蓝桥杯十五届EDA省赛第一场

一、符号库设计

首先要明确，在设计元器件符号之前，需要新建一个元件库，“文件→新建→元件库”，按照要求进行命名，一般为自己的准考证号。

再次在“文件→新建→元件→选择新建的库，定义元件名称，确认”。选择矩形（Alt+R），以原点为中心点→放置引脚（Alt+P），逆时针顺序放置5个引脚，依次更改引脚名称，保存，完成。

二、封装库设计

文件→新建→封装→选择新建的库，定义封装名称，确认

根据要求进行绘制，放置一个焊盘（Alt+P），属性→图层更改为顶层，形状更改为长圆形，设置宽1.2mm，高为0.5mm，复制--粘贴，逆时针放置5个焊盘，更改编号；

工具→智能尺寸，选中1号焊盘中心位置，按住Ctrl，继续选择其他焊盘，依次进行间距更改，完成如图所示的焊盘位置摆放；

放置→线条→矩形，属性→此时设置的线宽为0.05mm，再次选择放置→画布原点→从第一个焊盘，完成1引脚在坐标原点上。保存。

与器件BCON进行关联：选择下方的库，找到试题一保存的器件BCON，编辑→封装一栏选择...，找到封装为，确认，再次确认，完成关联。

三、原理图设计

1、充电控制电路设计

完全按照所给图3进行原理图设计操作，不需要更改任何器件信息，如果存在导入BCON器件的编号不是“U13”，需要更改，其他器件均不修改。

2、 电源控制电路设计

这个电源控制电路的主要功能是通过控制信号 PWR_EN 来实现对 +VS 电源网络的通断控制。以下是各元器件的功能和设计要求的详细分析：

三极管Q5：开关元件，控制电源通断。

原理：当PWR_EN 信号为高电平（3.3V）时，三极管 Q5 的基极电流通过电阻 R31 流入，使三极管导通，+VS 电源被接通。当 PWR_EN 信号为低电平（GND）时，三极管 Q5 截止，+VS 电源被切断。

电阻R31：限制三极管基极电流，防止过载。

基极电流，其中是三极管基极-发射极电压（通常为 0.7V）。电阻值选择为10kΩ，确保基极电流足够小，同时保证三极管能够可靠导通。

该电源控制电路通过控制信号 PWR_EN 来控制三极管 Q5 的导通与截止，从而实现对 +VS 电源网络的通断控制。设计时需要确保三极管的选型、电阻值的选择以及电源的稳定性满足要求，同时考虑漏电流、反向电压保护和过流保护等问题。

3、元器件封装

导入文件夹中的Lib.epro封装库文件，具体设置“文件→导入→嘉立创专业版→Lib.epro”，选择提取库文件，确认

工具→封装管理器（Alt+F），按照元器件封装表进行逐一修改即可。

注：此处可进行二次检查，防止在布局过程中会出现元器件封装不匹配情况，导致布局布线出现错误。

四、布局布线设计

1、布局

按照要求对DC1、OLED1、CN5、J2、TP1、TP2、TP3、TP4进行固定位置设置，其余元器件按照模块化进行摆放，以原理图的位置和顺序，保证元件之间相互平行或垂直排列，元器件全部置于顶层。

 2、布线DRC规则

导线最小宽度10mil，电源线需要加粗（25-40mil），一般1情况，笔者选择25mil；

安全间距，焊盘到焊盘7.5mil，焊盘到挖槽区域7mil，其余均为8mil。

过孔尺寸最小为15mil，最大为25mil。

设置→设计规则，分别选择间距→安全间距，物理→导线，过孔尺寸

3、布线设计

隐藏GND，3V3，VDD，+5V等连接飞线，优先短飞线，再处理长飞线，默认线宽10mil，电源部分线宽在20-30mil之间，根据相应引脚位置动态调整，对于电源部分和开关部分可以使用3V3铺铜进行连接处理。

晶振进行包地操作，GND导线进行加粗处理，打过孔，顶层禁止铺铜。

添加泪滴，圆弧状。

GND铺铜，顶层和底层均要。

五、文件提交 

文件总共封装文件.efoo，网表文件.enet，2D图片文件.png，工程文件.epro，按照试题要求进行更改名称，打包压缩上传，完成。

导出网表：导出→网表→网表类型：嘉立创EDA（专业版）.enet→导出。

导出2D图片：在PCB界面下选择视图→2D预览，再选择文件→导出→PNG，修改名称，保存完成。

导出文件和压缩包汇总：

第十五届蓝桥杯EDA省赛第一场已完成。 本文内容全部为学习记录，仅作为学习使用。