磁畴结构
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4.1 影响磁化状态的相关能量
一. 交换能
E
e
x
=
−
2
∑
i
<
j
A
i
j
(
S
i
⋅
S
j
)
=
−
2
A
S
2
∑
i
<
j
cos
ϕ
i
j
.
E_{ex}=-2\sum_{i<j}A_{ij}(S_i\cdot S_j)=-2AS^2\sum_{i<j}\cos\phi_{ij}.
Eex=−2i<j∑Aij(Si⋅Sj)=−2AS2i<j∑cosϕij.相邻磁矩不完全平行且夹角很小时,交换能的增加
Δ
E
e
x
≃
A
S
2
∑
i
<
j
ϕ
i
j
2
.
\Delta E_{ex}\simeq AS^2\sum_{i<j}\phi_{ij}^2.
ΔEex≃AS2i<j∑ϕij2.
我们感兴趣的是交换能对其基态的偏离,所以要寻求其他表达方式。
畴壁结构中,可近似认为自旋取向随格点连续变化。交换能增量密度 的一般表达式 F e x = E e x v a 3 = ξ A S 2 a [ ( ∇ α x ) 2 + ( ∇ α y ) 2 + ( ∇ α z ) 2 ] F_{ex}=\frac{E_{ex}}{va^3}=\frac{\xi AS^2}a\left[(\nabla \alpha_x)^2+(\nabla \alpha_y)^2+(\nabla \alpha_z)^2\right] Fex=va3Eex=aξAS2[(∇αx)2+(∇αy)2+(∇αz)2] α i \alpha_i αi是自旋取向在直角坐标系中的方向余弦, ξ \xi ξ的取值和晶体结构有关。
简立方 ξ = 1 \xi=1 ξ=1, 体心立方 ξ = 2 \xi=2 ξ=2, 面心立方 ξ = 4 \xi=4 ξ=4, 密堆立方 ξ = 2 2 \xi=2\sqrt2 ξ=22。
常用公式:
简立方晶格: S = 1 / 2 , A = 0.54 k B T . S=1/2,A=0.54k_BT. S=1/2,A=0.54kBT.
体心立方晶格: S = 1 / 2 , A = 0.34 k B T . S=1/2,A=0.34k_BT. S=1/2,A=0.34kBT.
体心立方晶格: S = 1 / 2 , A = 0.15 k B T . S=1/2,A=0.15k_BT. S=1/2,A=0.15kBT.
说明: A 1 A_1 A1表示交换能常数: A 1 = ξ J S 2 a A_1=\frac{\xi JS^2}a A1=aξJS2
二. 磁晶各向异性能
1. 什么是磁晶各向异性?
在实际晶状磁性材料中,自发磁化强度总是处于一个或几个特定方向,该方向称为易磁化轴。当施加外场后,磁化强度才能从易轴方向转出,此现象称为磁晶各向异性。
2. 磁晶各向异性能的表示
磁化过程中的磁化功
W
=
∫
0
M
δ
A
m
=
∫
0
M
μ
0
H
⃗
⋅
d
M
⃗
.
W=\int_0^M\delta A_m=\int_0^M\mu_0\vec H\cdot d\vec M.
W=∫0MδAm=∫0Mμ0H⋅dM.
这部分与磁化方向有关的自由能为磁晶各向异性能。易磁化方向磁晶各向异性能最小,难磁化方向最大。
A. 立方晶系的磁晶各向异性能
F k = K 0 + K 1 ( α 1 2 α 2 2 + α 2 2 α 3 2 + α 3 2 α 1 2 ) + K 2 α 1 2 α 2 2 α 3 2 . F_k=K_0+K_1(\alpha_1^2\alpha_2^2+\alpha_2^2\alpha_3^2+\alpha_3^2\alpha_1^2)+K_2\alpha_1^2\alpha_2^2\alpha_3^2. Fk=K0+K1(α12α22+α22α32+α32α12)+K2α12α22α32.
B. 六角晶系的磁晶各向异性能
F k = K 0 + K 1 sin 2 θ + K 2 sin 4 θ + K 3 ′ sin 6 θ + K 3 sin 6 θ cos 6 ϕ F_k=K_0+K_1\sin^2\theta+K_2\sin^4\theta+K_3'\sin^6\theta+K_3\sin^6\theta\cos6\phi Fk=K0+K1sin2θ+K2sin4θ+K3′sin6θ+K3sin6θcos6ϕ F k = K u 1 sin 2 θ + K u 2 sin 2 θ . F_k=K_{u1}\sin^2\theta+K_{u2}\sin^2\theta. Fk=Ku1sin2θ+Ku2sin2θ.
