常见的共面阻抗计算模型

所谓的“共面”，即阻抗线和参考层在同一平面，即阻抗线被VCC/GND所包围，

周围的VCC/GND即为参考层。

相较于单端和差分阻抗模型，共面阻抗模型多了一个参数D1，即阻抗线和参

考层VCC/GND之间的间距。

在Palor Si9000中，下面红色标注的工具栏图标为 coplanar模型组:

针对共面模型，下面只选几种典型模型来进行说明，更详细全面的内容

请参考同组笔记本下的"常见的阻抗模型---整理版"。

另外注意，此组模型都是wavegide模式。

1.  Surface coplanar waveguide 1B

适用范围:

外层蚀刻后单线共面阻抗，阻抗线被VCC/GND所包围，

周围的VCC/GND即为参考层，而次外层(innerlay 2)

为线路层，而非VCC/GND参考层。

参数说明:

H1:外层到次外层之间的介质厚度

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚

Er1:介质层介电常数

2.Coated coplanar waveguide  1B

适用范围:

阻焊后单线共面阻抗，阻抗线被VCC/GND所包围，

周围的VCC/GND即为参考层，而次外层(innerlay 2)

为线路层，而非VCC/GND参考层。

参数说明:

H1:外层到次外层之间的介质厚度

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚

Er1:介质层介电常数

CEr1:阻焊介电常数

C1:基材阻焊厚度

C2:线面阻焊厚度(后加工)

3.Surface coplanar waveguide with ground 1B

适用范围:

外层蚀刻后单线共面阻抗，参考层为同一层面的VCC/GND

和次外层VCC/GND。

参数说明:

H1:外层到次外层VCC/GND之间的介质厚度

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚

Er1:介质层介电常数

4.Edge-coupled Offset stripline 1B1A 

适用范围:

         内层单线共面阻抗，阻抗线被VCC/GND所包围，

周围的VCC/GND即为参考层，而次外层(innerlay 2)

为线路层，而非VCC/GND参考层。

参数说明:

H1:阻抗线路层到下一层之间的介质厚度

H2:阻抗线路层到上一层之间的介质厚度

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚

Er1:H1对应介质层介电常数

Er2:H2对应介质层介电常数

5.Embedded coplanar waveguide with ground 1B1A

适用范围:

         内层单线共面阻抗， 参考层为同一层面的VCC/GND

        和次外层VCC/GND。

参数说明:

H1:阻抗线路层到临近VCC/GND之间的介质厚度

H2:阻抗线路层到上一层之间的介质厚度

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚

Er1:H1对应介质层介电常数

Er2:H2对应介质层介电常数

6.  Offset coplanar waveguide 1B1A

适用范围:

         内层单线共面阻抗， 参考层为同一层面的VCC/GND

        和及与其临近的两个VCC/GND层。

参数说明:

H1:阻抗线路层到临近VCC/GND之间的介质厚度

H2:阻抗线路层到较远VCC/GND之间的介质厚度

W2:阻抗线上线宽

W1:阻抗线下线宽

D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距

T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚

Er1:H1对应介质层介电常数

Er2:H2对应介质层介电常数

6-14. 为差分形式的共面阻抗，可结合“常见的差分(动)阻抗计算模型”

进行推演，更具体的内容此处略。