MOS器件公示总结

最新推荐文章于 2023-10-20 13:57:51 发布

maxwell2ic

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分类专栏：集成电路文章标签：集成电路 mos

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本文链接：https://blog.csdn.net/maxwell2ic/article/details/53066296

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本文总结了MOS器件的大信号和小信号操作。在大信号操作中，探讨了饱和区和截止区的漏电流，阈值电压及其参数，氧化层电容等。在小信号操作部分，涉及了跨导、效率、过驱电压，以及体效应对跨导的影响，还讨论了通道长度建模参数、输出电阻和内在增益，最后提到了转换频率和电容特性。

摘要由CSDN通过智能技术生成

Large Signal Operation

Drain current (saturation region)

I D = 1 2 μ C o x W L (V G S - V T H) 2 (1 + λ V D S)

$I_D = {1 \over 2} \mu C_{ox} {W \over L}(V_{GS} - V_{TH})^2(1+\lambda V_{DS})$

Drain current (triode region)

I D = 1 2 μ C o x W L [2 (V G S - V T H) V D S - V 2 D S)

$I_D = {1 \over 2} \mu C_{ox} {W \over L}[2(V_{GS} - V_{TH})V_{DS} - V_{DS}^2)$

Threshold Voltage

V T H = V T H 0 + γ [2 ϕ f + V S B ‾ ‾ ‾ ‾ ‾ ‾ ‾ ‾ ‾ ‾ \sqrt - 2 ϕ f ‾ ‾ ‾ ‾ \sqrt]

$V_{TH} = V_{TH0} + \gamma [\sqrt{2\phi_f + V_{SB}} - \sqrt{2\phi_f}]$

Threshold Voltage parameter

γ =

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