sde

;structing
(sdegeo:set-default-boolean “ABA”)

(sdegeo:create-rectangle
(position 0 0 0) (position 4.2 11 0) “SiliconCarbide” “R.Drift”)
(sdegeo:create-rectangle
(position 0 12.5 0) (position 4.2 13.5 0) “SiliconCarbide” “R.Sub”)
(sdegeo:create-rectangle
(position 0 11 0 ) (position 4.2 12.5 0) “SiliconCarbide” “R.N-buff”)
(sdegeo:create-rectangle
(position 3 1.7 0 ) (position 4.2 1.9 0) “SiliconCarbide” “R.P+shield”)
(sdegeo:create-rectangle
(position 3.0 0 0 ) (position 4.2 1.70 0) “Oxide” “R.Oxide”)
(sdegeo:create-rectangle
(position 3.05 0 0) (position 4.2 1.65 0) “PolySi” “R.Gate”)
(sdegeo:create-rectangle
(position 0 0 0) (position 1.5 0.8 0) “SiliconCarbide” “R.P+”)
(sdegeo:create-rectangle
(position 1.5 0.2 0) (position 3 0.8 0) “SiliconCarbide” “R.P-body”)
(sdegeo:create-rectangle
(position 1 0 0) (position 3 0.2 0) “SiliconCarbide” “R.N+”)

(sdegeo:define-contact-set “source”
4.0 (color:rgb 0.0 1.0 0.0) “##”)
(sdegeo:define-contact-set “drain”
4.0 (color:rgb 1.0 1.0 1.0) “##”)
(sdegeo:define-contact-set “gate”
4.0 (color:rgb 0.0 1.0 1.0) “##”)

;set contact
(sdegeo:define-2d-contact(find-edge-id (position 0.8 0.0 0.0 )) “source”)
(sdegeo:define-2d-contact(find-edge-id (position 2.0 0.0 0.0 )) “source”)
(sdegeo:define-2d-contact(find-edge-id (position 2.0 13.5 0.0 )) “drain”)
(sdegeo:define-2d-contact(find-edge-id (position 3.5 0.0 0.0 )) “gate”)

;define doping
(sdedr:define-constant-profile “Pro.Sub” “NitrogenActiveConcentration” 3e19)
(sdedr:define-constant-profile-region “Pl.Sub” “Pro.Sub” “R.Sub”)

(sdedr:define-constant-profile “Pro.buff” “NitrogenActiveConcentration” 3e17)
(sdedr:define-constant-profile-region “Pl.buff” “Pro.buff” “R.N-buff”)

(sdedr:define-constant-profile “Pro.Drift” “NitrogenActiveConcentration” 4e15)
(sdedr:define-constant-profile-region “Pl.Drift” “Pro.Drift” “R.Drift”)

(sdedr:define-constant-profile “Pro.shield” “AluminumActiveConcentration” 3e19)
(sdedr:define-constant-profile-region “Pl.shield” “Pro.shield” “R.P+shield”)

(sdedr:define-constant-profile “Pro.P-body” “AluminumActiveConcentration” 3e16)
(sdedr:define-constant-profile-region “Pl.P-body” “Pro.P-body” “R.P-body”)

(sdedr:define-constant-profile “Pro.P+” “AluminumActiveConcentration” 3e19)
(sdedr:define-constant-profile-region “Pl.P+” “Pro.P+” “R.P+”)

(sdedr:define-constant-profile “Pro.N+” “NitrogenActiveConcentration” 3e19)
(sdedr:define-constant-profile-region “Pl.N+” “Pro.N+” “R.N+”)

(sdedr:define-constant-profile “Pro.Poly” “NitrogenActiveConcentration” 3e19)
(sdedr:define-constant-profile-region “Pl.Poly” “Pro.Poly” “R.Gate”)

;meshing
(sdedr:define-refinement-window “WAll” “Rectangle”
(position -0.1 -0.1 0.0) (position 4.3 13.6 0) )
(sdedr:define-refinement-size “Ref.all” 0.4 1.0 0.2 0.2)
(sdedr:define-refinement-placement “Pl.all” “Ref.all” “WAll” )

(sdedr:define-refinement-size “A” 0.2 0.3 0 0.02 0.02 0)
(sdedr:define-refinement-material “B” “A” “SiliconCarbide”)

;(sdedr:define-refinement-function “C” “MaxLentInt” “R.N+” “source” 0.002 2 “UseRegionNames”)
;(sdedr:define-refinement-function “C” “DopingConcentration” “MaxTransDiff” 1)

(sdedr:define-refinement-window “Shield” “Rectangle”
(position 3.0 1.65 0.0) (position 4.2 1.9 0.0) )
(sdedr:define-refinement-size “Ref.shield” 0.03 0.04 0.01 0.02)
(sdedr:define-refinement-placement “Pl.shield” “Ref.shield” “Shield”)

(sdedr:define-refinement-window “buff_top” “Rectangle”
(position 0.0 10.8 0.0) (position 4.2 11.2 0.0) )
(sdedr:define-refinement-size “Ref.buff_top” 0.04 0.06 0.01 0.01)
(sdedr:define-refinement-placement “Pl.buff_top” “Ref.buff_top” “buff_top”)

