2. 晶体管的共射特性曲线

1. 输入特性曲线

定义:描述U_{CE}一定的情况下,基极电流i_{B}与发射结压降u_{BE}之间的函数关系,即

        i_{B} = f(u_{BE})

        当U_{CE} = 0 V时,相当于集电极与发射极短路,即发射结与集电结并联。

        当U_{CE}增大时,曲线将右移,因为发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过集电结形成集电极电流i_{C},因此要获得同样的i_{B},必须加大u_{BE}

        当U_{CE}增大到一定值,集电结电场足够强,可以将绝大多数非平衡少子收集到集电区,i_{C}也不太可能明显增大,曲线不再明显右移而基本重合。

2. 输出特性曲线

定义:输出电流 i_{C} 与 输出电压u_{CE}的关系曲线(i_{B}为常量)即

        i_{C} = f(u_{CE}

        每一个确定的i_{B},都有一条曲线,所以输出特性是一族曲线。当u_{CE}从0逐渐增大,集电结电场的随着增强,收集基区的非平衡少子的能力逐渐增强,i_{C}也就逐渐增大。u_{CE}增大到一定程度,集电结电场足以收集绝大多数非平衡少子,i_{C}几乎不会再增加了。

  • 截止区

特征:发射结和集电结均处于反偏。i_{C} \approx 0

u_{BE} <= U_{on} 且 u_{CE} > u_{BE}

  • 放大区

特征:发射结正偏,集电结反偏。

u_{BE} > U_{on} 且  u_{CE} >= u_{BE}

此时,i_{C} 几乎仅仅取决于i_{B},而与u_{CE}无关,表现为i_{B}i_{C}的控制作用

  • 饱和区

特征:发射结与集电结均处于正偏。

u_{BE} > U_{on} 且 u_{CE} < u_{BE}

i_{C} 与i_{B}u_{CE}都有关。

实际电路中,若晶体管的u_{BE}增大时,i_{B}随之增大,但是i_{C}增大不多,或者基本不变,则说明晶体管进入饱和区。因为发射极的电子进入了基极,集电结收集电子能力弱,集电结处于正偏。

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### 回答1: 要逐点测绘晶体管共射极输出曲线,您需要以下步骤: 1. 准备测试仪器:示波器、信号发生器、电压源等。连接电路,将示波器的X轴与信号发生器连接,将Y轴与晶体管的输出连接。 2. 设置信号发生器的频率和振幅。在测试之前,您需要确定测试电路的电压和电流范围。通常,您需要使用可变电源调整晶体管的电压和电流。 3. 测试晶体管的静态特性。调整电压和电流,测量晶体管的静态特性,如开路电压和截止电压。这将帮助您确定测试的起点和终点。 4. 测试输出曲线。从测试起点开始,逐渐增加电压和电流,记录每个点的输出电压和电流。然后,将这些点绘制在示波器上,以绘制晶体管的输出曲线。 5. 分析输出曲线。通过分析输出曲线,您可以确定晶体管的工作点和最大增益等参数。如果您需要对输出曲线进行更详细的分析,您可以使用计算机模拟软件进行分析。 逐点测绘晶体管共射极输出曲线需要一定的实验经验和电路基础知识。如果您是初学者,建议在有经验的人的指导下进行测试。 ### 回答2: 要逐点测绘晶体管共射极输出曲线,可以按照以下步骤进行: 1. 准备实验设备和元件:首先,需要准备好所需的实验仪器和设备,如示波器、函数发生器、直流电源等。同时,还需要准备一个晶体管、电阻、电容等元件,用于搭建共射极的电路。 2. 搭建电路:按照共射极电路的连接方式,将晶体管、电阻和电容等元件正确地连接起来。确保电路连接正确,没有接错或接触不良等问题。 3. 设置电流源和电压源:通过调节直流电源的输出电压和电流,设置适当的工作点电流和电压。这可以通过调节电阻的值或直接改变电压源的输出来实现。 4. 设置信号源:使用函数发生器作为信号源,调节其输出信号的频率和幅度。可以通过调节函数发生器上的旋钮来实现。 5. 测量输出信号:连接示波器的输入端到晶体管的输出端,调节示波器的垂直和水平控制,使得输出信号能够清晰地显示在示波器的屏幕上。同时,还可以通过示波器上的测量功能,测量输出信号的各种参数,如幅度、相位等。 6. 逐点测绘:按照一定的步长,逐个改变输入信号的幅度,同时记录对应的输出信号的幅度。可以从小到大或从大到小进行测量,以得到完整的输出曲线。 7. 绘制曲线:根据逐点测得的数据,可以使用计算机软件或手工方式绘制输出曲线。可以根据测得的点来连线,或通过拟合算法获得更加平滑的曲线。 逐点测绘晶体管共射极输出曲线需要仔细的实验操作和准确的测量,只有确保实验条件和测量方法正确无误,才能得到准确可靠的结果。 ### 回答3: 晶体管共射极输出曲线是测绘晶体管的输入输出特性的一种方法,它描述了晶体管输出电流和输出电压之间的关系。以下是逐点测绘晶体管共射极输出曲线的步骤: 1. 准备工作:选择一个合适的直流电源和测量仪器,确保电源和仪器的连接正确稳定。选择一个适当的负载电阻。 2. 确定电源电压:在没有连接晶体管的情况下,将负载电阻连接到电源上,通过调节电源的电压,测量该电压下的电流,这个电压将作为晶体管的电源电压。 3. 连接晶体管:将晶体管正确地连接到电源和负载电阻上,同时将测量仪器连接到负载电阻的另一端。 4. 开始测量:从一个特定的基极电压开始,逐渐增加或减小基极电压,同时记录输出电流和输出电压的数值。 5. 绘制曲线:将记录到的输出电流和输出电压数据绘制在二维坐标系中,输出电流作为y轴,输出电压作为x轴。连接所有数据点,并绘制出晶体管共射极输出曲线。 6. 测绘不同点:重复步骤4和5,使用不同的基极电压来测绘更多的数据点,以获得更完整的输出曲线。 7. 分析数据:通过观察输出曲线,可以分析晶体管在不同基极电压下的工作状态,确定其饱和区、线性区和截至区。 通过逐点测绘晶体管共射极输出曲线,可以了解晶体管的工作特性,为电路设计和分析提供参考。

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