1 LDO噪声和PSRR
低压差线性稳压器 (LDO) 为调节由较高电压输入产生的输出电压提供了一种简单方法。虽然操作简单,但其自生噪声在很多时候易与电源抑制比 (PSRR) 混淆。这两者在很多情况下统称为“噪声”,这是不恰当的。
- 噪声是由LDO 内部电路中晶体管和电阻器以及外部元件产生的。噪声类型有热噪声、闪烁噪声和散粒噪声,噪声详细介绍请参考芯片内部常见噪声类型-CSDN博客
- PSRR 可以衡量一个电路的电源抑制能力,表示为输出噪声与电源输入噪声比值。它可测量电路在各种频率下对输入电源注入纹波的抑制能力。
在 LDO 中,PSRR 是在宽频率范围内输出纹波与输入纹波之比,单位为分贝 (dB)。PSRR的基本公式为
下图说明了噪声和 PSRR 之间的差异。LDO 噪声包括内部噪声和外部噪声,而 PSRR 是 LDO 的一个内部参数。LDO 用户通常专注于 PSRR 而不是自生的输出噪声。PSRR 可抑制来自 LDO 外部的噪声,但 LDO 内部始终会产生噪声。因此,具有高 PSRR 的 LDO 可能不会很好地抑制内部噪声。误差放大器决定LDO的PSRR,因而也决定了其抑制输入端噪声的能力。
2 LDO内部噪声
噪声是晶体管和电阻器内产生的纯物理现象。晶体管会产生散粒噪声和闪烁噪声。MOSFET 的电阻元件(如电阻器)也会产生热噪声。热噪声和散粒噪声本质上是随机的,其功率在频谱上是平坦的。在放大器带宽范围内,功率都是平坦的。MOSFET 栅极上的电荷被捕获时,会产生闪烁噪声。散粒噪声符合泊松分布,而 1/f 噪声(闪烁噪声)的功率与频率成反比,即频率越低,噪声越高。1/f 噪声是系统的主要噪声来源,仅次于热噪声。
3 LDO外部噪声
外部噪声源远多于内部噪声源,包括以下几类:
- 耦合到敏感电路中的电磁场;
- 导致压电材料产生干扰交流电压的机械冲击或振动;
- 来自其他电路,通过电源或设计不佳的PCB布局布线传导或辐射到电路中的噪声。
3.1 电磁耦合
电磁场可以通过以下一种或多种方法在电路中感应噪声:辐射耦合、容性耦合、感性耦合和传导耦合。通过适当的PCB布局布线和屏蔽技术,可以降低此类耦合的影响。
3.2 压电效应
某些器件,如高容值多层陶瓷电容等,对机械冲击和振动敏感(即具有颤噪效应),这是因为其结构中使用了高介电常数材料。这些电介质具有高压电性,很容易将微小的机械振动转换为毫伏甚至微伏电平信号。因此,低电平信号链电路中不推荐使用高容值陶瓷电容。
虽然薄膜电容不具有压电性,但它也对振动敏感,这是因为薄膜电介质上的任何机械应力都会使薄膜厚度发生细微变化,导致电容略微增大或减小。电容中存储的能量是恒定的,因此电压必须略微改变以适应电容变化。
能量、电容和电压之间的关系可通过下式来描述:
机械应力消除后,电容上的电压回到其原始状态。如果机械应力是周期性的,则将产生一个小交流电压。
3.3 电源噪声
电源噪声和纹波(纹波和噪声是不同的概念)一般是LDO输出端仅次于内部噪声的最主要噪声源。根据噪声源的频谱成分,LDO可以大大改善下游电路的电源质量。
在许多系统中,来自交流电源或电池的电源由高效率开关模式电源转换为中间电压,以便在整个系统中分配。这些中间电压在使用点被转换为特定电压。
开关模式电源的噪声主要取决于其拓扑结构和负载状态。频谱成分可以是从数Hz到数十MHz。许多情况下,为了给敏感的模拟负载供电,需要通过LDO净化高噪声电源分配总线。LDO抑制输入源噪声的能力取决于其PSRR以及它如何随频率而变化。
4 LDO 噪声源
LDO的主要内部噪声源是内部基准电压和误差放大器。
现代LDO采用数十nA的内部偏置电流工作,以便实现15 μA或更低的静态电流。这种低偏置电流要求使用高达GΩ级的大值偏置电阻。
4.1 基准电压噪声
