半导体晶体概述

凉月松心

已于 2022-10-09 23:38:44 修改

阅读量1.4k

点赞数 1

分类专栏：半导体器件物理-复旦大学文章标签：制造

于 2022-10-08 17:08:00 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_52555753/article/details/127206803

版权

半导体器件物理-复旦大学专栏收录该内容

4 篇文章 5 订阅

订阅专栏

半导体（例如锗）和良导体（例如银）之间存在一个基本的差异。良导体的电阻随着温度的降低而迅速减小，而不良导体的电阻在温度趋向于绝对零度时则升高并且变得非常大------ A.H.Wilson

如果除了一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余所有能带全部充满，则晶体就是半导体或半金属

能带隙

1.高纯半导体在绝对零度时导带时空的，并且由一个能隙 $\small E_g$ 与充满的价带隔开

2.能带隙是导带的最低点和价带最高点之间的能量差

3.导带的最低点称为导带底，价带的最高点称为价带顶

4，当温度升高时，电子由价带被热激发至导带。导带中的电子和留在价带中的空轨道二者都对电导率有贡献

直接能隙晶体和间接能隙晶体

直接能隙晶体：导带底的动量和价带顶的动量相等，跳过禁带跃迁至导带非常容易，跃迁前后只需要看有没有能量就可以了

间接能隙晶体：导带底和价带顶在K空间并不重合，动量守恒需要声子来提供（它需要耦合），它需要声子提供动量，三体的耦合效率是比较低的，所以间接能隙半导体的吸光效率是很微弱的

如果能量足够高，也还是可以直接跃迁的（第二极值还是可以符合直接跃迁的）

为什么很难见到硅发光？

因为发光需要从最低能量向下跳，这个就不是很有效

半导体中的 $\small E \sim K$ 关系

$\small E(k)-E(0)=\frac{1}{2}\frac{d^2E}{dk^2}|_{k=0} \cdot k^2$ ，定义能带底电子有效质量 $\small m_n^*=(\frac{1}{\hbar^2}\frac{d^2E}{dk^2}|_{k=0})^{-1}$ （是为了凑量纲，才会有这么个定义）

我们可以得到 $\small E(k)=E(0)+\frac{\hbar^2k^2}{2m_n^*}$

导带底: $\small E(k)>E(0)$ ,电子有效质量为正值

能带越窄， $\small k=0$ 处，曲率越小，二次微商就小，有效质量就大

我们可以把能带顶部的电子进行泰勒展开

$\small E(k)=E(0)+\frac{\hbar^2k^2}{2m_n^*}$

在价带顶 $\small E(k)<E(0)$ ，电子的有效质量为负值

半导体中电子的平均速度

电子在周期性势场中的运动，用平均速度，即群速度来描述

群速度是介质中能量的传输速度

布洛赫定理说明电子的运动可以看作是很多行波的叠加，他们可以叠加为波包，波包的群速就是电子的平均速度。

波包由一个特定波矢 $\small k$ 附近的诸波函数组成，则波包群速 $\small V_g$ 为 $\small V_g=\frac{dW}{dk}$ ，结合电子能量公式 $\small E=\hbar \omega$

我们可以得到 $\small V_g=\frac{1}{\hbar}\frac{dE}{dk}$ ,结合 $\small E(k)=E_{0}+\frac{\hbar^2k^2}{2m_n^*}$ ，我们可以得到 $\small V_g=\frac{\hbar k}{m_n^*}$ ，能带极值附近的电子速度正负与有效质量正负有关

半导体中电子的加速度

当半导体上存在外加电场的时候，需要考虑电子同时在周期性势场中和外电场中的运动规律

考虑 $\small dt$ 时间内外电场 $\small |E|$ 对电子的做功过程

$\small dE=Fds=Fv_gdt$

$\small F=-q|\vec E|$

$\small V_g=\frac{1}{\hbar}\frac{dE}{dk}$

我们可以推出 $\small F=\frac{1}{v_g}\frac{dE}{dt}=\frac{1}{v_g} \frac{dE}{dk} \frac{dk}{dt}=\hbar \frac{dk}{dE}\frac{dE}{dk} \frac{dk}{dt}=\hbar \frac{dk}{dt}$