全国电赛电源题准备

聂某人

已于 2023-07-27 20:05:47 修改

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分类专栏：电赛文章标签：硬件工程

于 2022-04-09 18:34:19 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_48499750/article/details/123934885

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文章目录

前言
一、拓扑
二、PWM驱动
- 1.驱动原理
- 2.驱动设计
三、辅助电源
四、采样
五、各种杂模块
六、元器件获取
- 1 寻找
- 2 购买
七、附
总结

前言

供南昌大学电赛基地20级21级学弟学妹学习

2021年C题（三端口DC-DC变换器）

在这里插入图片描述

线性电源：效率低，只能降压，不能升压负压。纹波小，干扰噪声小

在这里插入图片描述
开关电源：效率高。纹波较大，高频噪声干扰。
提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考

一、拓扑

书籍：
1、2、3、4、5、9章

在这里插入图片描述

图书馆，某鱼，某宝。

1.DC-DC

1.1 BUCK

电源、MOSFET、二极管、电感、电容、负载。

在这里插入图片描述
工作过程：
电感电流不会发生突变

在这里插入图片描述
计算输出电压Uo与Ui以及占空比D的关系：
连续模式CCM情况下：
伏秒积平衡（电感两端）
$\Delta I_{on} = \Delta I_{off}$

$\dfrac{dI}{dt}$

故伏秒平衡： $\Delta U_{on} * t_{on} =- \Delta U_{off} * t_{off}$ 。储能 $\to$ 放能， $d I$ 反向， $d I$ 由+变-

$U_i-U_o)*t_{on} = - (0-U_o)*t_{off}$

$U_i*t_{on} = (t_{on}+t_{off})*U_o$

$U_o=U_i*\dfrac{t_{on}}{t_{on}+t_{off}}=U_i*D$ （ $D$ 为PWM占空比）

计算输出电流 $I_o$ 与电感平均电流 $I_L$ 的关系：
Uo基本不变，输出滤波电容两端电压没有变化，那么电容的平均电流为0
$I_o = I_L$

电感选取：
磁芯：最常用铁硅铝
铁镍钼最优
（厂家：美磁https://www.mag-inc.com/）
漆包线：利兹线最优（贵）

电感值计算：纹波率 $\Delta I / I_L$ ，取0.4最优

由 $\dfrac{dI}{dt}$ 知 $\Delta I = \dfrac{\Delta U_{on} * t_{on} }{L}$

故 $\dfrac{(U_i - U_o) * t_{on}}{r * I_L} = \dfrac{(U_i - U_o) * D}{r * I_o * f}$

在这里插入图片描述
详细推导参考链接：https://blog.csdn.net/lafea/article/details/122007882

电容选取：
$C\ge \dfrac{I_{omax} * D}{f *\Delta V}$ （ $\Delta V$ 表示输入电压纹波）
普通的电解电容即可，值越大纹波可以压得越小

同步整流技术：
将MOSFET替代二极管，MOSFET旁并联二极管（肖特基或超快恢复）
提高效率，两个MOSFET采用互补PWM驱动（需留有一定死区时间）

Saber仿真结果：

$\dfrac{(U_i - U_o) * D}{r * I_o * f} = \dfrac{(48 - 24) * 0.5}{0.4 * 2 * 100*10^3} = 150uH$

在这里插入图片描述

（小错误，图片中单位标错，A，不是V）

1.2 BOOST

看电感位置

在这里插入图片描述

1.3 BUCK-BOOST

在这里插入图片描述

1.4 双向DC-DC

在这里插入图片描述
左输入右输出：升压BOOST
右输入左输出：降压BUCK

1.5 四开关BUCK-BOOST

与BUCK-BOOST不同，输出的是正压。

在这里插入图片描述
特殊应用：
右上角MOSFET常导通，右下角MOSFET常断开：构成BUCK斩波电路
左上角MOSFET常导通，左下角MOSFET常断开：构成BOOST斩波电路

