微电子基础物理（一）

作者：Saint
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MOS 结构高频 C－V 特性测试

一：测试目的：

1. 掌握 MIS 结构的高频 C-V 测试原理。
2. 通过测量 MOS 结构高频 C-V 特性及偏压温度处理（简称 BT 处理），确定衬底导电类型、氧化层厚度d、衬底掺杂浓度 NA或 ND和等效的绝缘层内电荷Qox等。

二：原理：
MIS 结构类似于金属和介质形成的平板电容器。
但是，由于半导体中的电荷密度比金属中的小得多，所以充电电荷在半导体表面形成的空间电荷区有一定的厚度（—微米量级），而不像金属中那样，只集中在一薄层（约0.1nm）内。半导体表面空间电荷区的厚度随偏压VG而改变,所以 MOS 电容为微分电容，单位面积电容为C=dQG/dVG。
式中QG是金属栅电极上的电荷面密度。

考虑一理想 MIS 结构电容。理想 MIS 结构必须满足以下条件：（1）金属与
半导体间功函数差为零；（2）绝缘层内无任何电荷，不导电；（3）绝缘层与半导体界面处不存在界面态。在 MIS 结构的金属和半导体间加一偏压VG后，一部分电压VG降在绝缘层上，记作Vox;另一部分降在半导体表面层中，形成表面势Vs 。VG=VOX+VS 。

考虑到半导体表面空间电荷区电荷和金属电极上的电荷数量相等、符号相反，设Qsc为半导体表面空间电荷区电荷面密度，有`|Qsc|=|QG|

`
C0为绝缘层单位面积电容，
Cs为表面空间电荷区电容。可见 MIS 结构的电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷区电容的串联。
对于一固定的 MIS 电容，外加电压改变时，绝缘层电容为固定值。其大小为

以 p 型半导体衬底为例，讨论理想 MIS 结构的 C-V 特性。p 型衬底理想 MIS结构高频 C-V 特性曲线如图

横坐标VG为在栅上所加的偏压。最大电容为积累区电容C0,最小电容Cmin为

Vs=0时，半导体表面能带平直，称为平带。平带时的 MIS 电容称为平带电容，记作CFB。对于给定的 MIS 结构，归一化平带电容由下式给出：