砷化镓，锑化铟的能带结构

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正课

1.锑化铟的能带结构

2.砷化镓的能带结构

3.混合晶体的能带结构

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回顾

从结合力上看由共价键和离子键混合

化合物半导体从结构上来说具有闪锌矿结构

三五族半导体的能带结构：

        1.导带结构

        2.价带结构

        3.禁带宽度

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正课

能带结构的共同特征：

        1.具有与金刚石结构相同的第一布里渊区，都是截角八面体

        2.价带是简并的（存在一个重空穴带 ，还有一个轻空穴带，一个自旋轨道耦合分裂的第三带）与Si和Ge相似的

        3.价带极大值不是恰好位于处（与硅和锗区别）而是稍有偏离，偏离不大

这是它的一般的特征

        三五族半导体我们主要介绍

1.锑化铟的能带结构

        导带结构：导带极小值位于（布里渊区的中心），导带极小值的附近具有球形等能面（电子的有效质量各向同性），导带极小值附近,关系的曲率很大

        电子的有效质量很小，等于0.0135 惯性质量,晶体当中电子一开始得到

        价带结构：一个重空穴带其最大值不在处，而偏了一点点，偏了中心至边界的

极大值处的能量比处高,这就是锑化铟的重空穴带，因为价带是简并的，一个轻空穴带，一个自旋轨道耦合分裂的带，其裂距

        禁带宽度: 时禁带宽度

        跃迁之后，准动量使自然守恒的，波矢没变，因此只需要满足能量守恒就可以了，对于这样两个不同的能带结构看上去难度不一样，区分为直接带隙半导体和间接带隙半导体

        现在看起来锑化铟使直接带隙半导体

        这个禁带宽度比较窄，意味着在同样的温度下，电子跃迁更容易，在室温下，导电能力就很强了

        红外的作用也会使得电子跃迁，这个量就很小，相比原来的来说非常小，所以我们降低背景的载流子，所以需要在液氮下工作，把本底的载流子浓度降低下去

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2.砷化镓的能带结构

砷化镓的导带结构，导带极小值位于布里渊区中心，,极小值附近，具有球形等能面

        （电子有效质量 各向同性 ）,另外在<111>方向上和<100>方向上，与第一布里渊区交界处，还各有一个能量的次极小值，其能量比K=0处，分别高出和，

        300k下，砷化镓的禁带宽度

3.混合晶体的能带结构

,X称为混晶比，混晶比在0~1之间变化，晶体的能带结构在GaAs和GaP之间变化

GaP的能带结构 1.导带极小值位于<100>方向上 2.价带顶位于处 3.下，

当类似砷化镓，当具有类似砷化磷的结构

如果混晶比在之间的时候，能带结构是类似于砷化镓的，并且禁带宽度1.84~1.94电子福特

第一件事可以把禁带宽度调的比较适合，发出可见光

第二件事调整直接带隙和间接带隙