详细叙述参考链接: https://blog.csdn.net/qq_40662854/article/details/102616266

1.6 SEPIC

在这里插入图片描述

1.7 CUK

在这里插入图片描述

1.8 ZETA

在这里插入图片描述

2.DC-AC

2.1 逆变

在这里插入图片描述
此为两个LC滤波，亦可一个LCL滤波（不接地）
截止频率 $\dfrac{1}{2 \pi \sqrt{LC}}$ ，50HZ

电容选取
MKP电容（电磁炉电容）或CBB电容，一般10uf即可

SPWM驱动（PWM占空比以正弦波的形式变化）
参考链接：https://blog.csdn.net/best_xiaolong/article/details/106934961

2.2 三相逆变

在这里插入图片描述
此图LC滤波接地，也可接中性点

3.AC-DC

3.1 整流滤波

整流桥
理想整流桥：LT4320（MOSFET代替二极管）

在这里插入图片描述
二极管：耐压值，压降
理想二极管：LTC4357（MOSFET代替二极管）

在这里插入图片描述

3.2 功率因素校正

硬件芯片：UCC28019、UC3854

在这里插入图片描述

软件：1、BOOST型PFC，原理同UCC28019

在这里插入图片描述
2、图腾柱无桥PFC：
参考逆变，反过来控制MOSFET满足电压电流同相

3.3 三相功率因素校正

无硬件芯片

软件：图腾柱无桥PFC

采样，Clark变换（abc三相静止坐标转换为 $\alpha\beta$ 两相静止坐标），Park变换（ $\alpha\beta$ 两相静止坐标转换为dq两相旋转坐标），PLL锁相（dq变换得出初始相位），功率因数 = 有功功率 / 无功功率 = d/q，PID，SPWM（或SVPWM）

三相AC $\to$ DC $\to$ DC（2021_B）

三相AC-DC-DC
参考链接：立创开源：https://oshwhub.com/search?wd=B%E9%A2%98&page=1
达尔闻1：https://mp.weixin.qq.com
达尔闻2：https://mp.weixin.qq.com

基于dq轴解耦的逆变器双闭环控制器：
https://zhuanlan.zhihu.com/c_1136694961704611840

关于三相变压器：
变压器有3输入3输出1零线（即是输入也是输出也可不接）

在这里插入图片描述
4输入为三火线一零线，我们日常用的三相电4个插座为三火线1地线（零线没接到插座）。
插座的地线千万不能接变压器的输入零线，否则跳闸（使用只需引出插座的三火线即可）
平常的三角插座为1火1零1地

4.AC-AC

变压器
AC-DC-AC

二、PWM驱动

1.驱动原理

半桥驱动芯片：IR2110，IR2104（EG2104），UCC27212（UCC27211）等
IR2110内部结构：

在这里插入图片描述
典型应用：
滤波电容、自举电容、自举二极管、缓冲电阻、MOSFET

在这里插入图片描述
驱动原理：（自举技术）
C1：自举电容，使S1的GS端形成压差
VD1：自举二极管，防止S1导通时VB高压灌入VCC（C1两端压差不会突变，S1导通时VS高压，VB瞬间高压）

HIN为低电平（LIN为高电平）时，状态2：VM1关断，VM2导通；VM3导通，VM4关断。
C1充电；S1的GS端电容放电；VCC给S2的GS端电容充电。
HIN为高电平（LIN为低电平）时，状态1：VM1导通，VM2关断；VM3关断，VM4导通。
C1放电（C1两端压差会降低，反向二极管和MOS管均存在微弱的漏电），同时给S1的GS端电容充电；S2的GS端电容放电。

在这里插入图片描述

2.驱动设计

器件准备：

①半桥驱动IC：关注死区时间DT，开、关延时ton、toff，上升、下降时间tr、tf
（厂家：国产屹晶EG系列、英飞凌IR系列，TI的UCC系列等）
②MOSFET：高 $V_{DS}$ 、低 $R_{DS(on)}$ ，低 $Q_{g}$ ，低 $Q_{gs}$
（厂家：Infineon、TI、ADI）
③电容：1类陶瓷电容（NP0、C0G）、薄膜电容（CBB、涤纶）
④二极管：肖特基、快/超快恢复
查询链接：http://www.szyxwkj.com/product/