无源器件使用注意事项

1 电容

引用资料：电容器手册 陈永真 李锦

引用资料：TDK电容产品漫画

总结：

1. MLCC电容存在压电效应，在微弱信号处理中小心使用
2. MLCC电容存在直流偏压线性，滤波、振荡等电路使用时需注意
3. 聚丙烯电容具有极小的漏电电流，可用于漏电敏感电路中
4. 特氟龙、聚苯乙烯和聚丙烯电容具有非常小的介质吸收，约为0.01%

1.1 多层陶瓷电容器（MLCC）

1.1.1 结构与加工工艺

        涉及到制备陶瓷浆料、薄膜制备、印刷、穿孔和烧结等工序；

        引用资料：多层陶瓷电容器的制作工艺-百度爱采购

 1.1.2  陶瓷电容器分类

        I类电介质（NP0、C0G）、II类电介质（X7R 、X5R等）和III类电介质（Y5V等）；

        I类陶瓷电容器特点：采用超稳定级陶瓷介质材料。NP0电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

        II类陶瓷电容器特点：采用稳定级陶瓷介质材料。当温度在-55℃~ +125℃时其容量变化为15%，不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合。因介电系数可以做得很大，因而电容量可以做得比较大，适用于对工作环境温度要求较高的耦合、旁路和滤波。

        III类陶瓷电容器特点：采用可用级陶瓷介质材料。介电系数随温度变化较大，不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合。适用于一般工作工作环境温度要求（-25℃ ~ +85℃）的耦合、旁路和滤波。

        绝缘电阻（影响漏电电流）也是通过绝缘时间常数衡量。

  1.1.3 使用注意事项：

        漏电流范围：几纳安(nA)到几百微安(μA)之间

        电介质吸收：吸收率0.2%（充电电压的百分比）

        多层陶瓷电容压电效应：不宜用在微弱模拟信号处理的供电输出端，推荐可采用钽电解电容；

        引用资料：

        a) MLCC噪声啸叫及对策_电容压电效应-CSDN博客

        b) 压力引入的突发噪声：陶瓷电容器中的颤噪

        多层陶瓷电容直流偏压特性：其静电容量会随直流电压的上升而变化(降低)的现象。 

         原因：这种特性是钛酸钡(BaTiO3)系铁电体的高介电常数类MLCC特有的现象，导电性高分子的铝电解电容器(高分子AI)、导电性高分子钽电解电容器(高分子Ta)、薄膜电容器(Film)、氧化钛和使用了锆酸钙系顺电体的温度补偿用MLCC上几乎不会发生这种现象 。

        MLCC的直流偏压特性具有以下规律(数据来源于村田官网)：

        1、容量不同、其他参数一致的电容，容量越大，直流偏压特性越明显。

        2、容量相同、耐压不同的电容，在相同的直流偏压下，容量下降的比例相近。

        3、容量、耐压都相同的电容，封装越小，电容量下降越快。

         引用资料：陶瓷电容(MLCC)，你真的了解吗？_mlcc电容-CSDN博客

1.2 薄膜电容器

        采用将金属轧成箔与绝缘介质薄膜一同卷绕成芯子以尽可能减小体积，常见绝缘介质分为纸介质、有机介质。

        按电极形成形式方式可分为金属箔薄膜电容器和金属化电容器。

        虽然薄膜电容不具有压电性，但它也对振动敏感，这是因为薄膜电介质上的任何机械应力都会使薄膜厚度发生细微变化，导致电容略微增大或减小。电容中存储的能量是恒定的，因此电压必须略微改变以适应电容变化        

