IBIS模型快速学习（硬件开发过程：一）

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已于 2024-01-24 17:18:42 修改

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分类专栏：仿真设计文章标签：学习汽车嵌入式硬件

于 2024-01-22 14:15:29 首次发布

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本文介绍了IBIS模型的概念，作为I/OBUFFER的快速准确仿真模型，其在电路仿真中的重要性，特别是在高频效应和信号完整性分析中的优势。文章还探讨了IBIS模型的必要性，技术特点、工作原理，以及获取和建立模型的方法，包括其优缺点和实际应用示例。

摘要由CSDN通过智能技术生成

#创作灵感#

在硬件设计开发过程中，需要对设计电路进行仿真，需要用到器件的模型，由于有些厂家无法提供SPICE模型，现考虑IBIS模型是否可以自己建立，由此展开对IBIS模型的学习理解。

带着问题去学习:

1、概念：什么是IBIS模型？

IBIS（Input/Output Buffer Information Specification）模型是一种基于V/I 曲线的对I/O BUFFER 快速准确建模的方法，是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准，提供一种标准的文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应的计算与仿真。

IBIS 规范最初由一个被称为IBIS 开放论坛的工业组织编写，这个组织是由一些EDA 厂商、计算机制造商、半导体厂商和大学组成的。

概况来讲：IBIS是一种I/O BUFFER的仿真模型。

2、目的：为什么需要IBIS模型呢？

首要目的是通过IBIS模型进行电路仿真，那在已经广泛使用spice模型的情况下，为什么会需要IBIS模型呢？

IBIS是一个行为模型，通过V/I和V/T数据，描述器件数字输入和输出的电气特性，而不会泄露任何元器件专有的信息。换句话说，销售商可以用IBIS 模型来说明它们最新的门级设计工作，而不会给其竞争对手透露过多的产品信息。从这里可以看出，他非常有利于芯片厂商对自己的知识产权进行保护。同时由于他无需对内部庞大数量的晶体管电路进行计算，所以他还有着计算量小，仿真速度快的特点。同时他更擅长spice模型无法仿真的耦合线的仿真。综上所诉IBIS可以快速推行开来。

3、技术特点及边界：工作原理和适用情况

IBIS 是一种简单直观的文件格式，很适合用于类似于Spice（但不是Spice，因为IBIS 文件格式不能直接被Spice 工具读取）的电路仿真工具。它提供驱动器和接收器的行为描述，但不泄漏电路内部构造的知识产权细节。并且，因为IBIS 是一个简单的模型，当做简单的带负载仿真时，比相应的全Spice 三极管级模型仿真要节省10～15 倍的计算量。

IBIS 提供两条完整的V－I 曲线分别代表驱动器为高电平和低电平状态，以及在确定的转换速度下状态转换的曲线。V－I 曲线的作用在于为IBIS 提供保护二极管、TTL 图腾柱驱动源和射极跟随输出等非线性效应的建模能力。

IBIS优点：

IBIS 模型的优点可以概括为：

1、在I/O 非线性方面能够提供准确的模型，同时考虑了封装的寄生参数与ESD 结构；

2、提供比结构化的方法更快的仿真速度；

3、可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS 模型分析的信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细的仿真，它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为及一些用物理测试无法解决的情况；

4、模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；

5、兼容工业界广泛的仿真平台。

IBIS缺点：

当然，IBIS 不是完美的，它也存在以下缺点：

1、多芯片厂商缺乏对IBIS 模型的支持。而缺乏IBIS 模型，IBIS 工具就无法工作。虽然IBIS 文件可以手工创建或通过Spice 模型自动转换，但是如果无法从厂家得到最小上升时间参数，任何转换工具都无能为力。

2、IBIS 不能理想地处理上升时间受控的驱动器类型的电路，特别是那些包含复杂反馈的电路；

3、IBIS 缺乏对地弹噪声的建模能力。IBIS 模型2.1 版包含了描述不同管脚组合的互感，从这里可以提取一些非常有用的地弹信息。它不工作的原因在于建模方式，当输出由高电平向低电平跳变时，大的地弹电压可以改变输出驱动器的行为。