3. 磁晶各向异性等效场: H k H_k Hk
等效磁场 H k = [ 1 μ 0 M S sin θ ( ∂ F K ∂ θ ) ] θ → 0 . H_k=\left[\frac1{\mu_0M_S\sin\theta}\left(\frac{\partial F_K}{\partial\theta}\right)\right]_ {\theta\rightarrow0}. Hk=[μ0MSsinθ1(∂θ∂FK)]θ→0.
六角晶系情况
F k = K u 1 sin 2 θ + K u 2 sin 4 θ . F_k=K_{u1}\sin^2\theta+K_{u2}\sin^4\theta. Fk=Ku1sin2θ+Ku2sin4θ.
a. c轴为易磁化轴时
H k = 2 K u 1 μ 0 M s H_k=\frac{2K_{u1}}{\mu_0M_s} Hk=μ0Ms2Ku1
b. c面为易磁化面时
H k = − 2 ( K u 1 + 2 K u 2 ) μ 0 M s H_k=\frac{-2(K_{u1}+2K_{u2})}{\mu_0M_s} Hk=μ0Ms−2(Ku1+2Ku2)
c. 易磁化为锥面时
H k = ( 2 K u 1 / K u 2 ) ( K u 1 + 2 K u 2 ) μ 0 M s H_k=\frac{(2K_{u1}/K_{u2})(K_{u1}+2K_{u2})}{\mu_0M_s} Hk=μ0Ms(2Ku1/Ku2)(Ku1+2Ku2)
立方晶系情况
F k ≃ K 1 ( α 1 2 α 2 2 + α 2 2 α 3 2 + α 3 2 α 1 2 ) + . . . F_k\simeq K_1(\alpha_1^2\alpha_2^2+\alpha_2^2\alpha_3^2+\alpha_3^2\alpha_1^2)+... Fk≃K1(α12α22+α22α32+α32α12)+...其中 { α 1 = sin θ cos ϕ α 2 = sin θ sin ϕ α 3 = cos θ \begin{cases}\alpha_1=\sin\theta\cos\phi\\\alpha_2=\sin\theta\sin\phi\\\alpha_3=\cos\theta\end{cases} ⎩ ⎨ ⎧α1=sinθcosϕα2=sinθsinϕα3=cosθ F k = K 1 ( sin 4 θ cos 2 ϕ sin 2 ϕ + sin 2 θ cos 2 θ ) . F_k=K_1(\sin^4\theta\cos^2\phi\sin^2\phi+\sin^2\theta\cos^2\theta). Fk=K1(sin4θcos2ϕsin2ϕ+sin2θcos2θ).
a. <100>易轴
H k = − 2 K 1 μ 0 M s H_k=-\frac{2K_1}{\mu_0M_s} Hk=−μ0Ms2K1
b. <110>易轴
H k = K 1 + K 2 / 2 μ 0 M s H_k=\frac{K_1+K_2/2}{\mu_0M_s} Hk=μ0MsK1+K2/2
c. <111>易轴
H
k
=
−
4
3
K
1
+
K
2
/
3
μ
0
M
s
H_k=-\frac43\frac{K_1+K_2/3}{\mu_0M_s}
Hk=−34μ0MsK1+K2/3
磁晶各向异性场仅是一种等效场。
4. 磁晶各向异性常数的测量方法
5. 磁晶各向异性的机理
6. 磁晶各向异性常数的温度依赖性
三. 与磁致伸缩现象相关的磁弹性能和应力能
四. 退磁场能
五. 其它磁各向异性能
1. 磁场退火效应
2. 形状各向异性
3. 交换各向异性
4. 光感生磁各向异性
5. 轧制磁各向异性
4.2 畴壁结构和畴壁能
畴壁的性质往往影响着磁畴的结构。
一. 畴壁及畴壁分类
两个相邻磁畴之间原子层的自旋取向由于交换作用的缘故,不可能发生突变,而是逐渐的变化,从而形成一个有一定厚度的过渡层,称为畴壁。
二. Bloch壁的结构和畴壁能
大块晶体中,当磁化矢量从一个磁畴内的方向过渡到相邻磁畴内的方向时,转动的仅仅是平行于畴壁的分量,垂直于畴壁的分量保持不变,这样就避免了在畴壁的两侧产生磁荷,防止了退磁能的产生。这种结构的畴壁称作Bloch壁。
18 0 ∘ 180^\circ 180∘畴壁厚度和畴壁能估算
畴壁厚度 δ = N a \delta=Na δ=Na,畴壁能密度 γ = γ e x + γ k \gamma=\gamma_{ex}+\gamma_k γ=γex+γk。计算得到结果 δ = N a = S π A K 1 a \delta=Na=S\pi\sqrt{\frac A{K_1a}} δ=Na=SπK1aA γ = 2 π S K 1 a a \gamma=2\pi S\sqrt{\frac{K_1a}a} γ=2πSaK1a
三. Neel壁的结构和畴壁能
四. 十字壁
五. 畴壁的动态性质
4.3 磁畴结构
一. 影响磁畴结构主要因素的定性考虑
大块材料产生磁畴的首要原因是多畴有利于降低退磁能,但多畴又带来了畴壁能,所以稳定的多畴结构决定于体内畴壁能与表面退磁场能的平衡,相应的自由能极小。
二. 具有单轴各向异性晶体的磁畴
自发磁化区域(磁畴)的形成不可能是无限多的,而是以畴壁能与退磁场能之和的极小值为平衡条件。
片状磁畴能量的计算
片状畴宽度为d,该晶体样品表面单位面积下方柱体的总能量为: E ≈ 2 × 0.85 × 1 0 − 7 M S 2 d + γ L d . E\approx2\times0.85\times10^{-7}M_S^2d+\gamma\frac Ld. E≈2×0.85×10−7MS2d+γdL.平衡数值 d = 1 0 4 M S γ L 17 d=\frac{10^4}{M_S}\sqrt{\frac{\gamma L}{17}} d=MS10417γL片状磁畴单位体积的总能量 F = E L = 2 M S × 1 0 − 4 17 γ L F=\frac EL=2M_S\times10^{-4}\sqrt{\frac{17\gamma}L} F=LE=2MS×10−4L17γ
封闭畴形式能量的计算
总能量
E
=
E
γ
+
E
k
=
γ
L
d
+
K
1
d
2
.