        主要由旁路、滤波、耦合、采样保持、振荡、定时与延时、微/积分、音响电路、抑制电磁干扰。

介质	最小薄膜厚度/um	介电系数1kHz 23℃	工作（℃）	温度系数（ppm/℃）	损耗因数1kHz 23℃	绝缘时间常数（S）23℃	介质吸收/ %
聚乙烯	/	2.3	-55 ~  +70℃	±50 线性	0.02%	/	/
聚苯乙烯	4	2.5	-55 ~  +70℃	±50线性	0.02%	100 000	0.01
聚四氟乙烯	3	2	-55 ~  +250℃	/	0.01%	10 000	0.02
聚丙烯	4	2.2	-55 ~  +85℃	-100 ~ +50 几乎线性	0.03%	100 000	0.01
聚酯薄膜	0.9	3.3	-55 ~  +100℃	±200	0.5%	25 000	0.5
聚乙酯薄膜	1.4	3	-55 ~  +125℃	±150	0.4%	25 000	1.2
聚碳酸酯	1.5	2.8	-55 ~  +125℃	±100 非线性	0.15%	25 000	0.06
聚酰亚胺	/	3.5	-55 ~  +200℃	/	0.3%	/	/
聚砜	/	3	-55 ~  +150℃	/	0.1%	/	/
聚苯硫醚	2	3.0	-55 ~  +125℃	-50 ~ +100	0.06%	10 000	0.05
电容器纸	7	5.5	-40 ~  +115℃	±200	0.8%	15 000	/

         薄膜电容器的额定电流主要由薄膜电容器电极的ESR决定，通常，薄膜电容器的铝箔电极厚度仅几微米，金属化电极厚度则仅几十纳米。这样薄膜电容器电极的有效导电截面积将很小，会产生令人讨厌的ESR。

        电流流过薄膜电容器的电极，在电极的寄生电阻ESR上产生功率损耗，导致电极的发热，最终使薄膜电容器发热。

        

        当1uF电容器施加1000V/us的电压变化率，将会在电容器里流过1000A的峰值电流。如果电容器的电极、引线或端头没有这样的峰值电流冲击承受能力，电容器的电极、引线或端头将像保险丝那样爆断，使电容器造成不可逆的损坏。

        漏电流是薄膜电容器的重要指标之一，由于薄膜电容中的介质不会出现像铝电解电容器那样的电化学过程，因此薄膜电容器的漏电电流极低，有机薄膜电容器漏电流几乎为零，金属化纸介电容器由于纸介质的特殊性，可能会有一点漏电电流。

        额定电容值CR＞0.33uF电容器，绝缘电阻通常是以时间常数形式给出，即 ,其中Ris为绝缘阻抗。

        绝缘电阻同样受到温度和湿度影响，其中聚乙酯薄膜电容器的绝缘电阻温度稳定性最好。

        例如1uF 聚丙烯绝缘阻抗计算：

        100 000（s） = 1uF * Ris，所以绝缘阻抗 Ris = 100 000 / (1 * 10^-6) = 100G。

1.3 云母电容器

        电介质吸收：吸收率1% ~ 5%（充电电压的百分比）

        漏电流范围：绝缘电阻极大，漏电流极小，通常在nA级以下

        采用云母作为介质，介质损耗小、绝缘电阻大、温度系数小、优异的耐热性、高频性和稳定性，适用于高频电路。可用聚苯乙烯、聚丙烯等材料制成的电容器来代替。

1. 工作温度可以达到200℃
2. 高频特性好，金属包装的电容器最高工作频率可达到600MHz
3. 精度高，一般可达到±1%，±2%，±5%，最高精度可达到0.01%
4. 容量稳定性好，最好可稳定在±10*10^-8/℃，贮存14年后，其容量变化不超过±1%

        主要用于电子、电力和通信设备的仪器仪表中，还可以用于航天、航空、航海、火箭、卫星、军用、电子装备以及石油勘察设备中。

1.4 电解电容器

        电解电容器应称为电解质电容器，因为这种电容器的一个电极不是金属二是电解质或金属氧化物。这个电极的导电载流子不再是自由电子而是离子。

        铝电解电容

                 电介质吸收：吸收率 ≥ 10%（充电电压的百分比）

                漏电流范围：漏电量级通常在微安（μA）到毫安（mA）范围内

        钽电解电容器

                        由于电解电容器在应用中存在寿命短、不能耐高温（军品要求达到125℃）、电                 容量随温度变化明显以及ESR过高等问题。

                电介质吸收：吸收率1% ~ 5%（充电电压的百分比）

                漏电流范围：通常在微安（μA）量级

1.5 安规电容

        分为X类电容和Y类电容。

        以Vishay的VJ2220Y472KXUSTX1为例：

• 额定电压：250Vrms，但可承受DC电压超过1kVdc。
• 绝缘电阻IR：在+25°C下最小值为100G欧姆。
• 漏电流计算：对于500Vdc测试电压，漏电流 = 500Vdc / 100G欧姆 = 最大5nA（但通常比这小得多）