(sdedr:define-refinement-window “buff” “Rectangle”
(position 0.0 11.3 0.0) (position 4.2 12.2 0.0) )
(sdedr:define-refinement-size “Ref.buff” 0.2 0.3 0.04 0.04)
(sdedr:define-refinement-placement “Pl.buff” “Ref.buff” “buff”)

(sdedr:define-refinement-window “buff_bottom” “Rectangle”
(position 0 12.3 0) (position 4.2 12.7 0.0) )
(sdedr:define-refinement-size "Ref.buff_bottom"0.04 0.06 0.01 0.01)
(sdedr:define-refinement-placement “Pl.buff_bottom” “Ref.buff_bottom” “buff_bottom”)

(sdedr:define-refinement-window “Top” “Rectangle”
(position 0.0 0.0 0.0) (position 2.85 0.85 0.0) )
(sdedr:define-refinement-size “Ref.Top” 0.05 0.06 0.01 0.01)
(sdedr:define-refinement-placement “Pl.Top” “Ref.Top” “Top”)

;(sdedr:define-refinement-window “Top” “Rectangle”
; (position 0.0 0.0 0.0) (position 2.9 0.9 0.0) )
;(sdedr:define-refinement-size “Ref.Top” 0.5 0.8 0.2 0.2)
;(sdedr:define-refinement-function “Ref.Top” “MaxLenInt” “SiliconCarbide” “Oxide” 1e-2 1.5 “DoubleSize”)
;;(sdedr:define-refinement-function “Ref.Top” “MaxLenInt” “SiliconCarbide” “SiliconCarbide” 1e-2 1.1 “DoubleSize”)
;(sdedr:define-refinement-function “Ref.Top” “DopingConcentration” “MaxTransDiff” 1)
;(sdedr:define-refinement-placement “Pl.Top” “Ref.Top” “Top”)

;(sdedr:define-refinement-window “Ox” “Rectangle”
;(position 2.9 0.0 0.0) (position 4.2 1.9 0.0) )
;(sdedr:define-refinement-size “Ref.Ox” 0.5 0.8 0.2 0.2)
;(sdedr:define-refinement-function “Ref.Ox” “MaxLenInt” “SiliconCarbide” “Oxide” 1e-2 1.2 “DoubleSize”)
;(sdedr:define-refinement-function “Ref.Ox” “MaxLenInt” “PolySi” “Oxide” 1e-2 1.2 “DoubleSize”)
;(sdedr:define-refinement-function “Ref.Top” “MaxLenInt” “SiliconCarbide” “SiliconCarbide” 2e-2 1.1 “DoubleSize”)
;(sdedr:define-refinement-function “Ref.Ox” “DopingConcentration” “MaxTransDiff” 1)
;(sdedr:define-refinement-placement “Pl.Ox” “Ref.Ox” “Ox”)

(sdedr:define-refinement-window “oxide” “Rectangle”
(position 2.85 0.0 0.0) (position 3.1 1.95 0.0) )
(sdedr:define-refinement-size “Ref.oxide” 0.04 0.05 0.02 0.02)
(sdedr:define-refinement-placement “Pl.oxide” “Ref.oxide” “oxide”)

(sdedr:define-refinement-window “btto” “Rectangle”
(position 0 12.6 0.0) (position 4.2 13.5 0.0) )
(sdedr:define-refinement-size “Ref.btto” 0.04 0.06 0.01 0.01)
(sdedr:define-refinement-placement “Pl.btto” “Ref.btto” “btto”)

(sde:build-mesh “snmesh” “-AI” “n@node@_msh”)

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Sentaurus SDE是由美国Synopsys公司开发的一种集成电路设计软件。它被广泛应用于半导体工业中的器件设计、工艺仿真和电路模拟等领域。Sentaurus SDE具有强大的仿真和分析能力,可以帮助工程师和设计师更好地理解和优化集成电路的性能。 Sentaurus SDE的主要功能包括器件建模和仿真、工艺模拟和优化、电路仿真和验证等。通过器件建模和仿真,工程师可以对不同材料和结构的器件进行详细的建模和仿真分析,以评估其性能、优化设计和减少成本。工艺模拟和优化则帮助工程师在制造过程中更好地理解和控制材料和工艺参数对器件性能的影响,从而优化电子产品的制造过程。电路仿真和验证则可以确保设计的电路在现实环境中能够正常工作,并满足指定的性能要求。 Sentaurus SDE还具有丰富的物理模型库和精确的数值分析算法,可以模拟并分析各种不同类型的器件,如MOSFET、BJT、MIM等。它还支持多物理领域的耦合仿真,如器件和电路的耦合、光电耦合等。此外,Sentaurus SDE还提供了直观而灵活的图形界面,使工程师能够方便地进行建模、仿真和分析操作。 总之,Sentaurus SDE是一款功能强大的集成电路设计软件,通过其丰富的功能和强大的性能,能够帮助工程师和设计师高效地进行集成电路的设计、仿真和优化工作,提高产品的质量和性能。

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