材料科学｜名词解释终版!!!

晶体：组成物质的原子，分子或离子按照一定的周期性规则排列形成的固体。

非晶体：原子在三维空间的不规则排列，长程无序，各向同性。

晶体结构：原子，离子，原子团按照空间点阵而进行的实际排列。

晶格：表示原子在晶体中排列规律的空间格架。

晶胞：构成空间点阵的最基本单元。

晶系：晶体按照其几何形态的对称程度，可以划分为七类。三斜，单斜，正交，六方，菱方，四方，立方。

空间点阵：由几何点做周期性的规则排列所形成的三维阵列。

布拉菲点阵：由周围环境相同的阵点在空间上做周期性几何排列得到的三维阵列，有14种。

晶面族：原子排列相同，空间位向不同。

晶面间距：一组平行晶面中，相邻两个晶面之间的距离。

点阵常数：描写晶格基本矢量的大小。

配位数：晶体结构中任一原子周围最近且等距离的原子数。

八面体间隙：由六个球体围成的空隙，球体中心围成8个面。

多晶型性：元素的晶体结构随外界条件的变化而发生转变的性质。

空位：晶格原子离开平衡位置，在原位置产生的点缺陷。

晶体缺陷：通常把晶体中原子、偏离其平衡位置而出现不完整性的区域，称为晶体缺陷。

点缺陷：在三维空间各个方向尺寸都很小的缺陷。如空位，间隙原子，异类原子。

线缺陷：在两个方向上尺寸很小，一个方向上尺寸很大的缺陷，一般指位错。

位错：晶体中某处一列或若干列原子发生了有规律地错排现象，狭长的管状畸变区。

面缺陷：在一个方向上尺寸很小，另外两个方向尺寸很大的缺陷。晶界，相界，表面。

间隙原子：位于晶体点阵间隙的原子。

自间隙原子：间隙原子可以由同类原子构成。

肖脱基空位：离位原子进入其他空位或迁移至晶界或表面，的这种空位叫肖脱基空位

弗兰克尔空位：离位原子进入晶体点阵间隙。

异类间隙原子：间隙原子由外来杂质原子组成。

置换原子：位于晶体点阵位置的异类原子。

点缺陷形成能：点阵畸变，意味着原子离开了平衡位置，故晶体内能必然升高。

点缺陷平衡浓度：在正常温度下，晶体最稳定的状态是含有一定浓度的点缺陷状态。

螺位错：位错线附近的原子是按螺旋形排列。位错线和柏氏矢量平行的位错。

刃位错：位错线和柏氏适量垂直的位错。

混合位错：位错线和柏氏适量有一定夹角的位错。

伯氏矢量：揭示位错本质，描述位错行为。

位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度，穿过单位截面积的位错线数目。

攀移：刃型位错垂直于滑移面的方向运动

F-R 源（位错源）：增值位错的地方。

领先位错：最先靠近障碍物的位错

交割：位错互相切割的过程。

塞积：位错的运动遇到障碍，如果向前运动的力不能克服障碍物的力，由同一个位错源放出的位错都会被阻在障碍物前，形成位错塞积。

割阶：位错遇到障碍，有一部分位错先滑移，由此造成的新位错不在原位错面上。

扭折：位错遇到障碍，有一部分位错先滑移，由此造成的曲折线段就在滑移面上称为扭折。

全位错：柏氏矢量的模等于同晶向原子的间距。

不全位错：柏氏矢量的模小于同晶向原子间距。

弗兰克不全位错：在完整晶体中局部抽出或插入一层原子所形成的位错。

肖克莱不全位错：原子运动导致局部错排，错排区与完整晶体区的交线为肖克莱不全位错。

柯氏气团：溶质原子在位错线附近偏聚的现象。

位错的应力场：位错附近的原子偏离平衡位置引起能量升高产生应力，合起来便是应力场。

位错的应变能：晶体中位错的存在引起点阵畸变、能量升高，此增量为位错的应变能。

位错的线张力：位错线有自动变短或变直的趋势，表明有一个作用在位错线上的力，即位错的线张力。

作用在位错上的力：位错在外加切应力或其他内应力的作用下发生运动或运动趋势，是一种假想力。

位错增殖：变形过程中位错以某种方式不断增殖，使位错密度增大。

单位位错：通常把柏氏矢量等于点阵矢量的位错称为单位位错。

堆垛层错：晶体中原子堆垛次序中出现的层状错排。

扩展位错：一对不全位错及中间夹的位错。

固定位错：不能滑移的位错。

位错反应：由几个位错合成为一个新位错或由一个位错分解为几个新位错的过程。

晶界：同成分同结构的许多晶粒间，由于相对取向不同出现的接触界面，称为晶界。

小角度晶界：两个相邻晶粒位向差小于10度的晶界，其结构为位错列。

大角度晶界：晶粒位向差大于10度的晶界，其结构为几个原子范围内的原子混乱错排。

对称倾侧晶界：可以看作把晶界两侧的晶体互相倾斜，晶界由一系列平行的刃位错组成。

重合位置点阵：相近两个晶粒的点阵通过晶界向对方延伸，其中一些原子将出现有规律的重合，这些原子重合的位置形成比原来晶体大的点阵，称为重合位置点阵。

界面能：由于界面上原子排列不规则，产生点阵畸变，引起能量升高，这部分能量称为界面能。

亚晶界：位向差小于1度的亚晶粒之间的边界，结构为位错列。

孪晶面：两块相邻孪晶的共晶面，有共格孪晶面和非共格孪晶面。

孪晶：孪晶是指两个晶粒或一个晶粒内的相邻两部分的原子相对于一个共晶面呈晶面对称排列，此公共面为孪晶面。

孪晶界：孪晶之间的界面称为孪晶界。

相界：相邻两个相之间的界面称为相界。

相：材料中结构相同，成分和性能均一的成分。

固溶体：以合金中某一组元为溶剂，其他组元为溶质形成的、与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相。

