MOS器件漏电理解？

PN结反偏时的电流称为 反向饱和电流（I_S），其大小由少子浓度决定，具有以下特性：

一、反向饱和电流的量级

1. 常温下极微弱

◦ 对于硅（Si）材料的PN结，常温（25°C）下 I_S 通常在 纳安（nA）级，（具体数值与器件尺寸、掺杂浓度等有关）。

◦ 锗（Ge）材料的PN结由于少子浓度更高，I_S 略大，约 微安（μA）级，但锗器件已较少使用。

2. 远小于正向电流

◦ 正向导通时电流可达毫安（mA）至安培（A）级，反向电流比正向电流小 6~9个数量级，因此宏观上可认为PN结反偏时“截止”。

二、温度对反向电流的影响

反向饱和电流 强烈依赖温度，原因是少子由本征激发产生，温度升高会显著增加少子浓度：

• 温度每升高10°C，I_S 约 翻倍（硅材料）或 增加约3~4倍（锗材料）。

• 例如：硅PN结在25°C时 I_S=1~nA，100°C时可能增至约 1~μA（具体需根据器件参数计算）。

实际应用中需注意：高温环境下反向电流可能增大到不可忽略，影响电路稳定性（如放大电路的偏置点漂移）。

三、反向击穿时的电流（异常情况）

当反向电压超过 击穿电压（V_BR）时，反向电流会 急剧增大（可达毫安级以上），此时PN结失去单向导电性，属于破坏性或非预期工作状态（除非用于稳压管的击穿稳压模式）。

• 击穿类型：齐纳击穿（低电压，≤5V）和雪崩击穿（高电压），但无论哪种，正常反偏时电压需远低于 V_BR。

四、反向电流的实际意义

1. 理想模型与实际的差异

◦ 理想PN结模型中反偏电流视为0，但实际电路（如高精度传感器、集成电路）中需考虑 I_S 的温度漂移，可能导致漏电流噪声。

2. 低功耗电路设计

◦ 在电池供电设备中，需选择反向电流极小的器件（如硅肖特基二极管反向电流比普通硅二极管更小）。

总结

PN结反偏时的电流 在正常工作电压下非常小（纳安级），主要由少子漂移形成，且对温度敏感。其大小可概括为：

• 常温硅器件：I_S≈1nA
• 温度升高：每10°C约翻倍

• 反向击穿时：电流急剧增大（异常状态，需避免或合理利用）

这一特性是PN结单向导电性的核心体现，也是二极管、晶体管等半导体器件设计的基础。