2 电阻

总结：

1. 不是所有阻值相同电阻噪声都一样大。如碳素电阻、碳膜电阻还有过量噪声
2. 不是所有相同封装电阻额度功率都一样。如薄膜电阻额度功率小于厚膜电阻

2.1  碳膜电阻

        碳氢化合物在高温和真空中分解，沉积在瓷棒或者瓷管上，形成一层结晶碳膜。改变碳膜厚度和长度可以得到不同的阻值。

        优点：碳膜电阻成本较低。

        缺点：稳定性差、误差大。它是电子、电器、资讯产品中使用量最大的一种电阻元件，碳膜电阻色彩较暗。

        噪声：有较大的过量噪声，过量噪声电压与频率平方根的倒数成比例，属于1/f噪声。各电阻过量噪声排序：金属膜电阻 ＜ 碳膜电阻 ＜ 碳素电阻

        使用：±5%、±10%、±20%误差，多用于要求不高的电路场合。

2.2 金属膜电阻

        在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜。改变金属膜的厚度可以控制阻值。

        与碳膜电阻相比，体积小、噪音低、稳定性好，但成本较高，金属膜电阻色彩亮丽，又可细分为高频、高压、精密等多种类型。

        允许误差有：±0.1%、±0.2%、±0.5%、±1%，多应用在精度要求较高的场合，如精密增益设定。

2.3 金属氧化膜电阻

        用锡和锑等金属盐溶液喷雾到炽热的陶瓷骨架表面经水解沉积而形成。金属氧化膜电阻器的缺点是由于材料的特性和膜层厚度的限制，阻值范围小，其阻值范围为1Ω~200 kΩ。额定功率为1/8 ~ 10W；25W ~ 50 kW。

        金属氧化膜电阻器比金属膜电阻抗氧化能力强，抗酸、抗盐的能力强，耐热性好。适用于不燃、耐温变、耐湿等场合。

2.4 合成碳膜电阻

        将炭黑、填料和有机粘合剂配成悬浮液，涂复在绝缘骨架上，经加热聚合而成。它的阻值范围高，可以达到10~106 MΩ;额定功率为1/4~5 W；最高工作电压为 35kV。

        其缺点是抗湿性差，电压稳定性低，频率特性不好，噪声大。这种电阻器不适合用于通用电阻器。这种电阻器主要适用于高压和高阻用电阻器，并常用玻璃壳封装，制成真空兆欧电阻器，用于微电流测试。

2.5 玻璃釉电阻器

        是由金属银、铑、钌等金属氧化物和玻璃釉粘合剂混合成浆料，涂复在陶瓷骨架体上，经高温烧结而成。目前多用氧化钌和玻璃釉粘合剂制成电阻器。金属玻璃釉电阻器有普通型和精密型。

        这种电阻器耐高温，耐湿性好，稳定性好，噪声小，温度系数小，阻值范围大，阻值范围为4.7Ω~200 MΩ；额定功率有1/8 W、l/4 W、l/2 W、1 w、2 W,大功率有 500 W；最高电压为15 kV。

2.6 线绕电阻

        是用髙比电阻材料康铜、锰铜或镍铬合金丝缠绕在陶瓷骨架上制作而成的电阻器。这种电阻器有的表面被覆一层玻璃釉，常称作玻璃釉线绕电阻器；有的表面被覆一层保护有机漆或清漆，称为涂漆线绕电阻器;还有的是由没有保护的裸线绕制的，称作裸式线绕电阻器。表面涂敷保护层的线绕电阻器，除了对电阻器起保护作用外，也有利于在工作环境条件变化时保持其阻值的稳定性。

        线绕电阻器的噪声小，甚至无电流噪声；温度系数小，热稳定性好，耐高温，工作温度可达到315°C；功率大，能承受大功率负荷；阻值范围为0.1Ω~5 MΩ；额定功率1/8~500 W。缺点是高频性能差

        使用：适用于低频且精确度要求高的电路。

2.7 金属箔电阻

        通过真空熔炼形成镍铬合金，然后通过滚碾的方式制作成金属箔，再将金属箔黏合在氧化铝陶瓷基底上，再通过光刻工艺来控制金属箔的形状，从而控制电阻。金属箔电阻是目前性能可以控制到最好的电阻。

