全国电赛电源题准备

已于 2023-07-27 20:05:47 修改
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分类专栏： 电赛 文章标签： 硬件工程
于 2022-04-09 18:34:19 首次发布
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版权

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前言

供南昌大学电赛基地20级21级学弟学妹学习

2021年C题（三端口DC-DC变换器）

在这里插入图片描述

线性电源：效率低，只能降压，不能升压负压。纹波小，干扰噪声小

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开关电源：效率高。纹波较大，高频噪声干扰。
提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考

一、拓扑

书籍：
1、2、3、4、5、9章

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
图书馆，某鱼，某宝。

1.DC-DC

1.1 BUCK

电源、MOSFET、二极管、电感、电容、负载。

在这里插入图片描述
工作过程：
电感电流不会发生突变

在这里插入图片描述
计算输出电压Uo与Ui以及占空比D的关系：
连续模式CCM情况下：
伏秒积平衡（电感两端）
Δ I o n = Δ I o f f \Delta I_{on} = \Delta I_{off} ΔIon​=ΔIoff​

U = L ∗ d I d t U = L * \dfrac{dI}{dt} U=L∗dtdI​

故伏秒平衡： Δ U o n ∗ t o n = − Δ U o f f ∗ t o f f \Delta U_{on} * t_{on} =- \Delta U_{off} * t_{off} ΔUon​∗ton​=−ΔUoff​∗toff​。储能 → \to →放能， d I dI dI反向， d I dI dI由+变-

( U i − U o ) ∗ t o n = − ( 0 − U o ) ∗ t o f f (U_i-U_o)*t_{on} = - (0-U_o)*t_{off} (Ui​−Uo​)∗ton​=−(0−Uo​)∗toff​

U i ∗ t o n = ( t o n + t o f f ) ∗ U o U_i*t_{on} = (t_{on}+t_{off})*U_o Ui​∗ton​=(ton​+toff​)∗Uo​

U o = U i ∗ t o n t o n + t o f f = U i ∗ D U_o=U_i*\dfrac{t_{on}}{t_{on}+t_{off}}=U_i*D Uo​=Ui​∗ton​+toff​ton​​=Ui​∗D （ D D D为PWM占空比）

计算输出电流 I o I_o Io​与电感平均电流 I L I_L IL​的关系：
Uo基本不变，输出滤波电容两端电压没有变化，那么电容的平均电流为0
I o = I L I_o = I_L Io​=IL​

电感选取：
磁芯：最常用铁硅铝
   铁镍钼最优
（厂家：美磁https://www.mag-inc.com/）
漆包线：利兹线最优（贵）

电感值计算：纹波率 r = Δ I / I L r = \Delta I / I_L r=ΔI/IL​，取0.4最优

由 U = L ∗ d I d t U = L * \dfrac{dI}{dt} U=L∗dtdI​ 知 Δ I = Δ U o n ∗ t o n L \Delta I = \dfrac{\Delta U_{on} * t_{on} }{L} ΔI=LΔUon​∗ton​​

故 L = ( U i − U o ) ∗ t o n r ∗ I L = ( U i − U o ) ∗ D r ∗ I o ∗ f L = \dfrac{(U_i - U_o) * t_{on}}{r * I_L} = \dfrac{(U_i - U_o) * D}{r * I_o * f} L=r∗IL​(Ui​−Uo​)∗ton​​=r∗Io​∗f(Ui​−Uo​)∗D​

在这里插入图片描述
详细推导参考链接：https://blog.csdn.net/lafea/article/details/122007882

电容选取：
C ≥ I o m a x ∗ D f ∗ Δ V C\ge \dfrac{I_{omax} * D}{f *\Delta V} C≥f∗ΔVIomax​∗D​（ Δ V \Delta V ΔV表示输入电压纹波）
普通的电解电容即可，值越大纹波可以压得越小

同步整流技术：
将MOSFET替代二极管，MOSFET旁并联二极管（肖特基或超快恢复）
提高效率，两个MOSFET采用互补PWM驱动（需留有一定死区时间）

Saber仿真结果：

L = ( U i − U o ) ∗ D r ∗ I o ∗ f = ( 48 − 24 ) ∗ 0.5 0.4 ∗ 2 ∗ 100 ∗ 1 0 3 = 150 u H L = \dfrac{(U_i - U_o) * D}{r * I_o * f} = \dfrac{(48 - 24) * 0.5}{0.4 * 2 * 100*10^3} = 150uH L=r∗Io​∗f(Ui​−Uo​)∗D​=0.4∗2∗100∗103(48−24)∗0.5​=150uH

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
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（小错误，图片中单位标错，A，不是V）