4、模型获取方法

这里根据我的经验来进行排序

1、官网、其他网站直接下载；供应商直接提供。

-----绝对的上上策，官方直接提供模型，可靠性较高。

2、仿真过程：可通过SPICE仿真获取输入输出缓冲器的V/I V/T数据。
-----下策，一般有了SPICE模型就可以直接去仿真了，没必要再转个IBIS模型了，又复杂可靠性又低。而且通过SPICE模型做出来的IBIS还需要进行实测进行验证，才算是一个高质量的IBIS模型。

3、基准测量、直接测量：通过实测建立IBIS模型
-----下下策，非常不建议，可靠性极低，无法判断所建立模型是否可靠。建立起来使用也存在风险，本身仿真就不是非常准确，再导入个不准确的模型，结果更加没有参考性了。

所有获取的IBIS模型需要通过验证后使用

IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准的IBIS 文件中如何记录一个芯片的驱动器和接收器的不同参数，但并不说明这些被记录的参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型的仿真工具来读取。欲使用IBIS 进行实际的仿真，需要先完成以下四件工作：

（1）获取有关芯片驱动器和接收器的原始信息源；

（2）获取一种将原始数据转换为IBIS 格式的方法；

（3）提供用于仿真的可被计算机识别的布局布线信息；

（4）提供一种能够读取IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算的软件工具。

5、IBIS模型建立方法

建立一个元器件的IBIS模型需要以下5个步骤。

1、进行建立模型前的准备工作，包括决定模型的复杂程度；

根据模型所要表现的内容和元器件工作的环境，来确定电压和温度范围，以及制程限制等因素；获取元器件相关信息，如电气特性及引脚分布；元器件的应用信息。

模型可以在三种不同条件下生成：典型、最小和最大。在典型模型中，使用标称电源电压、温度和工艺参数获取数据；在最小模型中，使用最低电源电压、较高温度和较弱工艺参数获取数据；对于最大模型，条件是最高电源电压、较低温度和较强的工艺参数。

每种条件会产生相应的典型、慢速和快速模型。快速模型是在具有快速转换时间和最小封装特性的最高电流值条件下生成的。另一方面，具有较慢转换时间和最大封装值的最低电流值条件将生成慢速模型。如果数据是在实验室测量中获得的，那么模型取决于器件的特性。如果是标称器件，将获得典型模型。

2、获得U-I曲线或上升/T降曲线的数据，可以通过直接测量或仿真得到。

如果选择仿真方法，可以使用SPICE进行仿真，收集每个输出/输出缓冲器的V/I和V/T数据。这样可以在模型中包含过程转折数据。然后使用IBIS网站上的SPICE至IBIS转换程序可以由SPICE生成IBIS模型。

3、将得到的数据写入IBIS模型。不同的数据在各自相应的关键字后列出，要注意满足IBIS的语法要求。数据收集好后，以可读的ASCII文本格式存入文件中。

4、初步建立了模型后，应当用s2iplt等工具来查看以图形方式表现的U-I曲线，（Golden Parser，也称为ibischk3，也用于根据标准检查IBIS文件的句法和结构）并检查模型的语法是否正确。如果模型是通过仿真得到的，应当分别用IBIS模型和最初的晶体管级模型进行仿真，比较其结果，以检验模型的正确性。

5、得到了实际的元器件后，或者模型是由测量得到的，要对模型的输出波形和测量的波形进行比较。

详细可参考ADI及TI的IBIS建模步骤：

IBIS建模——第1部分：为何IBIS建模对设计成功至关重要 | 亚德诺半导体 (analog.com)

IBIS建模——第2部分：为何以及如何创建您自己的IBIS模型 | 亚德诺半导体 (analog.com)

IBIS建模——第3部分：如何通过基准测量实现质量等级为3级的IBIS模型 | 亚德诺半导体 (analog.com)

IBIS 模型：信号完整性分析的一种渠道，第 1 部分 (ti.com)

IBIS 模型之第 2 部分：IBIS 模型总质量的确定 (ti.com)