EEPROM和FLASH

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和Flash存储器都是非易失性存储器，它们在很多方面存在显著的区别，这些区别决定了它们各自的应用场景。

EEPROM和Flash的区别：

	EEPROM	FLASH
读写次数	100w	10w
存储单位	字节访问和擦除	块级访问和擦除
成本	较高，尤其是在大容量存储需求时	较低，尤其是大容量NAND Flash
存储密度	较低	较高，尤其是NAND Flash

• EEPROM：适用于存储需要掉电不丢失的小量数据，如配置参数、校准数据、小容量数据记录等。由于其可以进行字节级擦写，因此适合对数据进行频繁更新的应用场景。

• Flash：NOR Flash通常用于存储代码，如固件、引导代码等，能够实现片内执行，并且读取速度快，适合需要高速访问的应用场景。NAND Flash则用于存储大容量数据，如文件系统和内核，成本较低，适合消费电子产品和大容量数据存储设备。