放大状态：发射结正偏，集电结反偏
饱和状态：发射结正偏，集电结正偏
截止状态：发射结零偏或反偏，集电结反偏
倒置状态：发射结反偏，集电结正偏

静态估算：


硅稳压管：

动态求解法：
1、将电路中的所有部件，用动态等效模型代替
2、电压不变的节点-------接地，电流不变的支路--------开路
3、保留输入输出位置不变

动态模型：


动态电阻：

rbb’：体电阻，一般为几Ω~几百Ω，UT常温下为26mV

动态分析的三大指标：
1、电压放大倍数：


输入电阻：在输入端看进去的等效电阻

输出电阻：输出端带负载的能力

画出等效电路：
1、电压不变点接地
2、大电容（10~100uF）短接，小电容开路

单管放大电路

共射极：基极输入，集电极输出。
输入输出反相

共基极：发射极输入，集电极输出。
电压放大倍数较大
输入输出同相
输入电阻很小
输出电阻与共射极相同

共集极：（射极跟随器）基极输入，发射极输出。
输入输出同相
有电流放大能力
输入电阻最大
输出电阻最小
适合于“阻抗匹配”

输出级失真：

多级放大电路：
阻容耦合

场效应管：

正常工作时，门极(G)没有电流，漏极(D)电流=源极(S)电流。
GS两端的电压控制漏极电流--------“压控型”器件

N沟道JFET的伏安特性：

转移特性曲线：
夹断电压UGSOFF：一般为-0.2~10V


N沟道JFET，外部电源产生的电流方向，是由D流向S的。
P沟道JFET，外部电源产生的电流方向，是由S流向D的。
工作状态：

N沟道MOSFET的伏安特性：

转移特性曲线：
开启电压UGSTH：一般为0.5~3V，耗尽型的小于0V

工作状态：
FET的微变等效简化模型：

常见的信号源-------均为单端
差分信号源：差模信号和共模信号

差分信号远距离传输中抑制噪声

差动放大器

共模抑制比（CMRR）：差动放大电路中，差模放大倍数与共模放大倍数的比值

共模抑制比提高方法---------恒流源代替RE

晶体管放大电路的频率响应

电容和电感是储能元件

截止频率发生比中频增益下降3dB处，0.707Am

低通单元：