1、IBIS简介
IBIS(输入输出缓冲器规范)是一个行为级模型,描述电压与电流、电压与时间的关系,也是一种基于V/I曲线的对于输入输出端口快速准确建模的方法,是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准,可以免费下载IBIS标准。
IBIS 本身只是一种文件格式,它说明在一标准的IBIS 文件中如何记录一个芯片的驱动器和接收器的不同参数,但并不说明这些被记录的参数如何使用,这些参数需要由使用IBIS 模型的仿真工具来读取。
2、IBIS查看软件
HyperLynx Visual IBIS Editor(PADS自带)

Sintecs IBIS Development Studio(免费)
软件下载地址:SintecsIBISDevelopmentStudioVersion1.6.0-嵌入式文档类资源-CSDN下载
3、IBIS文件格式
3.1、Package and Pin
模型如下,
[Package]是一个笼统的RLC寄生值,不够准确。
[Pin]是针对每个管脚的RLC寄生值,更为准确。
3.2、Pulldown,下管I/V curve
GND-relative,Voltage参考的是GND,Voltage = 0 - Voutput,Voltage也就是下管NMOS的VSD = -VDS。如Voltage是-3.3V,则IO管脚上的电压Voutput是3.3V。
3.3、Pullup,上管I/V curve
VCC-relative,Voltage参考的是VCC,Voltage = VCC - Voutput,Voltage也就是上管PMOS的VSD = -VDS。如Voltage是-3.3V,则IO管脚上的电压Voutput是6.6V。
- 正电压方向:完全符合MOS管导通特性
- 负电压方向:
Voltage范围:正常是-Vdd to 2*Vdd,如3.3V IO就是-3.3V ~ 6.6V。因为the theoretical maximum overshoot due to a full reflection is twice the signal swing。