振荡原理 | 利用源电流和灌电流周期性地对电容充电和放电来生成周期性信号 |
波性 | 生成三角波形 |
特点 | 用于低频时钟生成的良好噪声性能 对晶体管的gm变化的依赖性较小。对于低频工作,使用大的定时电容使振荡器对寄生电容不敏感,并提供恒定的频率调谐增益。 |
种类 | 具有接地电容 具有浮动电容 |
1. 接地电容
- 当电容电压超过比较器的阈值时,它对电容进行充电和放电,该比较器通常设计有施密特触发器。
- 在高速下,比较器的延迟时间在振荡周期内变得很大,使得性能对PVT变化很敏感。
- 由于采用单端结构,很难实现50%的占空比和良好的电源噪声抑制。
振荡频率:
:是电容电压的峰值幅度
:比较器延迟。
半差分架构可以设计为具有对称操作的50%占空比,并且通过采用两个单端VCO来放松比较器设计,但是它使用两个定时电容器消耗大面积并且增加功耗。
2. 浮动电容
交叉耦合对和浮动电容的弛张振荡器具有完全平衡的工作状态,并具有良好的电源噪声抑制性能。
具有浮动电容的对称张弛振荡器是集成振荡器设计的一个很好的选择。
- 主要的限制来自非线性幅度依赖于尾电流。
- 当小型浮动电容设计用于高速低功耗工作时,寄生电容也会降低调谐范围和相位噪声
考虑一个低频工作的弛张振荡器,并假设图中节点A、B、X和Y的寄生电容可以忽略不计。
初始条件是M1是开的,M2是关
是阈值电压
:最小漏源电压
VX设置为:
由于电流I从X流向Y,因此浮动节点Y处的VY保持减小,直到M2导通,即,。
节点Y处的导通电压:
假设:,
,则峰值摆幅
:
振荡周期To表示为:
M1和M2的(W/L)比M3和M4的(W/L)大得多,
以减轻交叉耦合晶体管的影响。
为了使闪烁噪声最小化,对于负载晶体管M3和M4,期望长沟道。
Δ3高度依赖于工艺和温度变化,使得难以产生稳定的频率。
在设计弛豫压控振荡器时,有源负载在不同偏置电流下的非线性特性使得很难实现线性的电压-频率传递函数。
为了克服负载晶体管的非线性特性,
可以考虑在差分环形振荡器中采用的技术:在不同的偏置电流上实现恒定的输出摆幅。
负载晶体管M3和M4工作在线性区,作为压控电阻工作。
假设M3和M4的有效负载电阻(由RM3和RM4表示)相等,并表示为Rload:
假设初始状态,M1被关断,M2接通。节点A和B处的电压:
电压跳变:
假定M1和M2的阈值电压相等。
在半个周期内,电容器电压变化,振荡周期Tosc:
- 如果
,则振荡周期完全由电容值、固定幅度和尾电流表征。
- 由于VSW是恒定的,而与尾电流无关,因此振荡频率由尾电流线性控制。
- VCO增益可以随不同电容值线性调整
- 使用图中所示的电容阵列可以显著提高弛豫VCO的调谐范围。
- 一组可切换的参考电压也可以用来实现微调控制。