蓝桥杯篇---EEPROM内部存储地址

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前言

在EEPROM的代码中，EEPROM_Write 和 EEPROM_Read 函数的 addr 参数表示 EEPROM 的内部存储地址，其取值范围由 EEPROM 的容量决定。以下是详细说明：

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1. EEPROM 容量与地址范围

EEPROM 的容量决定了 addr 参数的有效范围。常见的 EEPROM 容量及地址范围如下：

EEPROM 型号 容量 地址范围（16进制） 地址范围（十进制） 地址长度
24C01 128 字节 0x00 ~ 0x7F 0 ~ 127 1 字节
24C02 256 字节 0x00 ~ 0xFF 0 ~ 255 1 字节
24C04 512 字节 0x00 ~ 0x1FF 0 ~ 511 1 字节
24C08 1024 字节 0x00 ~ 0x3FF 0 ~ 1023 1 字节
24C16 2048 字节 0x00 ~ 0x7FF 0 ~ 2047 1 字节
24C32 4096 字节 0x0000 ~ 0x0FFF 0 ~ 4095 2 字节
24C64 8192 字节 0x0000 ~ 0x1FFF 0 ~ 8191 2 字节
24C128 16384 字节 0x0000 ~ 0x3FFF 0 ~ 16383 2 字节
24C256 32768 字节 0x0000 ~ 0x7FFF 0 ~ 32767 2 字节

2. 代码中的 addr 参数

在EEPROM的代码中，addr 参数为 1 字节（unsigned char 类型），因此适用于 小容量 EEPROM（如 24C01、24C02、24C04、24C08、24C16）。其有效范围为：

16 进制：0x00 ~ 0xFF
10 进制：0 ~ 255

示例：
对于 24C02（256 字节）：
addr 可以是 0x00 ~ 0xFF。
例如：EEPROM_Write(0x10, 0x55) 表示将数据 0x55 写入地址 0x10。

3. 大容量 EEPROM 的地址扩展

如果使用 大容量 EEPROM（如 24C32、24C64、24C128、24C256），addr 需要扩展为 2 字节（unsigned int 类型）。此时，代码需要修改为：
发送地址时，先发送高字节，再发送低字节。

示例（以 24C256 为例）：
void EEPROM_Write(unsigned int addr, unsigned char date) {
    I2CStart();
    I2CSendByte(0xA0);          // 发送器件地址（写模式）
    I2CWaitAck();
    I2CSendByte(addr >> 8);     // 发送高字节地址
    I2CWaitAck();
    I2CSendByte(addr & 0xFF);   // 发送低字节地址
    I2CWaitAck();
    I2CSendByte(date);          // 发送数据
    I2CWaitAck();
    I2CStop();
}

4. 地址分配建议

在实际应用中，addr 的分配应根据数据存储需求进行规划。以下是一些常见的分配方式：

系统配置

系统配置：固定地址（如 0x00 ~ 0x0F）。

用户数据

用户数据：动态地址（如 0x10 ~ 0xFF）。

日志数据

日志数据：循环地址（如 0x20 ~ 0x7F，循环覆盖）。

示例：
系统配置存储在 0x00 ~ 0x0F。
用户数据存储在 0x10 ~ 0x7F。
日志数据存储在 0x80 ~ 0xFF，循环覆盖。

5. 注意事项

地址溢出

确保 addr 不超过 EEPROM 的容量范围，否则可能导致数据覆盖或写入失败。

页写入限制

某些 EEPROM（如 24C02）支持页写入（如 16 字节/页）。
跨页写入时需分多次操作。

写保护

某些 EEPROM 支持写保护功能，需通过硬件引脚或命令启用/禁用。

写延时

EEPROM 写入后需等待几毫秒（t_WR），确保数据写入完成。
代码中未包含写延时，实际应用中需添加：

void EEPROM_Write(unsigned char addr, date) {
    // ...发送数据
    I2CStop();
    Delay_ms(5); // 添加延时
}

总结

1. 小容量 EEPROM（如 24C02）：addr 为 1 字节，范围 0x00 ~ 0xFF。
2. 大容量 EEPROM（如 24C256）：addr 为 2 字节，范围 0x0000 ~ 0x7FFF。
3. 合理分配 addr，避免地址溢出和页写入限制。
4. 通过合理设置 addr 参数，可以实现对 EEPROM 的高效读写操作。

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