目录
第二章 晶体缺陷
1.1点缺陷： 点缺陷是最简单的晶体缺陷，它是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷。其特征是在三维空间的各个方向上尺寸都很小，尺寸范围约为一个或几个原子尺寸，故称零维缺陷，包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子等。
1.2线缺陷： 其特征是在两个方向上尺寸很小，另外一个方向上延伸较长，也称一维缺陷，如各类位错。
1.3面缺陷： 其特征是在一个方向尺寸上很小，另外两个方向上扩展很大，也称二维缺陷，晶界、相界、孪晶界和堆垛层错都属于面缺陷。
2.1空位： 一个原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时，就可能克服周围原子对它的制约作用，跳离其原来的位置，使点阵中形成空结点。
2.2间隙原子： 从空位中跳离，挤入点阵的空隙位置的原子。
2.3 肖脱基缺陷： (肖脱基空位)即晶体结构中的一种因原子或离子离开原来所在的格点位置进入到其他空位、晶界或表面而形成的空位式的点缺陷。
2.4弗兰克尔缺陷： 离位原子进入到晶体间隙中而形成的点缺陷。
3.1刃型位错： 一种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面的位错形式。
3.2螺型位错： 一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。
3.3混合位错： 滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度的位错。
3.4位错线：晶体或晶格内滑移面上已滑动区的边界线称位错线或位错环。
3.5柏氏矢量： 通常将形成一个位错的晶体的相移矢量定义为该位错的柏氏矢量，用b表示。
3.6位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度。
4.1滑移： 在外加应力作用下，通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移的过程。
4.2攀移： 刃型位错在垂直于滑移面的方向上运动，把多余半原子面向上或向下运动的过程。
4.3交滑移：当某一螺型位错在原滑移面上受阻时，从滑移面转移到与之相交的另一滑移面上的过程叫做交滑移。
4.4交割：一个位错在某一滑移面上运动时，会与穿过滑移面的其他位错发生相互作用的过程。
4.5位错塞积： 位错运动遇到障碍（晶界、第二相粒子以及不动位错等），如果其向前运动的力不能克服障碍物的力，位错就会停在障碍物面前，由同一个位错源放出的其他位错也会被阻在障碍物前，这种现象称为位错塞积。
5.1位错的应力场： 位错周围的原子都不同程度的偏离了其原来的平衡位置而处于弹性形变状态，这就引起能量升高并产生内应力，若把这些原子所受的应力合起来，便可形成一个以位错线为中心的应力场。
5.2位错应变能： 晶体中位错的存在引起点阵畸变，导致能量升高，此增量称为位错的应变能。（课本的问题是应变能）
5.3位错线张力： 由于位错具有应变能，所以位错线有尽量缩短长度或自动变直的趋势，这表明存在一个沿着位错线作用的力，此力即位错的线张力。（课本的问题是线张力）
5.4作用在位错线上的力： 晶体中的位错在外加应力或其他内应力的作用下将会发生运动或者有运动的趋势，为了描述位错的运动，我们假定在位错线上作用了一个力F，这个假想的力就叫做作用在位错线上的力。
6.1位错源： 位错源是晶体中位错开始发生的部位。
6.2位错的增殖： 晶体在受力过程中，位错发生运动，位错数目增加，位错密度变大的过程。
7.1单位位错： 也称特征位错，就是指它的柏氏矢量等于晶体中最短的点阵矢量的位错。
7.2不全位错： 柏氏矢量不等于点阵矢量的不全位错。
7.3堆垛层错： 堆垛层错是层状结构晶格中常见的一种面缺陷，即晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误。
7.4肖克莱位错： 面心立方晶体中A层的一部分滑移至B层原子的位置，其上部的各层也跟着移动，但滑移只限于一部分，在两者的交界处发生了原子的严重错排，层错与完整晶体的边界就是肖克莱位错。
7.5弗兰克位错： 在晶体中抽去B层原子的右边一部分而让其上面的C层垂直落下来，由于B层的右边部分抽去而左边部分没有抽去，靠近层错的边沿位置的原子畸变大，但远离边沿的原子由于垂直落下，故原子排列虽发生层错，但仍处于密排位置，并不发生畸变。这些畸变处的原子即组成不全位错。
8.1扩展位错： 通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组称为扩展位错。
8.2固定位错： 固定位错一般是指那些被“锁住”的位错，它们有可能是两个位错相互作用形成,也有可能是和界面相互作用形成的。
8.3可动位错： 一个全位错分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，这个过程称为位错的扩展，形成的缺陷体系称为可动位错。