2.8 厚膜电阻

        采用的丝网印刷法，就是再陶瓷基底上贴一层钯化银电极，然后在电极之间印刷一层二氧化钌作为电阻体。厚膜电阻的电阻膜通常比较厚，大约100微米。

        厚膜电阻是目前应用最多的电阻，价格便宜，容差有5%和1%，绝大多数产品中使用的都是5%和1%的片状厚膜电阻。

2.9 薄膜电阻

        氧化铝陶瓷基底上通过真空沉积形成镍化铬薄膜，通常只有0.1um厚，只有厚膜电阻的千分之一，然后通过光刻工艺将薄膜蚀刻成一定的形状。Thin Film工艺在此前电容和电感的文章中已经提到过多次了，光刻工艺十分精确，可以形成复杂的形状，因此，薄膜电容的性能可以控制的很好。

        薄膜电阻与厚膜电阻两者的最大区别是：

1. 膜厚的区别，厚膜电阻的膜厚通常大于10μm，而薄膜电阻通常小于10μm，而且大多更是小于1μm；
2.   功率，厚膜电阻的导电层以浆的形式印制在陶瓷基板上，其厚度可以是薄膜电阻导电层的上千倍。这样的厚度在处理高功率应用时具有性能优势，而且制造成本也明显低于薄膜电阻。然而，它在功率方面的优势却也使得其可预测性和精确性降低，容差可能高达 5%；举个例子：TE的RN73系列的0805型电阻，根据数据手册，其额定功率为 0.1W（RN73系列数据手册）
3. 制造工艺的区别，厚膜电阻通常是采用丝网印刷工艺制作而成，薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法将具有一定电阻率的材料蒸镀于绝缘材料表面制成电阻器；
4. 厚膜电阻一般精度不如薄膜电阻高，厚膜电阻常见精度是10%，5%，1%等，而薄膜电阻精度可达到0.1%、0.01%等；
5. 湿度，薄膜电阻较厚膜电阻对湿度更为敏感，可通过三防漆进行保护；
6. 在温度系数上，厚膜电阻通常较大，而薄膜电阻的温度系数可以做到非常低，如5PPM/℃，10PPM/℃等，因此薄膜电阻的阻值随温度变化小，更加稳定可靠；
7. 电流噪声，薄膜电阻比厚膜电阻在电流噪声上更有优势。下面我们以Yageo RC电阻举例，从微观结构角度上，更好的说明了薄膜电阻与厚膜电阻，在电流噪声上的区别

        对于薄膜电阻，如上图所示，从薄膜电阻的电阻层的微观结构来看，只有金属颗粒堆叠在一起形成精细的金属膜。当电子在导电金属层中移动时，它们可以从一个或多个导电晶格转移到另一个晶格，并在没有任何阻碍的情况下形成电流，这有助于防止噪声产生。

        对于厚膜电阻，如上图所示，电阻层的材料由金属和玻璃材料制成。玻璃材料是不导电的，所以电子不能穿过玻璃颗粒。电流的方向因这些玻璃颗粒而改变，并成为电流噪声的来源。

         下图是薄膜电阻和厚膜电阻的噪声测量结果（数据来源于Yageo）。在不同频率的噪声水平下，薄膜电阻比厚膜电阻有更低的电流噪声。

2.10 大功率线绕电阻

        用康铜或者镍铬合金电阻丝在陶瓷骨架上线绕而成。这种电阻分固定和可变两种。它的特点是工作稳定、耐热性能好、误差范围小。

        使用：适用于大功率的场合，额定功率一般1W以上。

2.11 有机实心电阻

        有机实心电阻器是把颗粒状导电物、填充料和黏合剂等材料混合均匀后热压在一起，然后装在塑料壳内组成的电阻器，它的引线直接压塑在电阻体内。由于这种电阻器导体截面较大，因此具有很强的过负荷能力，且可靠性高、价格低。其主要缺点是精度低。

