维纳制造技术（上课 2022.9.23 ）

好处；Si的含量高，很容易掺杂(doping 是半导体里面提出的最重要的概念)

为什么要doping？

本征情况下完全靠热激发，性能非常差，变成N型和P型以后，P-N junction

 对于N型掺杂，掺杂Doner，会使得Si的外面会多一个电子

对于P型掺杂，掺杂受主，B是三价，少出的电子就是空穴，边上的电子就可以来到这个地方（空穴不是实际存在的一个东西 只是少了一个电子 可以想象成是空穴的移动）

 按照能带结构分类 直接带隙和间接带隙，这两种的区别主要是能带结构上的区别，对直接带隙半导体，它的价带顶和导带底是同一个位置，对间接带隙半导体来说，价带顶和导带底属于不同位置，对它的光电性质有很大影响

一个是光吸收，另一个是光发射

所谓的光电效应 载流子从价带激发到导带

Si是一个间接带隙半导体材料，所以是没法发光的（做成量子点以后，会从间接带隙变成直接带隙）

Si也可以做光伏，由于光吸收效率比较差，所以会做的比较厚（一两百微米以上来保证光的吸收）

半导体材料的应用与其直接相关（光电器件和晶体管）

 

 Si很容易实现P型和N型的掺杂

掺杂能带，N型掺杂他会在导带顶形成掺杂能级，这个所谓的电离能，就是杂质能级到导带的一个距离Active energy（称作电离能）电离能小，电子就可以被激发，常温下KT 相当于0.025ev

能量和室温接近的话，很容易通过热就直接激发上去，如果掺杂能级在下方一点，那么就很难被激发到导带上去（我们把此时的叫做深能级），原先的叫做浅能级，深能级的话很难被激发到导带（几乎对性质不会产生正向的影响）

对于P型掺杂，是在价带形成缺陷能级，价带电子会被激发，相当于形成空穴导电，这就是掺杂的奥秘，这个就是doping

爱因斯坦为什么发现狭义相对论？

如果我追着一束光，那么会发现什么

为什么发现广义相对论？

思想实验：当你的一个电梯往下落的时候，人会产生失重，往上走的时候会贴合的更紧

怎么样使得集成电路成为可能？就是Si的加工和提纯

为什么这么在乎Si的纯度？

千分之一万分之一已经是掺杂浓度非常高，只有到亿分之一才能类似本征掺杂，之后再通过N型和P型掺杂 

 CZ方法：直拉法 

1.把Si进行熔融，那金属进到里面，慢慢旋转，提高均一性，慢慢长大

在这个过程中Si慢慢结晶（结晶的相图），杂质会留在熔融Si里面，然后高纯度的Si就可以形成‘

浮区熔炼法

由于杂质更重，随着结晶过程，逐渐的沉淀出来

以前用的使多晶硅（杂质多，缺陷多）效率只能做到17%-18%，阻碍了提高

用单晶 Si 来做太阳能电池（他们发明了用金刚石来进行切割）可以把效率做到20%以上

1.高迁移率：可以做高频的器件（需要载流子的迁移率非常高 高速的开关）

2.Si的 BandGap使1.12ev。 三五族的BandGap可以达到3，5，宽的bandgap不容易被击穿（对热的抵抗能力变强），可以做一些高温的器件

3. 直接带隙 

 

 

由于灯珠里面都是热丝，LED能量转换效率非常高，所以耗电率非常低

以前的激光器只有绿光，红光用的都是GaAs，禁带宽度非常小

中村修二：

二六族可以做蓝光，他做的是GaN，创新

上面喷射的一个气流，它改变了流速，解决了GaN的掺杂问题，以前都是Ndoping

用Si,Ge,Se来实现三族的N型掺杂，从而使得P-N成为可能

 

二六族的半导体：

 宽带隙可以吸收紫外线，ZnO可以在实验室里实现，但是工业生产不行

ZnO晶格很硬，没办法承受电流密度，没办法实现稳定高效的P-type doping，意味着没有办法做成偏振结，发光性能受到很大影响

单极性：只能实现N或P掺杂，不能实现两者同时的高效掺杂，

 尺寸很小，每一个都是单晶，

 通过VLS生长机制（气液固生长机制） 就是开始的时候，当你生长的气体过来以后，会形成合金（液态），随着气体不断过来，会析出金属（纳米材料中最经典的生长机制）

除了气液固生长机制以外，还有一个很重要的生长机制：

VS 由气体直接变成固体，例如：一氧化硅，蒸发以后，自己就可以形成生长（相比原来的 需要金属做催化剂，需要引入杂质）

 

 

 

无机半导体材料加工过程消耗大量能量并且非常复杂

有没有可能用有机半导体材料实现无机半导体材料的功能？

面临的最关键的挑战: 材料的性能比较低

作为很重要的半导体性能的指标: 迁移率

很重要的优势：可以做成柔性的，轻，薄，低成本

为什么有机半导体材料性能低？

有机半导体的弱相互作用很难形成大面积的单晶，通过结晶和外延，可以变成有机单晶，如果用他们来构建晶体管，可以由很多的应用