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RSS订阅原创 Charger之三动态电源路径管理（DPPM）
很多人容易搞混两者，网上有些人的介绍也不好理解，实际上两种是不同的概念，虽然都是适配器输出能力不足引起的调控，但VIN-DPM是在Charger的输入电压VIN不足时进行调控，而DPPM是在Charger的输出VSYS不足时进行调控。当减小充电电流到0也不足以满足系统供电要求时，VSYS电压会继续下降，当下降到低于电池电压时，电池开始反向为系统供电，以满足系统供电要求。当系统负载增大，大于适配器的最大输出能力，VSYS电压会下降，下降至DPPM阈值，DPPM会减小电池充电电流，保证VSYS的供电能力。
2024-05-14 22:50:58
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原创 Charger之二输入电压动态电源原理（VIN-DPM）
我们假设Charger给电池充电的电流是1.5A，电压是3.8V，由于适配器输出能力有限，他的输出电压会被拉低，即Charger的输入电压VIN会变小，假设VIN被拉低到了4V，如果没有VIN-DPM，随着充电电流继续增大，VIN会继续变小，VIN可能会低于3.8V，当VIN低于3.8V时，Charger的输出电压就低于3.8V了，而电池电压是3.8V ,这样充电就出问题了,无法再冲进去电。下篇内容：DPPM-动态电源路径管理。领资料：点下方↓名片关注回复：粉丝群。
2024-05-14 22:47:54
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原创 如何用TL431做恒流电路
当输出电流增大时，Rset电压增大，超过2.5V后，TL431导通，R1压降增大，阴极C处电压减小，即三极管B极电压减小，三极管导通能力下降，电流减小，形成负反馈，反之一样。另外，ISET=Ib*β，IL=Iset+IK，推导得②：Ib=（IL-IK）/β。其中β是三极管的方法倍数。ISET与IL以及IK取值自选，最终是要IL一定，分别给Iset和IK分配一下电流。忽略TL431的REF极电流，三极管集电极E点电压VE等于VREF+二极管压降VF，三极管基极B点电压等于VE加上三极管压降VBE，即。
2024-05-03 13:17:28
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原创 电池管理IC（Charger）了解一下？
现在市面上的电池设备越来越多，手机、手表、耳机、手环等设备均为电池供电，常用的是锂电池，但是锂电池的安全性没有足够好，为了能更安全的使用，需要专用的锂电池管理IC（Charger）来实现充电与放电。① △VCHRG ：电池复充电迟滞电压，这个电压的意思是，电池充满后电压为4.2V，如果电池放电，电压减小，当电压减小到4.2-△VCHRG后，充电器会重新为电池充电。来恒压充电，此阶段持续时间较长，随着电池容量增大，电流会缓慢减小（注意图示是IV曲线，所以体现不出缓慢下降），一直减小到。
2024-05-03 13:13:38
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原创 电源之LDO-5. LDO的噪声
下图是CNR电容值与输出噪声的关系，可以看出CNR越大输出噪声越小，容值为0.1uF后也不能完全消除噪声，所以也不能无限大。部分LDO具有一个基准电压滤波引脚，例如TI的TPS71701的NR引脚，其引脚描述如下：降噪电容过滤内部带隙产生的噪声，从而降低输出噪声。但需要注意的是，CFF容值过大可能影响LDO的动态性能，甚至可能造成输出震荡，所以其容值需谨慎选取。不同容值的输出电容也会影响输出噪声，表现为Cout越大，输出噪声越小，但其噪声抑制能力受容值大。电源之LDO-6. LDO的输出电容。
2024-01-20 23:56:38
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原创 如何减小DC-DC芯片外围电路体积?
由于现在小体积设备如手表手环等越来越多，减小DC-DC模块体积也随之变得非常重要，因此本文将探讨如何才能尽量减小DC-DC芯片及其外围电路体积。
2024-01-14 11:06:00
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原创 DC-DC的BOOT(BST)引脚连接电容有何用？
如图二是同步型DC-DC控制器及其外围器件拓扑，其典型特性是外部没有二极管，只有输入输出电容与电感，这种结构的DC-DC由于其二极管用MOSFET代替，而MOSFET具有更低的导通电阻，因而其导通压降很低，因此其效率更高，但其缺点是由于需要对MOSFET进行控制，因此相较于非同步型DC-DC控制更复杂且其价格更贵。对于上管，由于其S极连接到SW引脚，而上管导通时，SW引脚电压与VIN电压相同，对于同样的门限电压VGS(TH)，上管的G极电压至少要达到VIN+VGS(TH)才可以。自举电容如何起作用？
2024-01-11 22:30:53
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