1.2 BOOST

看电感位置

在这里插入图片描述

1.3 BUCK-BOOST

在这里插入图片描述

1.4 双向DC-DC

在这里插入图片描述
左输入右输出：升压BOOST
右输入左输出：降压BUCK

1.5 四开关BUCK-BOOST

与BUCK-BOOST不同，输出的是正压。

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特殊应用：
右上角MOSFET常导通，右下角MOSFET常断开：构成BUCK斩波电路
左上角MOSFET常导通，左下角MOSFET常断开：构成BOOST斩波电路

详细叙述参考链接: https://blog.csdn.net/qq_40662854/article/details/102616266

1.6 SEPIC

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1.7 CUK

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1.8 ZETA

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2.DC-AC

2.1 逆变

在这里插入图片描述
此为两个LC滤波，亦可一个LCL滤波（不接地）
截止频率 f = 1 2 π L C f = \dfrac{1}{2 \pi \sqrt{LC}} f=2πLC ​1​，50HZ

电容选取
MKP电容（电磁炉电容）或CBB电容，一般10uf即可

SPWM驱动（PWM占空比以正弦波的形式变化）
参考链接：https://blog.csdn.net/best_xiaolong/article/details/106934961

2.2 三相逆变

在这里插入图片描述
此图LC滤波接地，也可接中性点

3.AC-DC

3.1 整流滤波

整流桥
理想整流桥：LT4320（MOSFET代替二极管）

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二极管：耐压值，压降
理想二极管：LTC4357（MOSFET代替二极管）

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3.2 功率因素校正

硬件芯片：UCC28019、UC3854

在这里插入图片描述

软件：1、BOOST型PFC，原理同UCC28019

在这里插入图片描述
2、图腾柱无桥PFC：
参考逆变，反过来控制MOSFET满足电压电流同相
在这里插入图片描述

3.3 三相功率因素校正

无硬件芯片

软件：图腾柱无桥PFC

采样，Clark变换（abc三相静止坐标转换为 α β \alpha\beta αβ两相静止坐标），Park变换（ α β \alpha\beta αβ两相静止坐标转换为dq两相旋转坐标），PLL锁相（dq变换得出初始相位），功率因数 = 有功功率 / 无功功率 = d/q，PID，SPWM（或SVPWM）

三相AC → \to →DC → \to →DC（2021_B）

三相AC-DC-DC
参考链接：立创开源：https://oshwhub.com/search?wd=B%E9%A2%98&page=1
达尔闻1：https://mp.weixin.qq.com
达尔闻2：https://mp.weixin.qq.com

基于dq轴解耦的逆变器双闭环控制器：
https://zhuanlan.zhihu.com/c_1136694961704611840

关于三相变压器：
变压器有3输入3输出1零线（即是输入也是输出也可不接）

在这里插入图片描述
4输入为三火线一零线，我们日常用的三相电4个插座为三火线1地线（零线没接到插座）。
插座的地线千万不能接变压器的输入零线，否则跳闸（使用只需引出插座的三火线即可）
平常的三角插座为1火1零1地

4.AC-AC

变压器
AC-DC-AC

二、PWM驱动

1.驱动原理

半桥驱动芯片：IR2110，IR2104（EG2104），UCC27212（UCC27211）等
IR2110内部结构：

在这里插入图片描述
典型应用：
滤波电容、自举电容、自举二极管、缓冲电阻、MOSFET

在这里插入图片描述
驱动原理：（自举技术）
C1：自举电容，使S1的GS端形成压差
VD1：自举二极管，防止S1导通时VB高压灌入VCC（C1两端压差不会突变，S1导通时VS高压，VB瞬间高压）

  • HIN为低电平（LIN为高电平）时，状态2：VM1关断，VM2导通；VM3导通，VM4关断。
    C1充电；S1的GS端电容放电；VCC给S2的GS端电容充电。
  • HIN为高电平（LIN为低电平）时，状态1：VM1导通，VM2关断；VM3关断，VM4导通。
    C1放电（C1两端压差会降低，反向二极管和MOS管均存在微弱的漏电），同时给S1的GS端电容充电；S2的GS端电容放电。

在这里插入图片描述

2.驱动设计

器件准备：

①半桥驱动IC：关注死区时间DT，开、关延时ton、toff，上升、下降时间tr、tf
（厂家：国产屹晶EG系列、英飞凌IR系列，TI的UCC系列等）
②MOSFET：高 V D S V_{DS} VDS​、低 R D S ( o n ) R_{DS(on)} RDS(on)​，低 Q g Q_{g} Qg​，低 Q g s Q_{gs} Qgs​
（厂家：Infineon、TI、ADI）
③电容：1类陶瓷电容（NP0、C0G）、薄膜电容（CBB、涤纶）
④二极管：肖特基、快/超快恢复
查询链接：http://www.szyxwkj.com/product/