        使用：这种电阻器一般用在负载不能断开且工作负荷较大的地方，如音频输出接耳机的电路

2.12 熔断电阻

        熔断电阻又称为保险丝电阻，是一种具有电阻和保险丝双重功能的元件。熔断电阻大多为灰色，用色环或数字表示电阻值，额定功率由电阻尺寸所决定。在正常情况下使用时，它具有普通电阻的电器特性，一旦电路发生故障就会在规定的时间内熔断，从而起到保护其他重要元件的作用。目前，国内外一般采用的是不可修复（一次性）的保险丝电阻，其额定功率有0.25W、0.5W、1W、2W和3W等规格，阻值可做到0.22~5.1K。

        使用：与价值高、需保护的电路元器件相串联使用，常用在电源和二次电源电路内。

2.13 水泥电阻

        水泥电阻也是一种熔断电阻器，将电阻线绕在耐热瓷件上，外面加上耐热、耐湿及耐腐蚀的材料保护固定而成。水泥型电阻是把电阻体放入长方形瓷器框内，用特殊不燃性热水泥充填密封而成。它在电路过流的情况下会迅速熔断，以保护电路。

        使用：与价值高、需保护的电路元器件相串联使用，常用在电源和二次电源电路内。

2.14 零欧姆电阻

1.  便于调试，预留位置；

2. 作为跳线；

3. 匹配电路参数不确定的时候，以零欧姆代替，实际调试的时候，确定参数，再以具体数值的元件代替；

4. 测工作电流；

5. 跨接布线；

6. 在高频信号下，充当电感或电容；

7. 模拟地和数字地单点接地；

8. 跨接时用于电流回路；

9. 配置电路；

10. 其他用途。

2.15 功率型线绕无感电阻

采用特别的线绕方式，使得电感量仅为一般线绕电阻的几十人之一。采用金属外壳利于散热。

使用：适用于大功率电路且磁场恶劣的环境下，故又常称为功率电阻。

2.16 排阻

        排阻（Network Resistor），即网络电阻器（Wire-wound Resistor）。排阻是将若干个参数完全相同的电阻集中封装在一起，组合制成的。它们的一个引脚都连到一起，作为公共引脚。其余引脚正常引出。所以如果一个排阻是由n个电阻构成的，那么它就有n+1只引脚，一般来说，最左边的那个是公共引脚。它在排阻上一般用一个色点标出来。排阻具有装配方便、安装密度高等优点，目前已大量应用在电视机、显示器、电脑主板、小家电中。排阻通常都有一个公共端，在封装表面用一个小白点表示。其颜色通常为黑色或黄色。排阻一般应用在数字电路上，比如：作为某个并行口的上拉或者下拉电阻用。使用排阻比用若干只固定电阻更方便。

        使用：排阻就是一排电阻的简称，是一种厚膜电阻网络，又多种一脚方式。排阻一般应用于数字电路、仪表电路和计算机电路中，例如仪表电路中的衰耗器。

3 电感

        引用资料：电感的种类让大家更了解电感

        引用资料：TDK电感世界

        3.1 绕线电感

        把铜线绕在一个磁芯上形成一个线圈，绕线的方式有两种：圆柱形绕法(Round Wound)、平面形绕法(Flat Wound)。磁芯的磁导率越大，电感值越大，磁芯可以是非磁性材料、铁磁性材料。

        绕线电感可提供大电流、高感值；磁芯磁导率越大，同样的感值，绕线就少，绕线少就能降低直流电阻；同样的尺寸，绕线少可以绕粗，提高电流。另外，电源设计中，经常遇到电感啸叫的问题，本质就是磁场的变化引起了导体，也就是线圈的振动，振动的频率刚好在音频范围内，人耳就可以听见，合金一体成型电感，比较牢固，可以减少振动。

3.2 多层片状电感

        多层片状电感器是用磁性材料采用多层生产技术制成的无绕线电感器。它采用铁氧体膏浆交替层叠并采用烧结工艺形成整体单片结构,有封闭的磁回路,所以有磁屏蔽作用。片状电感器的外形与片状陶瓷电阻器相似,并且尺寸可以做得极小。

3.3 薄膜电感

        薄膜电感器是一种采用真空薄膜工艺制作的电感器，可靠性高，易于集成化和片式化，非常适合于自动化表面装贴技术(SMT)，并且由于其尺寸小，高频特性好等优点。

3.4 功率电感

        功率电感通常用于DCDC电路中，通过积累并释放能量来保持连续的电流。功率电感大都是绕线电感，可以提高大电流、高电感。

（a）非屏蔽工字型电感

        其磁路由磁芯和空气共同构成，所以其磁力线会完全暴露在空气中，没有任何的磁屏蔽。

（b）半屏蔽电感

        这种电感在工字形电感的基础上，在电感外围增加了磁屏蔽材料。由于导磁材料磁阻小，因此磁力线基本被锁定在导磁材料中，只有少部分的磁场会从气隙中溢出，故这种电感对外的漏磁量很少。

