绝缘栅型场效应管(IGFET)

结构与分类

绝缘栅型场效应管的栅极和源极、栅极和漏极之间均用SiO2绝缘层隔离，故栅－源间电阻比结型场效应管大得多。又因栅极为金属铝，故又称MOS管。

MOS管也有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型。因此MOS管的四种类型为：N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型。

以N沟道增强型为例，结构如下：

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N沟道增强型MOS管

• 工作原理

Ugs对导电沟道的影响

当Uds＝0，Ugs>0时，由于SiO2的存在，栅极电流为0，但在电压作用下正电荷被聚集到绝缘板上，故而形成向下的电场。在电场力的作用下，P区域靠近SiO2一边的多子(空穴)被排斥，仅剩下负离子区，形成耗尽层。

 继续增大Ugs。一方面耗尽层增宽，另一方面将自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间。故耗尽层与绝缘层之间形成一个N型薄区，称之为反型层。反型层构成了漏－源之间的导电沟道。

使导电沟道刚刚形成的栅－源电压被称之为开启电压Ugs(th)。Ugs越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。(此时沟道相当于一个电压控制的可变电阻器)

Uds对导电沟道的影响

当导电沟道形成后，且Ugs固定不变时。若在漏－源之间加电压，将产生一定的漏极电流。同样由于反型层体电阻的存在，使反型层内电压值从漏极向源极递减(s电位不变，d电位高)。对于N型导电沟道和P区域之间的PN结而言，相当于加上了从漏极向源极递减的反向电压，故PN结沿此反方向增宽，导电沟道则变窄。

 当Uds增大，沟道在一侧出现夹断点，称为预夹断。Uds继续增大，夹断区随之延长。当Uds增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力时，Id进入恒流区。

• 特性曲线

转移特性

 输出特性

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N沟道耗尽型MOS管

在制作MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入大量正离子，则即使Ugs＝0也存在反型层。并且当Ugs为正时，反型层变宽，沟道电阻变小；反之，Ugs为负时，反型层变窄。当Ugs从0减小到一定值时，导电沟道消失。此时的Ugs称为夹断电压Ugs(off)。