电阻的热噪声定义为Vn = √(4kTRB),可以看出,电阻对基准电压电路噪声的贡献可能相当大。幸运的是,LDO的基准电压不需要数Hz以上的带宽,可以利用片内无源滤波来轻松降低该噪声。
例如,一个源阻抗为0.1 GΩ的带隙基准电压源在10 Hz到100kHz范围内具有407 μV rms的噪声,将带宽限制在10 Hz,噪声可以降低至4.1 μV rms。如果将带宽降低至1.6 Hz,则基准电压源的噪声贡献降低至1.3 μV rms。利用一个1 GΩ电阻和一个100 pF电容可以构建一个转折频率为1.6 Hz的单极点RC滤波器。图3显示了如何在芯片中实现这样一个1.0 V超低噪声基准电压源。
4.2 误差放大器噪声
如果使用低噪声基准电压源,则误差放大器将成为总输出噪声的重要来源。基准电压源和误差放大器的噪声贡献不相关,必须通过均方根方法求和。图4所示为一个具有500 mV基准电压源的2.5 V输出LDO示例。基准电压源的噪声为1 μV rms,误差放大器的噪声为1.5μV rms,总噪声为9 μV rms,计算如下:
Vn = √((G × 1.5 µV rms) 2 +(G × 1.0 µV rms) 2 )
G = 1 + 400 kΩ /100 kΩ = 5
Vn = √(7.5 2 + 5 2 ) = 9 µV rms
5 LDO 数据表中的噪声规格
通常,数据表规定 LDO 噪声的方式有两种
- “总(积分)输出噪声,以 μVrms 为单位”,即在有限频率范围内积分频谱噪声密度 RMS 值;
- “频谱噪声密度曲线,以 μV/√Hz 为单位”,即噪声密度与频率的关系图。
注:比较不同 LDO 的噪声规格时,必须在相同的频率范围内以及相同的输出电压和电流值下测量两个稳压器的噪声。
6 哪种规格适合您的应用
假设在一个系统中 LDO 为 ADC 或 DAC 供电。任何采样系统由于混叠现象都会使高频噪声的频率降低。例如,如果采样频率为 100kHz,LDO 产生的噪声为 90kHz 和 110kHz、190kHz 和 210kHz 等,则所有噪声将折返至拍频 10kHz。任何频率的输出噪声都会出现这种情况,因此所有 LDO 噪声都会折返至采样系统的带宽范围内。这相当于对系统的直流噪声到带宽噪声进行积分,然后计算总噪声。LDO 的总(积分)噪声较高时,会影响 ADC/DAC 的性能。 下图显示了 LDO 噪声混叠是如何发生的,第一个图是由理想 LDO 供电的系统,第二个图是由具有热噪声的 LDO 供电的系统(热噪声使本底噪声增加),第三个图是由具有高频噪声的 LDO 供电的系统(因混叠现象使频率降低)。
由于系统会使所有噪声的频率降低,并对噪声进行积分,因此,用户在此应用中应使用总(积分)输出噪声。
7 如何降低 LDO 噪声
LDO 中的主要噪声源来自带隙基准源。可使用两种方法来降低 LDO 中的噪声。下面内容详细说明了这两种方法。
- 对基准电压进行滤波
- 降低误差放大器的噪声增益
方法1:降低 LDO 带宽,这可以通过降低 LDO 内部误差放大器的带宽来实现。但是,如果我们降低误差放大器的带宽,则会降低 LDO 瞬态响应速度。
方法2:使用低通滤波器 (LPF)。我们知道,LDO 噪声的最主要来源是内部的带隙基准源。因此,可在带隙输出和误差放大器输入之间插入一个 LPF,从而在误差放大器将带隙噪声放大之前将其降低。通常,该 LPF由一个内部大电阻器和一个外部电容器组成。此滤波器的截止频率设置得越低越好,从而滤除几乎所有的带隙噪声。
这里始终有一个问题:为什么占用大部分芯片面积的大功率导通元件(主要是 FET)不是主要噪声源?答案是没有增益。作为主要噪声源的带隙基准源连接至误差放大器的输入端,因此会被误差放大器的增益放大。我们知道,要研究输出噪声,首先要了解运算放大器输入的每个噪声影响因素;所以,要研究导通 FET 的噪声,需要先找到噪声的影响因素,即导通 FET 和误差放大器输入之间的开环增益。开环增益非常大,因此,导通 FET 的其他噪声影响因素通常可以忽略不计。
