IBIS模型简介

一、如何生成IBIS模型，IBIS模型里包括什么 

• 1.可以通过仿真过程中或基准测量中收集的数据来获得IBIS 模型。如果选择前一种方法，可以使用SPICE进行仿真， 收集每个输出/输出缓冲器的V/I和V/T数据。这样可以在模 型中包含过程转折数据。然后，使用IBIS网站上的SPICE至 IBIS转换程序可以由SPICE生成IBIS模型。
• 2.模型可以在三种不同条件下生成：典型、最小和最大。在 典型模型中，使用标称电源电压、温度和工艺参数获取数 据；在最小模型中，使用最低电源电压、较高温度和较弱 工艺参数获取数据；对于最大模型，条件是最高电源电 压、较低温度和较强的工艺参数。
• 3.每种条件会产生相应的典型、慢速和快速模型。快速模型 是在具有快速转换时间和最小封装特性的最高电流值条件 下生成的。另一方面，具有较慢转换时间和最大封装值的 最低电流值条件将生成慢速模型。
• 4.如果数据是在实验室测量中获得的，那么模型取决于器件的特性。如果是标称器件，将获得典型模型。 数据收集好后，以可读的ASCII文本格式存入文件中。 为ibischeck，用于根据标准检查IBIS文件的句法和结构。最后一步，设计人员应通过将仿真结果 与实际芯片测量关联起来验证模型。 

二、IBIS模型结构，输入和输出模型 

1. IBIS规范支持几种输入和输出，例如可建模为三态、集电极开路、开漏、I/O和ECL的输入/输出。第一步是识别器 件上不同类型的输入和输出，确定设计中存在多少缓冲 器。值得注意的是在IBIS文件中一个模型可用于表示多个 输入或输出。然而，如果C_Comp和封装参数不同，就需要不同的模型。
2. 所示为三态输出的结构；模型可视为一个驱动器。它 包含一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管，两个ESD保护 二极管，芯片电容和封装寄生电容。
3. 

三、 IBIS模型结构，输出模型，上拉和下拉曲线 

• 1.三态输出的结构；模型可视为一个驱动器。它 包含一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管，两个ESD保护 二极管，芯片电容和封装寄生电容。
• 2.输出模型通过以下直流电气数据、交流或转换数据以及参 数进行表征： 1. 上拉和下拉曲线 2. 电源和GND箝位曲线 3. 斜坡速率 4. 上升和下降波形 5. C_Comp 6. 封装参数；
• 3.上拉和下拉曲线，上拉和下拉数据决定器件的驱动强度。这些曲线通过特征 化输出中的两个晶体管来获得。上拉数据描述当输出为逻 辑高电平状态(PMOS晶体管导通)时的I/V行为。反之，下 拉数据表示当输出为逻辑低电平状态(NMOS晶体管导通) 时的直流电气特性。
• 4.数据需要在–VDD至2 × VDD的范围内获取。虽然这个电压范 围超过了半导体厂商在器件规格中指出的绝对最大额定 值，但是这个范围覆盖了传输线中可能发生的欠冲、过冲 和反射的情况。因此，驱动器和接收器需要使用这个电压 范围建模。

四、IBIS模型结构，输出模型，电源和GND箝位曲线

• 1.这些曲线是在输出为高阻态时生成的。GND和电源箝位数 据表示输出端在GND箝位和电源箝位二极管分别导通时的 电气性能。
• 2.当输出低于接地电平时GND箝位有效，当输出 高于VDD时电源箝位有效。对于GND箝位曲线，数据在 –VDD至VDD范围内获取，对于电源箝位曲线，数据在VDD至 2 × VDD范围内获取。由于是上拉数据，电源箝位数据需要 相对于VDD，因此输入文件的值使用与上面相同的表达式
(VTABLE = VDD – VOUT)获得。
• 3.GND和电源箝位数据需要从上拉和下拉数据中减去。否 则，仿真器要计算两次