FPGA随记-FPGA软失效（SEU问题）

当高能亚原子粒子穿越超大规模电路存储单元（触发器、寄存器单元或RAM单元）中的硅时，会伴随着自由电荷的产生。这些电荷在极短的时间间隔内（约15ps）会聚集在电路节点中，当电荷聚集超过一定程度，存储的数据就会改变，造成系统出错。由于它对电路的损害不是永久性的，所以这种现象称为软失效。

软失效可能是由于宇宙射线、Boron裂变、Alpha射线、系统噪声或者电磁干扰等导致的错误。

1.什么是SEU

单粒子效应单元（Single Event Upset，简称SEU）是一种在半导体器件中由高能粒子（如宇宙射线或核反应产生的粒子）引起的瞬态电离事件。这种事件可以导致存储在内存单元中的数据位发生翻转，从而引起数据错误。SEU通常发生在动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）中，但也可以影响其他类型的电子设备。

2.SEU对FPGA有什么影响

概括来说就是可能会导致FPGA内部的存储器件中的存储内容异常，从而导致功能异常，功能失效，完全失效等，具体如下：

（1）配置存储器错误：FPGA的配置存储器用于存储逻辑单元、互连资源和I/O单元的配置信息。当高能粒子穿过配置存储器时，可能会导致配置数据位发生翻转，从而引起配置错误。这种错误可能导致FPGA的部分功能失效或完全失效。

（2）动态随机存取存储器（DRAM）错误：许多FPGA集成了嵌入式DRAM，用于存储数据和程序代码。SEU可能导致DRAM中的数据位发生翻转，从而引起数据错误。这种错误可能会影响FPGA的正常运行&#x