（c）一体成型电感

        这种电感是将绕组和导磁材料一次铸造而成，内部只开有很小的气隙，防止电感饱和，因此这种电感基本没有磁力线的溢出。

3.5 去耦电感

        去耦电感也叫Choke，教科书上通常翻译成扼流圈。去耦电感的作用是滤除线路上的干扰，属于EMC器件，EMC工程师主要用来解决产品的辐射发射(RE)和传导发射(CE)的测试问题。去耦电感，通常结构比较简单，大都是铜丝直接绕在铁氧体环上。

（a）差模电感

        差模电感就是普通的绕线电感，用于滤除一些差模干扰，主要就是与电容一起构成LC滤波器，减小电源噪声。

        对于220V市电，差模干扰就是L相到N相之间的干扰；对于主板上的低压直流电源，其实就是电源噪声。

差模电感

（b）共模电感

共模电感就是在同一个铁氧体环上绕制两个匝数相同、绕向相反的线圈。如图所示的共模电感：

共模电感

        当有共模成分流过共模电感时，根据右手定则，会在两个线圈形成方向相同的磁场，相互加强，相当于对共模信号存在较高的感抗；

        当有差模成分流过共模电感时，根据右手定则，会在两个线圈形成方向相反的磁场，相互抵消，相当于对差模信号存在较低的感抗。

        共模电感选型需要注意以下几点：

1. 直流阻抗要低，不能对电压或有用信号产生较大影响；
2. 用于电源线的话，要考虑额定电压和电流，满足工作要求；
3. 通过测试确定共模干扰的频段，在该频段内共模阻抗应该较高；
4. 差模阻抗要小，不能对差分信号的质量产生较大影响。

3.6 高频电感

        高频电感主要应用于手机、无线路由器等产品的射频电路中，从100MHz到6GHz都有应用。

高频电感在射频电路中主要有以下几种作用：

1. 匹配(Matching)：与电容一起组成匹配网络，消除器件与传输线之间的阻抗失配，减小反射和损耗；
2. 滤波(Filter)：与电容一起组成LC滤波器，滤出一些不想要的频率成分，防止干扰器件工作；
3. 隔离交流(Choke)：在PA等有源射频电路中，将射频信号与直流偏置和直流电源隔离；
4. 谐振(Resonance)：与电容一起构成LC振荡电路，作为VCO的振荡源；
5. 巴仑(Balun)：即平衡不平衡转换，与电容一起构成LC巴仑，实现单端射频信号与差分信号之间的转换。

3.7选型注意事项  

1）电感值（L）

      电感的标称值通常是在没有外加直流偏置的条件下，以100 kHz或1 MHz所量得。且为确保大量自动化生产的可能性，电感之容差值（tolerance）通常是 ±20%（M）与±30%（N）居多。下图为利用Wayne Kerr的LCR表量测Taiyo Yuden 电感NR4018T220M之电感－频率特性图，如图所示，在5 MHz之前电感值的曲线较为平坦，电感值几乎可视为常数。在高频段因寄生电容与电感所产生的谐振，电感值会上升，此谐振频率称为自我谐振频率（self-resonant frequency；SRF），通常需远高于工作频率。

 Taiyo Yuden NR4018T220M电感-频率特性之量测图

2）阻抗（Z）

        如下图所示，从阻抗图也可以看出电感在不同频率下的表现。电感的阻抗约与频率成正比（Z=2πfL），因此频率愈高，电抗会比交流电阻大很多，所以阻抗表现就如同纯电感（相位为90˚）。而再往高频，由于寄生电容效应，可以看到阻抗的自我谐振频率点，过了此点阻抗下降呈现电容性，且相位逐渐转为-90 ˚。

