MOS管内阻简易测试

最新推荐文章于 2025-01-09 15:40:42 发布
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分类专栏： 电子电路 文章标签： 硬件工程 单片机
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MOS管规格书：
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测试电路原理：
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实测数据
内阻测试，MOS管型号： 电流(A) VDS电压(mV) RDS（mΩ）大 本体温度 VGS = 3.3V 5 81.4 16.28 略有温升 VGS = 4.5V 5.08 26.6 5.23 无明显温升 VGS = 6V 5.07 19.12 3.77 无明显温升 VGS = 10V 5.05 15.1 2.99 无明显温升 VGS = 12V 5.07 14.5 2.85 无明显温升 VGS = 3.3V 10.4 166.7 16.02 65度以上

实测数据与规格书相符，在使用的时候，如果Vgs是3.3V，内阻会大好几倍，发热量也大大增加。

MOS管的知识，看这一篇就可以了
记得诚
11-20 1万+
文章目录1.场效应管分类2.N和P区分3.寄生二极管4.导通条件5.基本开关电路6.与三极管的区别7.G和S极串联电阻的作用8.G极串联电阻的作用9.MOS管的米勒效应10.选型要点 今天的文章简单总结一下MOS管，如下是本文目录。 1.场效应管分类 场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。 JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。 MOSFET英文全称是Metal-Oxide-
嵌入式中CW32多功能测试笔实现
嵌入式技术开发
09-26 2026
虽然本项目的模拟前端有较多功能，乍一看电路图也较为复杂，但只要将电路图根据功能拆解开，“逐个击破”来分析，还是很容易就能理解的。简单的总结一下就是，模拟前端可以分为信号输入、信号输出、和电流源输出这三个部分，而不同的工作模式，就是通过切换模拟开关来实现这三个部分的切换。
怎么测量mos管内阻
appleseedking的博客
08-29 8939
现在市场上黑多mos管是假的，用高导通内阻，低电流的mos管冒充低导通内阻，高电流的mos管，因此需要测量mos内阻以鉴别真伪。 1：给mos管gs两端加上10V电压，导通mos管。 2：给mos管DS通过1A电流，可使用带限流的电源，把限流调到1a，电压调到0.1V。 3：用高精度万用表测量（六位半）测量MOS管DS端电压V。 MOS管的Ron=V/1A。 ...
mos管测量方法图解
07-13
mos管测量方法图解 场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET），我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。 下图为MOS管的标识 我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。不管是N沟道还是P沟道都一样。把芯片放正。从左到右分别为G极D极S极！如下图： 用二极管档对MOS管的测量。首先要短接三只引脚对管子进行放电。 1然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。如果测得有500多的数值。说明此管为N沟道。。 2黑笔不动，用红笔去接触G极测得数值为1. 3红笔移回到S极，此时管子应该为导通。 4然后红笔测D极，而黑笔测S极。应该测得数值为1.（这一步时要注意。因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常。建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先） 5然后红笔不动，黑笔去测G极，数值应该为1 到此我们可以判定此N沟道场管为正常
拆解电磁炉一款
TSINGHUAJOKING
09-16 5489
  ■ 背景介绍 下面是北京龙邱快递送过来的万利达的电磁炉。对它进行拆解分析，获得其中的主要功率部分的电路，为大功率高频振荡电路方案打下基础。 据说这款电磁炉的市场价格才40元人民币。把电子扇品质做到白菜价格，中国人真的很厉害的。 ▲ 一款万利达的电磁炉   01拆解电磁炉 在前盖打开之后，暴露出电磁炉内的主要电子部件。 1.前盖部件 除了塑料外壳之外，前盖的主要部件为： 控制面板：集成有六个触摸弹簧，八个LED，一个4个数字七段数码管以及DIP20单片机。型号打磨掉了。 耐热
与MOS管有关的各种知识
m0_58163393的博客
09-28 2258
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mos管发热怎么计算
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### MOS管发热功率计算 对于MOS管而言，其发热量主要由功耗决定。具体来说，在开关应用中，MOS管的总损耗可分解为导通损耗和开关损耗两部分。 #### 导通损耗 当MOS管处于完全导通状态时，流过漏极至源极之间的电流\( I_D \)会在内部电阻\( R_{DS(on)} \)(即导通电阻)上产生压降，从而形成热能损失。该部分损耗可以用下述公式表示： \[ P_{on} = I_D^2 \times R_{DS(on)} \] 这里 \(I_D\) 是通过MOSFET的直流电流，而 \(R_{DS(on)}\) 则是在特定条件下测得的数据表中的典型值[^1]。 #### 开关损耗 每当MOS管切换工作模式——从截止区进入饱和区或反之亦然——都会发生瞬态过程期间的能量消耗。这部分能量主要用于充放电栅极电容(Cgs)，以及克服寄生元件的影响。总的开关损耗近似表达如下： \[ P_{sw} ≈ f_s \cdot C_{iss}\cdot V_{GS(max)}\cdot (V_{DS(max)}) \] 其中， - \(f_s\) 表示开关频率； - \(C_{iss}\) 代表输入电容(通常等于Cgs+Cgd)； - \(V_{GS(max)}\) 和 \(V_{DS(max)}\) 分别指施加于栅源间及漏源间的最高电压幅值。 实际上，由于存在米勒效应等因素影响，真实情况下的开关损耗可能会更高一些。因此有时会采用经验系数来调整上述估算结果。 综合以上两种类型的损耗即可得到整个周期内的平均功率损耗Ptotal=Pon+Psw。此数值反映了单位时间内转换成热量并最终散发出去的能量总量，也就是所谓的“发热量”。 为了有效管理这种温升现象，设计者应当关注以下几个方面： - 尽量选用低内阻特性的MOSFET产品以减少静态损耗； - 合理规划电路布局，优化布线路径减小杂散参数带来的动态损耗增加风险； - 考虑外部散热措施如安装合适的散热片或将关键组件放置在通风良好的位置等；
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