UCC27212（UCC27211）驱动设计：

在这里插入图片描述
EG2104（IR2104）驱动设计：

在这里插入图片描述
驱动电路设计：
文章 “MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理zhca770”：https://www.ti.com/cn/lit/ml/zhca770/zhca770.pdf?ts=1622643614001

保护电路设计：
FUJI富士IGBT模块应用手册中文版 第五章 保护电路的设计方法：
https://www.docin.com/p-868875247.html

三、辅助电源

器件准备：
①IC：低功耗
（厂家：ADI，TI，MPS，国产芯龙XL系列，屹晶EG系列等）
②电感：一体成型化（考虑Rdc、Idc）
③二极管：肖特基

1.BUCK

常见LM2596：
在这里插入图片描述

LT3995：
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C11、C12为前馈电容
布局时Power地与小信号地单点连接
Power地也就是走大电流的地，包括输入地，滤波电容地，拓扑地（二极管端），其余均为小信号地。
在这里插入图片描述
来自BiliBili“唐老师讲电赛”
外行看热闹，内行看门道

LT8210

2.BOOST

LT8364：
在这里插入图片描述

3.BUCK-BOOST

LT3863：
在这里插入图片描述

四、采样

1.直流电压采样

输入到单片机IO口的电压小于3.3V，否则烧
（有必要的话在IO口处加低压降二极管钳位保护或稳压二极管保护）

1.1 方法1：电阻分压

仅适用于Uo变化范围大，20 - 60V → \to → 1 - 3V

1.2 方法2：电阻分压+运放

器件准备：
①基准电压：常见TL431
TL4051
REF系列：REF5030，REF5025等
（厂家：ADI，TI）
②低功耗运放：TLV8802（输入输出轨对轨）
（厂家：ADI，TI）

电阻分压 + 电压跟随器 + 运放构成的运算电路（同相、反相、加减运算等）

Uo变化范围小时，28 - 32V → \to → 2.8 - 3.2V → \to → 0.3 - 3V（或3 - 0.3V）

在这里插入图片描述

1.3 方法3：霍尔电压传感器

国产厂家很多
温州致同：http://www.cnztcg.cn/index.asp

HVS-AS3.3：
5mA型：50V，外接限流电阻10KΩ，5mA输入，2500匝：1000匝，输出5mA * 2.5=12.5mA（电流比为匝数比倒数），50Ω输出取样电阻，输出电压=12.5mA * 50Ω = 0.625V。
后面可接一级运放

在这里插入图片描述

2.直流电流采样

电流采样：电流 → \to → 电压

2.1 方法1：采样电阻+差放

器件准备：
①采样电阻：常见：康铜丝
锰合金采样电阻
②差放：INA28X系列
在这里插入图片描述
INA28X系列为例：
1mΩ采样电阻，1A电流，采样电阻两端压差1mV，经过INA285放大1000倍，INA285输出1V（电流走向IN+ → \to → IN-，且REF均接GND）
在这里插入图片描述

2.2 方法2：霍尔电流传感器IC

内部集成采样电阻，不必外加
1、ACS7XX系列
美国Allegro公司：https://www.allegromicro.com/en/
https://www.allegromicro.com/en/products/sense/current-sensor-ics/current-sensors-innovations
在这里插入图片描述
2、国产CC690X系列
成都芯进电子：http://web.crosschipmicro.com/main.html
在这里插入图片描述
国产CC690X系列可直接替代ACS7XX系列
后面可加一级运放
在这里插入图片描述

2.3 方法3：霍尔电流传感器

HCS-ES3.3
10A型：10A输入，1匝：800匝，输出10/800A，50Ω输出取样电阻，输出电压=10/800*50 = 0.625V。
后面可再加一级运放

在这里插入图片描述

3.交流电压采样

3.1 方法1：电阻分压+运放

未隔离，杂波多，后面最好再加滤波电路

3.1 方法2：电压互感器

互感器：隔离器件
南京向上：https://www.up-et.com/
择明琅熙：http://www.zmlxdz.com/
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
若需提偏置，将运放的+输入端接Vref（基准电压供）即可（虚断虚短）

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

3.3 方法3：霍尔电压传感器

霍尔传感器直流、交流均可测量。

4.交流电流采样

4.1 方法1：采样电阻+INA28X系列

INA28X系列采用第三种或第四种接法（两VREF引脚一接GND一接VCC或外接基准电压）

4.2 方法2：电流互感器

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

4.3 方法3：霍尔电压传感器IC

直流交流均可

4.4 方法4：霍尔电压传感器

直流交流均可

5.交流有效值IC

将交流电压通过IC直接转换为有效值输入单片机
AD637
LTC1966
在这里插入图片描述
AD637和LTC1966的缺点均为采样交流50HZ时

  • 如果输出电容小的话得到的有效值波形不为直流，会略带交流成分，电容越小，交流成分越大
  • 输出电容如果大的话又会造成采样延时，不能够及时调节

五、各种杂模块

1 ADC

1、AD8331 / AD8332：16位，采样率：最高500KSPS
AD8331：4通道
AD8332：8通道
2、AD7124-8：24位，采样率：最高19.2kSPS，8对差分输入通道

