LDO输出滤波电容ESR配置不当致电源输出振荡

在开始今天的案例解析前，我们先了解下LDO的拓扑特性。

针对LDO应用，建议了解模块的拓扑结构，包括NPN型、PNP型、PMOS型、NMOS型等，因为其拓扑与LDO参数、应用场合是强相关的。

例如PMOS型LDO适合应用于较高输入、输出电压的场景，因为PMOS型LDO输入极为源极S，增加输入与误差放大器之间的压差V GS ，有利于减小PMOS管的源极与漏极间的等效导通电阻R dson ，实现较低的管压降，从而进一步降低热损耗、提升效率，图1 为PMOS型LDO反馈框图。

另外，使用增强PMOS型LDO，若输入电压过低，可能无法满足MOS进入饱和区的条件。

图1 PMOS型LDO的反馈

LDO参数中，效率、精度、压降、静态电流、电源抑制比等参数，在设计中需要予以重点关注，同样适用于指导故障排查。另外，稳定性分析和热设计也是LDO电路设计应用中需加注意的问题，下面的案例就是有关LDO稳定性分析的案例。

一、项目背景及故障描述

本案例核心电路为PMOS型LDO，电源模块及其外围匹配电路如图2所示， R 1 、 R 2 为反馈电阻，另配置滤波钽电容 C T ，去耦陶瓷电容 C 。

图2 PMOS型LDO电路框图