Taiyo Yuden电感NR4018T220M之阻抗－频率特性

3）Q值与交流电阻（ACR）

        Q值在电感的定义中为电抗与电阻的比值，也就是阻抗中虚数部分与实数部分的比，如下式。

其中XL为电感器之电抗，RL为电感器之交流电阻。

        在低频段，交流电阻比电感造成的电抗大，所以其Q值很低；随着频率增加，电抗（约为2πfL）愈来愈大，即使电阻因集肤效应（skin effect）与邻近（proximity effect）效应愈来愈大，Q值仍随频率增加；在接近SRF时，电感抗逐渐为电容抗抵消，Q值又逐渐变小；在SRF时变为零，因电感抗与电容抗完全相消。图7为NR4018T220M之Q值与频率的关系图，其关系呈现倒钟形。

图7、Taiyo Yuden电感NR4018T220M之Q值与频率的关系图

        在电感的应用频段里，Q值愈高愈好；表示其电抗远大于交流电阻。一般而言，Q值最好达到40以上，表示此电感的质量佳。然而，一般随直流偏置增加，电感值会下降，Q值也会降低。若采用扁平漆包线或多股漆包线，可以降低集肤效应，即交流电阻，也就可以提升电感的Q值。

        直流电阻DCR一般多认为是铜线的直流电阻，此电阻可依线径与长度计算。然而大部分小电流SMD电感在绕线终端会用超音波焊接做SMD的铜片，但因为铜线长度不长，电阻值不高，因此焊接电阻常会占整体直流电阻相当的比例。以TDK之绕线式SMD电感CLF6045NIT-1R5N为例，其量测直流电阻为14.6mΩ，而依线径及长度计算之直流电阻为12.1mΩ。结果显示此焊接电阻约占整体直流电阻的17%。

        交流电阻ACR则因有集肤效应与邻近效应，而会造成ACR随频率增加；一般电感的应用，因交流成份远低于直流成份，所以ACR造成的影响并不明显；但是在轻载时，因为直流成份降低，ACR造成的损耗便不能忽略。集肤效应即在交流的条件下，导体内部电流分布不均匀而集中在导线的表面，造成等效导线截面积降低，进而使导线的等效电阻随频率提高。另外，在一个导线绕组中，相邻的导线会因电流造成磁场的相加减，使得电流集中在导线邻近的表面（或最远的表面，视电流方向而定），同样造成等效导线截面积降低，等效电阻提高的现象，即所谓的邻近效应；在一个多层绕组的电感应用里，邻近效应更是明显。

        下图为绕线式SMD电感NR4018T220M的交流电阻与频率关系图。在频率为1kHz时，电阻约为360mΩ；到了100kHz，电阻上升到775mΩ；在10MHz时电阻值接近160Ω。

NR4018T220M之交流电阻与频率关系图

4）饱和电流（ISAT）

        饱和电流ISAT一般是标注在电感值衰减如10%、30%或40%之情况下的偏置电流。以气隙铁氧体而言，因其饱和电流特性非常急遽，10%与40%相差不大。但如果是铁粉芯（如冲压式电感），饱和曲线比较缓和，如下图，电感衰减10%或40%的偏置电流相差很多，因此就饱和电流值，二种铁芯将分开探讨如下。

        对于一个气隙铁氧体，以ISAT作为电路应用最大的电感电流上限点是合理的。但如果是铁粉芯，因为缓饱和特性，即便应用电路最大电流超过ISAT也不会发生问题，因此这种铁芯特性最适合开关转换器的应用。在重载时，虽然电感器之电感值较低，如下图，造成电流涟波因子较高，但现今的电容电流耐受度高，因此并不会成为问题。在轻载时，电感器之电感值较大，有助于降低电感的涟波电流，进而降低铁损。图9比较了TDK之绕线式铁氧体SLF7055T1R5N及冲压式铁粉芯电感SPM6530T1R5M，在相同电感标称值下的饱和电流曲线。

绕线式铁氧体与冲压式铁粉芯在相同电感标称值下的饱和电流曲线

5）额定电流（IDC）

        IDC值为当电感温升为Tr˚C时的直流偏置。规格书同时标注其在20˚C的直流电阻值RDC。依铜导线的温度系数约为3,930 ppm，在Tr温升时，其电阻值为RDC_Tr = RDC（1+0.00393Tr），其功耗为PCU = I2DCxRDC。此铜损功耗在电感器表面散逸，可计算出电感的热阻ΘTH：

