软失效的原理和应对方案的研究

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当高能亚原子粒子穿越超大规模电路存储单元（触发器、寄存器单元或RAM单元）中的硅时，会伴随着自由电荷的产生。这些电荷在极短的时间间隔内（约15ps）会聚集在电路节点中，当电荷聚集超过一定程度，存储的数据就会改变，造成系统出错。由于它对电路的损害不是永久性的，所以这种现象称为软失效。 

软失效判断方法和应对措施

是否发生软失效，可以通过软失效发生的几个特点来判断：

• 通过Reset可以恢复。
• 长期观察，发生的错误分布均匀、位置随机，错误基本上不会在同一点重现。
• 芯片能通过ATE系统测试。
• 错误发生概率与海拔高度、太阳活动周期相关。

高能量中子穿透能力强，目前业界尚无完全屏蔽手段，通行的做法是：

• 改进工艺，提高噪声容限。
• 提供软失效的检测手段：parity校验、ECC校验、CRC校验等。
• 对检测到的软失效进行主动修复（CE设备检测多bit错误复位单板修复错误） 

转载自：https://wenku.baidu.com/view/1a9bfc8c360cba1aa911da41.html

                https://support.huawei.com/enterprise/zh/doc/EDOC1100087022/