总之,LDO 噪声和 PSRR 都是选择 LDO 时需要考虑的重要规格。这里有两种 LDO 噪声的规定方式,用户应查找适合其应用的规格。
8 PSRR
8.1 PSRR与频率的关系
误差放大器提供直流增益以便调节输出电压。误差放大器的交流增益特性在很大程度上决定了LDO的PSRR。典型LDO在10 Hz时可能具有高达80 dB的PSRR,但在数十kHz时则可能降至仅20 dB。
8.2 PSRR与负载电流的关系
如“PSRR与频率的关系”部分所述,LDO的PSRR取决于误差放大器反馈环路的增益带宽,任何会影响此环路增益的因素都会影响LDO的PSRR。负载电流可以通过两种方式影响PSRR。
在低负载电流下(通常小于50 mA),调整元件的输出阻抗很高。由于控制环路的负反馈,LDO输出似乎是理想的电流源。输出电容和调整元件形成的极点导致输出阻抗出现在相对较低的频率,并且往往会提高低频时的PSRR。低电流时输出级的高直流增益往往也会提高误差放大器单位增益
点以下频率时的PSRR。
在重负载电流下,LDO输出不太像是一个理想电流源,调整元件的输出阻抗相对较低,导致输出级的增益降低。输出级增益的下降使得直流到反馈环路单位增益频率范围内的PSRR降低。图11显示直流增益随着负载电流的降低而显著下降。从200 mA到100 mA,ADP151的直流增益下降超过20 dB。
输出级带宽因为输出极点频率的提高而提高。在高频时,PSSR似乎应当随着环路带宽的提高而提高,但实际上,由于总环路增益的降低,高频PSRR可能没有提高。一般而言,轻负载时的PSRR优于重负载时的PSRR。
9 改善PSRR
在既定的负载电流下,LDO的PSRR可以通过多种方式加以改善:
- 让LDO在至少1 V的裕量下工作。某些LDO,如ADP151等,能够在低至500 mV的裕量下很好地工作;
- 使用最大负载电流额定值至少比预期负载大1.5倍的LDO;
- 在LDO的输入端或输出端增加外部滤波;
- 如果裕量足够,级联两个或更多LDO。
9.1 增加外部滤波以提高PSRR
增加外部滤波可以大大改善LDO电路的PSRR,但是,其代价是电路更复杂,并且裕量和效率会降低。根据应用不同,可以将额外滤波添加到LDO的输入端(前置滤波)或输出端(后置滤波)。
后置滤波常常用于LDO输出端存在显著低频噪声的场合,如ADP151等现代低噪声LDO不再需要后置滤波。后置滤波的缺点是滤波器电感的电阻会引起额外的负载调整误差。
当必须抑制高频噪声时,如开关转换器的输出电压纹波等,增加前置滤波更合适,而且它不会影响负载调整。图14显示一个LDO电路同时采用前置滤波和后置滤波,然而,通常情况下仅使用一个外部滤波器。
滤波器的主要元件是L F 和C F ,用于设置滤波器的转折频率。CD 和RD 消除LF 和CF 的谐振。CIN 和COUT 是用于LDO的典型输入和输出电容,但CIN 不是必需的。
例如,假设必须将一个开关转换器的1 MHz纹波降低至少30 dB,100 kHz至200 kHz的转折频率应当足够。根据方程式9,假设CF = 1 μF、LF = 1 μH,则f C = 160 kHz。根据方程式10,CD = 10 μF;根据方程式11,RD = 1 Ω。
9.2 级联多个LDO以提高PSRR
在裕量充足的应用中,级联多个LDO(如ADP151等)可以大大提高PSRR,同时保持ADP151的低输出噪声特性。图16显示两个级联LDO的原理图。旁路电容C IN 、C OUT 和C O 等于
ADP151数据手册的推荐值,即1 μF。