置换固溶体：溶质原子位于晶格点阵位置的固溶体。

间隙固溶体：溶质原子进入溶剂晶格间隙。

负电性：从其他原子夺取电子而变为负离子的能力。

电子浓度：合金中价电子数目与原子数目的比值。

有序固溶体:溶质原子有序分布的固溶体。

有序强化：对于有序-无序转变的固溶体来说，有序状态的强度大于无序，破坏A-B键的难度比破A-A,B-B的难度高，这种现象也称为有序强化。

金属间化合物：金属与金属，或金属与类金属之间所形成化合物的统称。

正常价化合物：两种负电性差较大的元素，按照化合价规则形成的化合物。

间隙化合物：通常由过渡族金属原子与原子半径很小的非金属元素组成。

超材料：指的是一类具有特殊性质的人造材料，这些材料是自然界没有的。它们拥有一些特别的性质，比如让光、电磁波改变它们的通常性质，而这样的效果是传统材料无法实现的。

功能复合材料：功能复合材料是指除机械性能以外还提供其他物理性能的复合材料。

晶胚：过冷液态金属中短程规则排列结构。

结晶潜热：指在温度保持不变的情况下,单位质量的物质从液态转变到固态时所释放出的热量。

成分起伏：在熔融状态的合金中，在某一瞬时浓度呈现不同于平均浓度的周期性变化的现象称为浓度起伏。

结构起伏：（相起伏）高温下原子热运动较为剧烈，近程有序原子团只能维持短暂时间即消散，而新的原子集团又同时出现，时聚时散，此起彼伏。

能量起伏：热运动剧烈，能量差异大且不断变化，能量不均匀，不同结构，尺寸的晶胚对于能量的要求也不同，能量起伏用来提供形核功。

均匀形核：在过冷的液态金属中，依靠液态金属本身的能量起伏获得驱动力，由晶胚直接形核的过程。

非均匀形核：在过冷的液态金属中，晶胚依附在固体杂质表面形核。

体积自由能：当过冷液态金属中涌现出一个晶胚时，一部分液态原子转移为晶胚内部的原子，由于这些原子处于平衡位置上，其自由能比过冷的液相原子低，这部分降低的自由能称为体积自由能。

表面自由能：而另一部分液态原子转移到晶胚表面上，而这些原子由于手里不对称，偏离平衡位置，其自由能反而比过冷液态原子高，这部分增高的自由能称为表面自由能。

临界晶核半径：大于该半径的晶核能成为实际晶核，小于的倾向于重熔，随起伏消失。

形核功：即形成临界晶核时，体积自由能的降低还不能完全补偿表面自由能的增加，还有一部分表面自由能必须由外界对这一形核区做功来供给，这一部分由外界提供的能量称为形核功。

临界过冷度：结晶时所需要的最小过冷度。结晶时只有大于临界过冷度才可以结晶形核。

形核率：单位时间、单位体积形成的晶核数。

过冷度：实际结晶温度与理论结晶温度Tm之间的温度差。

有效过冷度：在到达某一过冷度前，液态金属中基本不形核，而当温度降至某一过冷度时，形核率骤然增加，此时的过冷度称为有效过冷度。

动态过冷度：液固界面要继续向液体中移动，就必须在液-固界面前沿液体中有一定的过冷，这种过冷度称为动态过冷度。

（光滑）小平面界面：在液-固界面上的原子排列比较规则，界面处两相截然分开，所以从微观来看，界面是光滑的，但是宏观上它往往是由若干个小平面所组成。

粗糙界面：在液-固界面上的原子排列比较混乱，原子分布高高低低不平整。仅在几个原子厚度上，液、固两相就占位置的一半，但是从宏观来看界面反而较为平直，不出现曲折的小平面。

垂直长大：这种长大方式是针对粗糙界面结构提出来的。因为在几个原子厚度的界面上，约有一半席位是空着的、正在虚位以待。所以从液相扩散过来的原子很容易填人空位中与晶体连接起来，使晶体连续地垂直于界面的方向生长。

横向长大：这种长大方式是针对光滑界面结构提出来的。这种界面结构由于界面上空位数目与占位数目的比例要么较小，要么很大,由液相扩散来的单个原子不易与晶体牢固连接。由于相邻原子极少而难以稳定结合，随时可能返回液相中，故平滑界面很难以垂直生长机制进行推移。若液态原子扩散至相邻原子较多的台阶;处时，则结合较为稳定。故平滑界面主要依靠小合阶接纳液态原子的横向生长方式向前推移，故称为橫向生长机制或台阶生长机制。

正温度梯度：液体中距液固界面越远，温度越高。

负温度梯度：液体中距液固界面越远，温度越低。

平面状长大：液-固界面始终保持平直的表面向液相中长大，长大中的晶体也一直保持规则的形态。

树枝状长大：液—固界面始终像树枝那样向液相中长大，并不断分支发展。

树枝晶：通常把首先长出来的晶枝称为一次轴，在一次轴成长变粗的同时，由于释放潜热使晶枝侧旁液体中也呈现负温度梯度，于是在一次轴上又会长出小枝来，称为二次轴，在二次轴上又长出来三次轴...