2 DDS

1、AD9833
2、AD9834
3、AD9854

3 数字电位器

1、MCP41XXX / MCP42XXX：256位分辨率（10 kΩ、50 kΩ和100 kΩ）
MCP41010代表10kΩ
在这里插入图片描述

2、AD5293：1024位分辨率（20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ）
在这里插入图片描述

4.继电器开关

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六、元器件获取

1 寻找

①TI（德州仪器）
链接：https://www.ti.com.cn/
在这里插入图片描述
②ADI（亚德诺半导体）
链接：https://www.analog.com/cn/index.html
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
③Infineon（英飞凌）
链接：https://www.infineon.com/

④MPS（芯原）
链接：https://www.monolithicpower.cn/cn/

⑤国产：EG屹晶微电子
链接：http://www.egmicro.com/

⑥国产：XL芯龙半导体
链接：http://www.xlsemi.com/index.html

2 购买

①某宝
②阿里巴巴1688
③立创商城（相对更真，但贵）
链接：https://www.szlcsc.com/

七、附

B站唐老师讲电赛（长江大学的知名教师，水平非常高）
https://space.bilibili.com/28143041?from=search&seid=3599681237930848911&spm_id_from=333.337.0.0

B站“工厂电子培训”
https://space.bilibili.com/215088628/?spm_id_from=333.999.0.0

立创EDA开源平台：
https://oshwhub.com/

“果果小师弟”电赛专栏：
https://blog.csdn.net/qq_39400113/category_9940106.html?spm=1001.2014.3001.5482

“张巧龙”
https://blog.csdn.net/best_xiaolong?type=blog

常用的两种PID算法：
https://blog.csdn.net/best_xiaolong/article/details/106953286

位置式与增量式PID:
https://blog.csdn.net/u014453443/article/details/100573722

手撕Buck！Buck公式推导过程：
https://blog.csdn.net/weixin_42005993/article/details/120144144

开关电源中的全部缓冲吸收电路解析：
https://blog.csdn.net/zhjmyx/article/details/103511135

关于伏秒平衡原理的解释：
https://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/24369903

ADC检测电压 端口二极管钳位保护电路之总结：
https://blog.csdn.net/a371132/article/details/84543389?

如何理解逆变：
https://www.zhihu.com/question/31630587/answer/757550191

总结

培训讲解视频链接：https://www.bilibili.com/video/BV1wx4y1R7kj/?spm_id_from=333.999.0.0

内容之后会陆续进行补充

聂某人
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全dsp数字控制pfc+全桥llc变换器ac-dc
09-19
全DSP数字控制PFC全桥LLC变换器是一种AC-DC变换器，其核心组成部分包括功率因数校正（PFC）和全桥LLC电路。 PFC全桥LLC变换器的主要目的是将交流电源转换为直流电源，并且通过数字信号处理器（DSP）来控制整个转换过程。PFC是一种用于提高功率因数和电源质量的技术，它通过使输入电流与输入电压同相来实现，从而减少了电网的污染和能量浪费。全桥LLC电路则是一种高效率、低能耗的电源拓扑结构，其工作方式是通过电感和电容来实现电压的变换和稳定。结合PFC和LLC，全DSP数字控制PFC全桥LLC变换器能够实现高效率、稳定的AC-DC转换。 在全DSP数字控制下，PFC全桥LLC变换器的工作原理如下：首先，通过DSP的控制，检测输入电压并对其进行滤波，以确保输入电压的稳定性。然后，利用PFC技术对输入电流进行修正，使其与输入电压同相，从而提高功率因数。接下来，使用DSP对全桥LLC电路进行精确控制，调整谐振电容和谐振电感的开关频率和占空比，以实现高效而稳定的电压转换。最后，通过输出滤波器对输出进行滤波，以确保输出电压的纹波和稳定性。 全DSP数字控制PFC全桥LLC变换器具有高效率和精确控制的优点，可以广泛应用于电力电子领域，如电力供应、工业控制、电动车充电等。其使用DSP进行数字控制不仅提高了系统的控制精度和稳定性，还实现了对变换器的灵活性和可配置性的增强。因此，全DSP数字控制PFC全桥LLC变换器具有广阔的应用前景和市场潜力。
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