MOS管Qg的概念解析

MOS管Qg的概念解析

MOS管Qg概念

Qg(栅极电荷):栅极电荷Qg是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，是指MOS开关完全打开，Gate极所需要的电荷量。

虽然MOS的输入电容,输出电容,在反馈电容是一项非常重要的参数,但是这些参数都是一些静态参数。

静态时，Cgd通常比Cgs小，实际在MOS应用中，当个Gate加上驱动电压后，于Mill效应有关联的Cgd会随着Drain极电压变化而呈现非线性变化，而且其电容值会比Cgs大20倍以上虽然Cgs也会随着Grain-Source电压变化，但是其数值变化不大，通常会增大10%-15%左右。所以很难用输入，输出电容来衡量MOS的驱动特性。

1.测试电路和波形

通常用Qg(栅极电荷)来衡量MOS的驱动特性

如上图1.3（1）在t0-t1时刻,Vgs开始慢慢的上升直到Vgs(th),DS之间电流才开始慢慢上升,同时Cgs开始充电，在此期间Cgd和Cgs相比可以忽略;

（2）