Synopsys Sentaurus TCAD系列教程之--Diode(sde) 解析

##Diode(sde)解析

(define Wsi @SiWidth@）      ;Width of Silicon Region
(define Hsi 1.0)   		   	;Height of Silicon Region
(define Wpo 0.5)             ; Width of Poly Region
(define Hpo  0.5)             ; Height of Poly Region
(define SiPoOver (* 0.5 Hpo)) ;Overlap of both regions
(define Nd 1e20)               ;  Poly doping level
(define Na 1e18)               ; Silicon doping level
(define NumberOfPointsXsi  8)  ; Number of grid points in Silicon
(define NumberOfPointsYsi   8)
(define NumberOfPointsXpo  8)   ;Number of grid points in Silicon
(define NumberOfPointsYpo 8)

(sdegeo:create-rectangle (position (* -0.5 Wsi) 0.0 0.0) (position ( * 0.5 Wsi) Hsi 0.0 ) "Silicon" "R.Silicon")
(sdegeo:set-default-boolean "ABA")

(define Ypo1 SiPoOver)
(define Ypo2 ( - Ypo1 Hpo))

(sdegeo:create-rectangle (position ( * -0.5 Wpo) Ypo1 0.0 ) (position ( * 0.5 Wpo)  Ypo2 0.0) "PolySi" "R.Poly" )

(sdegeo:set-contact (find-edge-id(position 0.0 Ypo2 0.0)) "Top" )
(sdegeo:set-contact (find-edge-id(position 0.0 Hsi 0.0))  "Bot" )

(sdedr:define-constant-profile "PolyProf" "ArsenicActiveConcentration" Nd)
(sdedr:define-constant-profile-material "PolyDop" "PolyProf" "PolySi")
(sdedr:define-constant-profile "SiProf" "BoronActiveConcentration" Na)
(sdedr:define-constant-profile-material "SiDop" "SiProf" "Silicon")

(sdedr:define-refinement-size "SiRef" (/ Wsi NumberOfPointsXpo)  (/ Hsi NumberOfPointsYpo)  1.0 (/ Wsi (* 2 NumberOfPointsXpo)) (/ Hsi (* 2 NumberOfPointsYpo)) 0.5)
(sdedr:define-refinement-material "SiRef" "SiRef" "Silicon" )

(sdedr:define-refinement-size "PolyRef" (/ Wpo NumberOfPointsXpo) (/ Hpo NumberofPointsYpo) 1.0 (/Wpo (* 2 NumberOfPointsXpo))  (/ Hpo (* 2 NumberOfPointsYpo)) 0.5 )
(sdedr:define-refinement-function "PolyRef" "MaxLenInt" "PolySi" "Silicon" 0.005 1.4)
(sdedr:define-refinement-material "PolyRef" "PolyRef" "PolySi")

;Meshing the device
(sde:build-mesh "n@node@")

sdegeo:create-rectangle

创建2D矩形区域

(sdegeo:create-rectangle v1 v2 material-name region-name)

• This Scheme extension 向模型添加一个2D矩形。通过指定两个相对的角点来定义矩形。
• 如果生成的矩形与现有区域重叠，新插入区域和重叠区域的拓扑决定于布尔公式。
• “material-name”设置为区域材质；"region-name"设置为区域名称。

sdegeo:set-default-boolean

设置默认布尔行为

(sdegeo:set-default-boolean boolean-value)

• 参数布尔值可以是以下任意预定义值(默认行为决定如何处置重叠区域)
  • “AB”: 新创建的区域将自动与所有现有重叠区域合并(合并).合并的区域将从新区域继承DATEX材质(和区域名称)
  • “ABA”: 减去已有区域中的重叠区域
  • “BAB”:从新创建的区域中减去所有现有区域
  • “ABiA”:类似于"ABA"行为，只是重叠是单独的区域(DATEX材质继承自新区域)

find-edge-id

查找实体(entity)边的编号

(find-edge-id position body)

• This Scheme extension 将遍历所有已定义实体的边列表(实体:边(获取实体列表))，并返回包含指定位置的所有边的ACIS实体ID.该位置可以是边的端点位置，也可以是内部位置
• 提供了用于选择实体的附加过滤器

find-face-id

查找实体(entity)面的编号

（find-face-id position | gvector）

• This Scheme extension 将遍历所有已定义实体的面列表(实体:面(获取实体列表))，并返回包含指定位置的所有面的ACIS实体ID.该位置可以是位于边界边缘上的位置或内部位置。或者，输入参数是gvector(向量式运算处理)，在这种情况下，返回具有指定面法线的所有平面

sdedr:define-constant-profile

在网格命令文件中创建恒定掺杂配置文件的定义

sdedr:define-constant-profile definition-name species concentration)

sdedr:define-constant-profile-material

基于网格命令文件中的材质(material)创建恒定的掺杂轮廓放置(placement)

 (sdedr:define-constant-profile-material placement-name definition-name material [decay-length ["Gauss"]] [replace]}

sdedr:define-refinement-function

将优化函数添加到指定的细化框
（sdedr:define-refinement-function definition-name function-name {“MaxLenInt” …）

• MaxLengthInterface( abb. MaxLenInt):此函数在界面处产生细化
  - RefineFunction = MaxLengthInterface(Interface(“Material1”,“Material2”),Value=value, Factor = Value, DoubleSide, UseRegionName)
  - RefineFunction 可以在同一个Refinement部分中对不同的接口重复
  - Interface语句中指定的材质必须是有效的DATEX材质。第一种材质表示执行细化的界面一侧。要将优化用于接口的两侧，需要指定DoubleSide选项
  - 默认情况下，界面由一对材料定义。但是，如果使用UseRegionNames选项，界面被解释为区域性规范
  - 材料"All”可用于指定提供材料的所有界面，空字符串可用于指定外部界面。此外，界面规范中的第二个参数可以是由字符串"Contact"或contact name(如果指定了UseRegionNames)指定的contact.
• 如果未指定界面，则不会细化任何界面。如果未指定"值",则默认为1.Factor参数必须是大于或等于1的数字。如果未定义“因子(factor)”,则默认为一个巨大的数字，因此只生成一个层。

sdedr:define-refinement-material

将优化函数添加到指定的优化

Syntax
(sdedr:define-refinement-material placement-name definition-name material-name)