CMOS数字开关应用+功率开关应用中的MOSFET及结构+太阳能追踪系统(H形电路)+单片机(蜂鸣器简介+硬件结构+代码控制)

2024-7-19，星期五，19:13，天气：晴，心情：晴。今天是星期五啦，下周一就要开始上班了，喜提打工人荣誉称号，上班可能一天就学不了这么多东西了，不过每天学一点也总比不学好，不积跬步无以至千里，继续学习啦，加油加油！！！😝

今日完成了模电自选教材第四章场效应管（FET）的学习，下周开始学习第五章。主要学习内容为：CMOS数字开关应用，功率开关应用中的MOSFET及结构，太阳能追踪系统(H形电路)。单片机主要学习内容为单片机(蜂鸣器简介+硬件结构+代码控制)。

一、场效应管FET（续）

1.MOSFET开关电路（续）

（1）CMOS数字开关应用

CMOS将n沟道与p沟道E-MOSFET以串联的方式组合在一起，如下图所示：

栅极上的输入电压可以是0V或VDD（VDD和地都接到两个晶体管的源极），我们现在规定VDD为正电压，连接到p沟道E-MOSFET的源极，当Vin = 0V时，Q1导通，Q2截止（栅极相当于低电压，吸引正电荷，形成p沟道导通），如下图示，此时Q1相当于闭合开关，因此输出为VDD。

当Vin = VDD时，Q2导通，Q1截止（栅极相当于高电压，吸引电子，形成n沟道导通），如下图所示，此时由于Q2相当于闭合开关，因此输出本质上为接地（0V）。

CMOS的主要优点是它的直流功耗非常小。因为两个E-MOSFET串联，且其中一个始终处于从断开状态，所以在静态时，直流电源中基本没有电流流过（短路可视为电阻无穷大）。当E-MOSFET开关时，只有非常短的时间内会有电流，因为只有在这个极短的状态转变的时间间隔内，两个晶体管会同时导通。

a. 反相器：下图所示典型的E-MOSFET开关电路实际上会使输入反向，当输入为VDD（高电平）时，输出是0V（低电平）；当输入是0V（低电平）时，输出是VDD（高电平）。因此该电路在数字电路中称为反相器。

b. 与非门：在下图中，在CMOS对的基础上增加了两个额外的MOSFET和第二个输入，得到了一个与非门电路，其中，Q4与Q1并联，Q3与Q2串联，，当两个输入VA和VB均为0时，p沟道晶体管Q1和Q4栅源电压为负，吸引正电荷形成p沟道导通，Q2和Q3截止（Q3截止及Q3栅极电压约为0，相当于Q2的源电压为0，栅源电压也为0），电路输出Vout为VDD（高电平）；当VA和VB均为VDD时，Q1和Q4截止（栅源电压为0，无法形成沟道），Q2和Q3导通，电路输出Vout为0（低电平）。同理可得，当两个输入不同，及一端为0，一端为VDD时，输出为VDD。综上，当且仅当VAVB均为高电平时，输出为低电平；否则输出为高电平。

c. 或非门：和上述电路类似，引入两个输出与两个额外的E-MOSFET，还可以组成或非门电路，如下图所示，Q4与Q2并联，Q3与Q1串联，和与非门的分析方法类似，当两个输入VA和VB均为0时，Q1和Q3导通，而Q2和Q4截止，使得Vout = VDD（高电平）。当两个输入均等于VDD时，Q1和Q3截止，而Q2和Q4导通，使得Vout = 0（低电平）。综上，当VA或VB或二者均为高电平时，输出为低电平，否则输出为高电平。

（2）功率开关应用中的MOSFET：在大多数高功率开关应用中，使用功率MOSFET代替BJT，因为功率MOSFET具有以下优点：

• MOSFET截止更快，不需要驱动电流；

• 导通电阻更低（消耗功率更小）；

• 具有正温度系数（温度增加，电阻增大），这意味着与BJT相比，MOSFET更不容易发生热偏移。

综上所述，MOSFET用于电机控制，直流—交流或交流—直流转换，负载开关或其他需要高功率或精确数字控制的任何场合。

（3）功率MOSFET的结构：传统的E-MOSFET具有薄且长的横向沟道，如下图所示。其中箭头表示多数载流子从源极到漏极移动，这就会使得漏源电阻相当高（电阻越细越长越大，越段越粗越小），限制了E-MOSFET的低功耗应用，当栅极电压为正时，在源极和漏极之间靠近栅极处形成沟道：

a. LDMOSFET（横向扩散MOSFET）：LDMOSFET具有横向沟道结构，是一种用于功率应用的增强型MOSFET，与传统EMOSFET相比，其在漏极和源极之间的沟道更短，这使得漏源电阻减小，允许更大的电压和电流。下图给出了LDMOSFET的基本结构，当栅极为正时，在源极和n-区域之间的p层内会产生很短的感应n沟道，多数载流子通过n区域和感应沟道从源极到漏极。

