3分频电路-利用维持阻塞D触发器(边沿D触发器)实现

前言

电路均由Cadence Virtuoso软件实现,工艺为TMSC 180nm。

一、RS锁存器

1.与非门RS锁存器

与非门:
在这里插入图片描述
N管W/L为2:1,P管W/L为6:1。工艺中N管L最小为600n,P管L最小为500n。L尽量取小,寄生电容与W*L即面积成正比。

开关打开过程即给下一级结点寄生电容(此级输出电容+下一级输入电容)充放电过程,若需延时小,则充放电电流需要大(W/L大),寄生电容需要小(W*L小)。

与非门RS锁存器:
在这里插入图片描述
0有效。RS不能同时为0

RSQ
010
101
11保持

由与非门RS锁存器构成的NE555:
在这里插入图片描述

2.或非门RS锁存器

或非门:
在这里插入图片描述
或非门RS锁存器:
在这里插入图片描述

1有效。RS不能同时为1

RSQ
100
011
00保持

由或非门RS锁存器构成的NE555:请添加图片描述
与与非门RS锁存器NE555区别:两比较器的输入端接的信号相反。

二、维持阻塞D触发器

1.原理分析

边沿D触发器主从式结构的缺点为需要的门太多了,结构更复杂。

维持阻塞D触发器也为边沿D触发器的一种,仅需要6个与非门组成,上升沿触发(或非门也可,下降沿触发)。
在这里插入图片描述
CP上升沿前一瞬间D为1
CP为0时,G3G4输出1,G1G2构成的RS锁存器输出Q保持不变。G6输出0,G5输出1。

CP上升沿,即CP变为1,G3输出0(G5输出1),Q为1(上升沿读取D值)。

Cp为1时,G3输出0,由于线①使G5一定输出1进而G3输出维持0,故①为置1维持线(维持Q为1)。由于线③使G4一定输出1,阻止G4输出0造成RS均为0的情况,故③为置0阻塞线(阻塞G4为0)。

CP下降沿,即CP变为0,保持。

CP上升沿前一瞬间D为0
CP为0时,G3G4输出1,G1G2构成的RS锁存器输出Q保持不变。G6输出1,G5输出0。

CP上升沿,即CP变为1,G4输出0(G6输出1),Q为0(上升沿读取D值)。

Cp为1时,G4输出0,由于线②使G6一定输出1进而G4输出维持0,故②为置0维持线(维持Q为0)。由于线④使G5一定输出0进而G3一定输出1,阻止G3输出0造成RS均为0的情况,故④为置1阻塞线(阻塞G5为1)。

CP下降沿,即CP变为0,保持。

DCPQ
D上升沿D
X其余保持

2.仿真结果

DFF电路:
在这里插入图片描述
测试电路:
在这里插入图片描述
仿真结果:
在这里插入图片描述

三、3分频电路

1.占空比为1/3的3分频电路

一个D触发器Q~连接D端能形成2分频电路,再串联一个此结构可形成4分频电路。若要形成3分频电路,需2个D触发器,电路结构小改。

分析:
若第二个D触发器输出Q为001循环,每个时钟上升沿来临Q=D,故D应为010循环(每次都采集上升沿来临前一时刻,采集完D也需变化满足下一次采集的值),若第一个D触发器输出Q1连接第二个触发器的D,同理第一个触发器的D1应为100循环。

D1来源可由Q,Q~,Q1,Q1~的组合逻辑生成,简单点由Q和Q1的组合逻辑,通过卡诺图可得 D 1 = Q + Q 1 ‾ D1 = \overline{Q+Q1} D1=Q+Q1,或非门。

3分频电路(占空比为1/3):
在这里插入图片描述
仿真结果:
在这里插入图片描述

2.占空比为1/2的3分频电路

占空比为1/3的3分频电路再加上半个CLK周期即可形成1/2占空比的3分频电路,故可利用或门并一个延时了半个CLK周期占空比为1/3的3分频电路。

利用下降沿触发的D触发器,输入D为占空比1/3的3分频电路,CLK下降沿采集即可实现移相半个CLK周期的功能。

3分频电路(占空比为1/2):
在这里插入图片描述
仿真结果:
在这里插入图片描述

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