电阻与方块电阻计算公式

本文介绍了如何根据方块电阻来计算电源线的最小宽度和最大长度,以满足线阻<20欧,压降<0.2V,工作电流5mA, 功耗<50uA的要求。通过计算步骤,解释了如何利用电流和单位电阻信息得出所需参数。" 128471673,7303234,RK3568平台Linux管道详解:单向与双向通信,"['嵌入式开发', 'Linux系统', '进程管理']

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### 多晶硅电阻中的方块电阻注入浓度的关系 在半导体制造过程中,多晶硅作为重要的电极材料被广泛应用于各种器件中。对于多晶硅电阻而言,方块电阻是一个关键参数,它定义为电阻率 ρ 除以高度 t 的比值[^1]。 当涉及到掺杂时,注入浓度直接影响到多晶硅的电阻特性。通常情况下,随着注入杂质原子数量的增加,即注入浓度升高,多晶硅内部载流子的数量也会相应增多,从而降低其电阻率。因此,在一定范围内,较高的注入浓度会使得方块电阻减小。然而,这种关系并非线性的,而是存在饱和效应——当达到某个临界值之后,即使继续提高注入剂量,对电阻的影响也变得微乎其微。 具体来说,对于不同类型的掺杂物(比如磷或硼),以及不同的退火条件等因素都会影响最终形成的多晶硅薄膜性质。一般经验数据表明: - 对于轻度掺杂的 n 型多晶硅 (Phosphorus),方块电阻大约可以控制在几百欧姆每平方至几千欧姆每平方之间; - 而重度掺杂的情况下,则可能低至几十欧姆甚至更低。 需要注意的是,实际应用中还需要考虑其他因素如温度系数、稳定性等性能指标来综合评估最佳工艺窗口[^2]。 ```python # Python代码示例:模拟简单情况下的方块电阻随注入浓度变化趋势 import numpy as np import matplotlib.pyplot as plt def sheet_resistance(dose, base_rho=1e4): """计算给定注入剂量下n型多晶硅的方块电阻""" # 这里假设了一个简化模型,实际情况更复杂 rho = max(base_rho / dose, 50) # 防止无限大 return rho doses = np.logspace(12, 16, num=100) # 掺杂范围从1E12 cm^-2 到 1E16 cm^-2 resistances = [sheet_resistance(d) for d in doses] plt.figure() plt.semilogx(doses, resistances) plt.xlabel('Doping Dose ($\mathrm{cm^{-2}}$)') plt.ylabel('Sheet Resistance ($\Omega$/sq.)') plt.title('Relationship between Sheet Resistance and Doping Concentration of Polysilicon Resistor') plt.grid(True) plt.show() ```
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