三五族化合物半导体的杂质能级

一些重要的实验结果

1. 二族元素掺入三五族半导体中，通常取代三族元素，而位于其格点位置上，因为比三族元素少一个价电子，而倾向于接收一个价电子，而起受主的作用，引入浅受主能级

2. 六族元素掺入三五族半导体，通常取代五族元素，而位于其格点上，因为比五族元素多一个价电子，因而起施主的作用，引入施主能级

3. 四族元素掺入三五族化合物半导体中，他们杂乱的分布在格点位置上，掺杂的效果取决于杂质的浓度，以及样品所处的条件，具体一点来说，四族元素杂质浓度较低的时候，四族元素是取代三组元素，多余的电子可以电离释放---施主作用，如果你的掺杂浓度比较高，四族元素取带五族元素，起的是受主作用，纵坐标是电子浓度，单位体积内有多少个电子

4. 当三族元素和五族元素掺入不是由其自身原子构成的三五族元素时，实验测不出这些杂质的影响，也不引入杂质能级，但是这个有例外，但是当在磷化镓当中，我们给它掺入N或者Be

N取代P，N的负电性3.0，共价半径0.70，P的负电性12.1，共价半径1.10,N具有更大的负电性，所以具有更强的俘获电子的能力，结果就是俘获电子，成为负电中心，称为等电子陷阱

Be取代P，Be的负电性1.9，Be具有更强的复活空穴的能力，因而能够俘获空穴，称为正电中心，称为等电子陷阱

所谓等电子陷阱，是指与基质原子（自身原子）同族的杂质原子，他们取代了晶体中格点上的同族原子后，仍然是电中性的，但是由于原子序数，共价半径和负电性的区别，因而能够俘获某种载流子，而称为带电中心，这样的带电中心，这样的带电中心，称为等电子陷阱

等电子陷阱：俘获某种载流子而成为带电中心，这一带电中心，由于库仑力的作用，又可以俘获另一种带相反电荷的载流子，称为束缚激子

5.一族元素Au，Ag，Cu在砷化镓中，引入受主能级

6.过渡元素Cr，Mn，Fe，Co，Ni在GaAs引入深受主能级