在开始今天的案例解析前,我们先了解下LDO的拓扑特性。
针对LDO应用,建议了解模块的拓扑结构,包括NPN型、PNP型、PMOS型、NMOS型等,因为其拓扑与LDO参数、应用场合是强相关的。
例如PMOS型LDO适合应用于较高输入、输出电压的场景,因为PMOS型LDO输入极为源极S,增加输入与误差放大器之间的压差V GS ,有利于减小PMOS管的源极与漏极间的等效导通电阻R dson ,实现较低的管压降,从而进一步降低热损耗、提升效率,图1 为PMOS型LDO反馈框图。
另外,使用增强PMOS型LDO,若输入电压过低,可能无法满足MOS进入饱和区的条件。
图1 PMOS型LDO的反馈
LDO参数中,效率、精度、压降、静态电流、电源抑制比等参数,在设计中需要予以重点关注,同样适用于指导故障排查。另外,稳定性分析和热设计也是LDO电路设计应用中需加注意的问题,下面的案例就是有关LDO稳定性分析的案例。
一、项目背景及故障描述
本案例核心电路为PMOS型LDO,电源模块及其外围匹配电路如图2所示, R 1 、 R 2 为反馈电阻,另配置滤波钽电容 C T ,去耦陶瓷电容 C 。
图2 PMOS型LDO电路框图