b. VMOSFET：V形槽MOSFET是另一种用于高功率的E-MOSFET，它利用垂直沟道结构，实现了漏极与源极见更短、更宽且电阻更低的沟道，这样的沟道能允许更大的电流，从而允许更大的功耗（频率响应也得到相应的改善）。VMOSFET顶部有两个源极，一个栅极，底部有一个漏极，如下图所示。在漏极（n+衬底，其中n+意味着比n-更高的掺杂浓度）与源极之间的V形曹的两侧感应出垂直沟道，沟道长度由层的厚度决定，而厚度由掺杂浓度和扩散时间决定。

c. TMOSFET：TMOSFET的垂直沟道结构如下图所示，栅极被嵌入到SIO2层中，源极覆盖了整个表面区域，漏极位于底部，TMOSFET比VMOSFET有更高的封装结构，同时保证了短垂直沟道的优点。

2. 例：太阳能板追踪电路系统 

太阳能追踪指的是移动太阳能板，使其跟踪太阳的日常移动和在天空中太阳高读的季节性变化过程，目的是增加吸收的太阳能量。

（1）单轴太阳能跟踪：单轴跟踪系统主要用于跟踪太阳每日的东升西落，而不跟踪每年的南北位置变化，目前有两种基本的单轴系统：极性与方位角。

极性系统如下图所示，其主轴指向北极，该系统的优点是太阳能板一直保持在面对太阳的角度。

在方位角系统中，电机驱动单块或多块太阳能电池板，太阳能电池板可以按照水平方向排列，也可以跟踪太阳东西运动，尽管其随着季节变化接收的太阳光并不多，但风载荷更小，对长牌太阳能板更有利，下图为一水平方向的太阳能阵列：

（2）传感器控制的太阳能板：这种跟踪控制方式使用光敏元件，例如光敏二极管，一般来讲，对于方向角的控制有两个光传感器，对于高度控制也有两个。

一般来讲，两个光敏二极管中有一个遮光挡板，它们与太阳能电池板安装在同一平面上。如果太阳能板没有直面太阳，阳光以一定的角度照射到电池板和光敏二极管上，使得其中一个二极管被遮光板部分或完全遮挡，接受到的阳光比零一个二极管少，如图所示：

当发生上述情况时，接收到大部分阳光的二极管就会比接收阳光少的二极管产生更大的电流，从两个二极管上得到电流的插值由位置控制电路进行处理，并向电机控制电路发出信号，电机旋转太阳能板，直到两个二极管产生相同大小的电流，然后由控制电路停止转动，如下图所示：

（3）H桥电机控制电路：下图为一典型的用于控制电机的H桥电路。如果输入1为高电平，输入2为低电平，则Q1和Q4导通，Q2和Q3截止，电流经红色箭头流过电机，控制电机向一个方向转动；如果输入1为低电平，输入2为高电平，则Q1和Q4截止，Q2和Q3导通，电流经紫色箭头流过电机，控制电机向反方向方向转动；如果输入1和输入2同时为高电平或低电平，则Q1、Q2、Q3、Q4同时导通或截止，电机停止转动；输入3高电平可关闭Q8，使H桥失效，电机关闭。

二、蜂鸣器

1. 蜂鸣器简介

从结构上可以将蜂鸣器分为压电蜂鸣器和电磁蜂鸣器，压电蜂鸣器为压电陶瓷发声，电流较小；电磁式蜂鸣器通过通电线圈震动发音，体积比较小。

按照驱动方式分为有源蜂鸣器和无源蜂鸣器。这里的有源无源不是指电源，而是指震荡源，有源蜂鸣器内部带了真党员，给引脚一个高（低）电平，蜂鸣器就会直接响；无源蜂鸣器是不带振荡源的，要让他响必须给500Hz~45kHz之间的脉冲频率信号驱动它才会响。

2. 蜂鸣器硬件设计

因为51单片机的IO口驱动能力较弱，而驱动蜂鸣器的电流要约30mA，即使可以驱动，那整个芯片上剩下的其他IO的驱动能力就会减弱甚至无法工作。所以一般不会使用IO口直接驱动蜂鸣器，而是通过三极管将电流放大后再驱动蜂鸣器，这样51单片机的IO口只需要提供不到1mA的电流就可以控制蜂鸣器，所以我们常说51单片机是用来做控制的，并不是用来做驱动的。

学习使用的51单片机开发板上的蜂鸣器模块如下图所示：

可以看到，蜂鸣器有两个输入，一个是高电平VCC，另一个是BEEP，通过寻找可以找到，BEEP是由U14芯片进行输出的：

当P25输入高电平时，BEEP输出低电平。此外，开发板上使用的是无源蜂鸣器，它需要一定的脉冲频率才会发声，因此需要让P25引脚以一定的频率不断输出高低电平才能使蜂鸣器发声。

（3）程序实现：

 

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