8.4位错反应：由几个位错合成一个新位错或者由一个位错分解成几个新位错的过程称为位错反应。
9.1晶界： 属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界。
9.2相界： 具有不同结构的两相之间的分界面称为相界。按结构特点，相界面可分为共格相界、半共格相界和非共格相界三种类型。
9.3界面能：界面上的原子处在断键状态，具有超额能量。平均在界面单位面积上的超额能量叫界面能。
9.4大角度晶界： 相邻晶粒的位向差大于10°的晶界。
9.5小角度晶界： 相邻晶粒的位向差小于10°的晶界。
9.6孪晶界： 两个晶体沿一个公共晶面构成晶面对称的位向关系，这两个晶体的公共晶面就称为孪晶面。
第三章 凝固
1.1凝固： 指在一定压强下，液态的晶体物质温度略微低于熔点时，微粒便规则地排列成为稳定的结构，由液体变为固体。 是物质从液相变为固相的相变过程。液态晶体物质在凝固过程中放出热量（称为凝固热，其数值等于熔化热），在凝固过程中其温度保持不变，直至液体全部变为晶体为止。
1.2结晶： 在化学里面，热的饱和 溶液冷却后， 溶质以晶体的形式析出，这一过程叫结晶。
1.3过冷： 温度低于凝固点但仍不凝固或结晶的液体称为过冷液体。过冷液体是不稳定的，只要投入少许该物质的晶体，便能诱发结晶，并使过冷液体的温度回升到凝固点。这种在微小扰动下就会很快转变的不稳定状态称为亚稳态。
1.4过冷度： 或是指物质(如金属、合金、晶体)的理论结晶温度与实际给定的结晶现场温度的差值。
1.5结构起伏： 亦称为"结构涨落"或"相起伏"。液态金属从宏观上看是原子作无规则排列的非晶体，但其中包含着许多类似晶体结构的、时大时小、时长时消的原子有序集团，这种现象称为"结构起伏"。尺寸越小的结构起伏在液体中出现的几率越大，而且在每一温度下，结构起伏都有一极限尺寸，温度越低，该极限尺寸越大。
1.6相起伏： 相起伏是指液态金属中规则排列的原子集团时聚时散的现象，又叫结构起伏。
1.7晶胚： 在均匀成核中，以纯水(无杂质)为例，首先在水中形成许多大小不同，但与固体结构相似的基元团称为晶胚。
2.1形核： 也称成核，过冷金属液中生成晶核的过程，是结晶的初始阶段。在一定过冷度下，由于温度和浓度起伏，使液态金属中的一些原子团或外来质点达到临界尺寸而成为固态质点，当周围原子向上堆砌时将使其自由能进一步降低，这些原子团即形成晶核。
2.2均匀形核： 是指在均匀单一的母相中形成新相结晶核心的过程。
2.3非均匀形核： 是指体系在外来质点，容器壁或原有晶体表面上形成的核。在此类体系中，成核几率在空间各点不同，由于模型内模型壁和杂质颗粒的作用，原子依附在其上而形核，进而降低了过冷度，使形核更加容易。
2.4临界晶核半径：形核过程中大于该半径的晶核能成为实际晶核，小于的倾向于重熔，随起伏消失。
2.5临界晶核:半径为临界晶核半径的晶核称为临界晶核
2.6形核功：形成晶核所需要的能量。
2.7临界形核功： 形成临界晶核所需要的能量。
2.8能量起伏： 能量起伏是指体系中每个微小体积所实际具有的能量，会偏离体系平
均能量水平而瞬时涨落的现象。
2.9临界过冷度： 临界过冷度指的是液体结晶时所需要的最小过冷度。
2.10形核率： 形核率是单位时间、单位体积中形成的晶核数，单位是1/（s·cm3）。按照经典形核长大理论，相变是通过其有临界大小的晶核形成及核的进一步长大来进行；形核率的大小将影响相变过程的速度.
2.11有效过冷度： 在到达某一过冷度前，液态金属基本不形核，而当温度降至某一过冷度时，形核率骤然增加，此时的过冷度称为有效过冷度。
2.12点阵匹配原理： 两个相互接触的晶面结构越相近，它们之间的表面能越小。
3.1动态过冷度： 当液－固界面温度低于熔点一定程度（即有一定过冷度）时，便可使得固相界面上原子向液相中跳动的几率小于液相中原子向固相界面上跳动的几率。也即使得前者的迁移速率小于后者的迁移速率，这种使晶核表面能够向液相中推进而在界面上所具有的过冷度称为动态过冷度。
3.2界面过冷度:结晶时，固液界面液相一侧的界面温度与理论结晶温度的差值
3.3粗糙界面： 界面固相一侧的点阵位置只有约50%被固相原子所占据，形成坑坑洼洼、凹凸不平的界面结构。粗糙界面也称“非小晶面”或“非小平面”。
3.4光滑界面： 界面固相一侧的点阵位置几乎全部为固相原子所占满，只留下少数空位或台阶，从而形成整体上平整光滑的界面结构。但从宏观上看，是由若干弯折的小平面组成，呈小平面台阶状特征，亦称小平面界面或称“小晶面” 。
3.5垂直长大： 在粗糙界面上,约有一半原子位置空着,故液相的原子可以进入这些空位与晶体结合,晶体便连续地垂直于界面向液相生长,称为垂直长大。
3.6横向长大： 在光滑界面上，很难垂直长大，液态原子扩散至相邻原子较多的台阶处，依靠小台阶接纳液态原子的横向生长方式向前推进，称为横向生长。
最低0.47元/天 解锁文章
1166
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