E=E_\gamma+E_k=\gamma\frac Ld+\frac{K_1d}{2}.
E=Eγ+Ek=γdL+2K1d.平衡值
d
=
2
γ
L
K
1
d=\sqrt{\frac{2\gamma L}{K_1}}
d=K12γL样品表面单位面积下的能量
E
=
2
γ
L
K
1
E=\sqrt{2\gamma LK_1}
E=2γLK1单位体积总能量
F
=
E
L
=
2
γ
K
1
L
F=\frac EL=\sqrt{\frac{2\gamma K_1}L}
F=LE=L2γK1
相比封闭磁畴结构而言片状磁畴是单轴各向异性材料较恰当的选择。
三. 立方晶系材料的磁畴
四. 表面磁畴
五. 不均匀物质中的磁畴
六. 单畴颗粒
铁磁颗粒小到某一尺寸,它形成畴壁后的畴壁能大于颗粒的退磁能时,铁磁颗粒将保持为单畴结构。
球形铁磁颗粒的退磁能 E d = 1 2 μ 0 N M s 2 ⋅ 4 3 π R 3 = 2 9 μ 0 π R 3 M s 2 . ( N = 1 3 ) E_d=\frac12\mu_0NM_s^2\cdot\frac43\pi R^3=\frac29\mu_0\pi R^3M_s^2.\qquad(N=\frac13) Ed=21μ0NMs2⋅34πR3=92μ0πR3Ms2.(N=31)颗粒分为4个畴时,畴壁能 E γ = 2 π R 2 γ E_\gamma=2\pi R^2\gamma Eγ=2πR2γ能量优势条件: E d < E γ E_d<E_\gamma Ed<Eγ 2 9 μ 0 π R c 3 M s 2 = 2 π R c 2 γ . \frac29\mu_0\pi R_c^3M_s^2=2\pi R_c^2\gamma. 92μ0πRc3Ms2=2πRc2γ.立方晶系 材料临界半径 R c = 9 μ 0 γ 90 M s 2 R_c=\frac9{\mu_0}\frac{\gamma_{90}}{M_s^2} Rc=μ09Ms2γ90单轴各向异性 只能分为2个畴时的临界半径 2 9 π μ 0 M S 2 R 3 = π R 2 γ 180 + 1 9 π μ 0 M s 2 R 3 , \frac29\pi\mu_0M_S^2R^3=\pi R^2\gamma_{180}+\frac19\pi\mu_0M_s^2R^3, 92πμ0MS2R3=πR2γ180+91πμ0Ms2R3, R C = 9 γ 180 μ 0 M S 2 . R_C=\frac{9\gamma_{180}}{\mu_0M_S^2}. RC=μ0MS29γ180.
半径数量级是几十纳米。
七. 磁泡
八. 反铁磁畴
4.4 磁畴的覌察
习题四
- 试证明磁晶单轴各向异性等效场: H k = 2 K u 1 μ 0 M s , H_k=\frac{2K_{u1}}{\mu_0M_s}, Hk=μ0Ms2Ku1,并估算出金属Co的磁晶各向异性等效场的数值。
- 试推出金属铁Fe(bcc) 18 0 ∘ 180^\circ 180∘壁的畴壁厚度和单位面积畴壁能的近似表达式并估算其数值大小。
- 试推出具有单轴各向异性的大块金属钴单晶形成稳定片形畴后的尺寸,并估计出数值(设:单晶沿易磁向长1cm)。
- 在只考虑磁晶各向异性情形,试推出金属铁单畴粒子临界尺寸的表达式,并估计出数值。