        表2为参考TDK VLS6045EX系列（6.0x6.0x4.5mm）的data sheet，并计算出在温升40˚C时之热阻。显然相同系列及尺寸的电感，因表面散热面积一样，其计算所得之热阻也相差无几；换句话说，可以估算不同电感的额定电流IDC。不同系列（封装）的电感，其热阻也不同。表3即比较了TDK VLS6045EX系列（semi-shielded）及SPM6530系列（molded）之电感的热阻。热阻愈大，表示此电感流过负载电流时所产生的温升较高；反之则较低。

表2、VLS6045EX系列电感在温升40˚C时之热阻

从表3可知，即使电感的尺寸相近，由于冲压式电感的热阻低，即散热较好。

表3、不同封装电感的热阻比较

6）铁芯损失（core loss）

        铁芯损失，简称铁损，主要由涡流损与磁滞损造成。涡流损大小主要是看铁芯材料是否容易导电；若导电率高，即电阻率低，涡流损就高，如铁氧体的电阻率高，其涡流损就相对的低。涡流损也与频率有关，频率愈高，涡流损愈大，因此铁芯材料会决定铁芯适当的工作频率。一般而言，铁粉芯的工作频率可到1MHz，而铁氧体的工作频率则可到10MHz。若工作频率超过此频率，则涡流损会快速增加，铁芯温度也会提高。然而，随着铁芯材料日新月异，更高工作频率的铁芯应是指日可待。

        另一个铁损是磁滞损，其与磁滞曲线所围之面积成正比，即与电流交流成份的摆动（swing）幅度有关；交流摆幅愈大，磁滞损也愈大。

        在电感器之等效电路中，常用一个并联于电感的电阻来表示铁损。当频率等于SRF时，电感抗和电容抗抵消，等效电抗为零，此时电感器之阻抗即等效于此铁损电阻串联绕线电阻，且铁损电阻已远大于绕线电阻，所以在SRF时的阻抗就约等于铁损电阻。以一低压电感为例，其铁损电阻约在20kΩ左右，若以电感两端的有效值电压5V来估算，其铁损约为1.25mW，这也说明了铁损电阻愈大愈好。

7）封装结构（shield structure）

        铁氧体电感的封装结构有非遮蔽式、加磁胶之半遮蔽式、与遮蔽式，而不论哪一种都存在相当的空气隙。显然此空气隙会有漏磁发生，且最坏的情况是会干扰周遭之小信号电路，或者，如果附近有导磁材料，其电感值也因此被改变。另一种封装结构为冲压式铁粉电感，由于电感内部没有间隙，且绕组结构扎实，因此磁场散逸问题较小。下图是利用RTO 1004示波器之FFT功能量测冲压式电感上方及侧边3mm处之漏磁场大小。表4列出不同封装结构电感的漏磁场大小比较，可看出非遮蔽式（non-shielded）电感之漏磁最严重；冲压式（molded）电感的漏磁最小，显示其磁遮蔽效果最好。这两种结构的电感之漏磁场大小相差约14dB，也就是将近5倍。

冲压式电感上方及侧边3mm处之所量测之漏磁场大小

表4、不同封装结构电感之漏磁场大小比较

8）分布电容

        分布电容是指线圈匝与匝之间形成的电容，即由空气、导线的绝缘层、骨架所形成的电容。这些电容的总和与电感线圈本身的电阻构成一个谐振电路，产生一定额率的谐振，降低电感线圈电感量的稳定性，使Q值降低，通常应减小分布电容。为减小电感线圈的分布电容，一般都采用了不同的统制方法，如采用间绕法、蜂房式绕法等。

9）耦合（coupling）

        在一些应用当中，有时PCB上会有多组直流转换器，通常会相邻排列，且其对应之电感器也会相邻排列的情况，如果使用非遮蔽式或加磁胶之半遮蔽式的电感器，可能会相互耦合，形成EMI干扰。

        因此，在放置电感时，建议先标注电感的极性，将电感最内层之起绕点接到转换器之切换电压，如降压转换器的VSW，即动点，而将电感之外层出线端接到输出电容，即静点；铜线绕阻也因此如同形成一定程度的电场遮蔽。在多路转换器的布线安排中，固定电感的极性，有助于固定互感的大小，避免一些意想不到的EMI问题。