【MoS2】原位扫描探针显微镜评估单层MoS2 FET中的缺陷

【Direct Assessment of Defective Regions in Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors through In Situ Scanning Probe Microscopy Measurements】

概括：

本研究通过原位扫描探针显微镜技术，直接评估了单层MoS2场效应晶体管中的缺陷区域。研究团队采用了Kelvin探针力显微镜(KPFM)和扫描电容显微镜(SCM)技术，以直接识别活性缺陷位点，并提高对晶界、双层岛和缺陷晶粒域对通道电导贡献的理解。

研究背景：

随着半导体技术的不断进步，二维材料因其独特的电子性质和潜在的应用前景而受到广泛关注。MoS2作为一种典型的过渡金属二硫化物(TMDs)，被认为是高性能逻辑应用的有前途候选材料。然而，MoS2场效应晶体管(FETs)的性能受到电活性缺陷的严重影响，这些缺陷包括晶界和点缺陷等，它们严重抑制了这些器件达到最高性能。

研究目的：

本研究旨在通过直接探测FET通道中的栅极调制效应，建立与器件特性的直接相关性，从而深入理解电活性缺陷对MoS2 FET性能的影响。

实验方法：

研究团队使用了KPFM和SCM两种扫描探针显微镜技术，对单层MoS2 FET进行了原位测量。KPFM用于测量局部接触电势差(CPD)或表面电势，而SCM用于提取量子电容和局部态密度。实验在不同的栅极电压(VGS)下进行，以研究通道中的电荷分布。

研究结果：

实验结果显示，通过KPFM和SCM技术，研究团队成功地在MoS2 FET通道中直接识别出了活性缺陷区域。他们发现，晶界和双层岛的存在对通道电导有显著影响，特别是在VGS变化时，这些区域的CPD和dC/dV值表现出明显的变化。

结果解释：

研究结果表明，电活性缺陷对MoS2 FET的性能有显著影响。特别是在VGS变化时，缺陷区域的电荷分布和电势变化与非缺陷区域有显著不同。这些发现有助于理解缺陷对器件性能的具体影响机制。

研究的创新点和亮点：

本研究的创新之处在于首次将KPFM和SCM技术应用于MoS2 FET的原位测量，直接评估了缺陷区域。此外，通过结合数值模拟和实验数据，研究团队能够定量地分析缺陷密度和类型，为提高MoS2 FET性能提供了新的视角。

研究的意义和应用前景：

这项研究对于理解和改善二维材料基场效应晶体管的性能具有重要意义。通过揭示电活性缺陷对器件性能的影响，可以指导未来的器件设计和制造过程，减少缺陷，提高器件的性能和可靠性。此外，这些发现对于推动二维材料在高性能电子器件中的应用具有潜在的推动作用。

• 图1展示了单层MoS2 FET的典型转移特性（红色曲线）和栅极漏电流（黑色曲线）。这些曲线显示了良好的调制效果，具有高ION-IOFF比率和低漏电流，表明了器件的基本电气性能。

• 图2a和2b分别展示了FET的一部分在VGS=0V时的形貌和接触电势差（CPD）图。这些图像揭示了源电极的陡峭步骤和MoS2通道中的形态特征，包括单层、双层岛和PMMA残留物。

• 图2c显示了在不同尖端半径下，FM-KPFM模式中CPD的空间分辨率与尖端-样品距离的关系。这有助于理解在不同条件下测量的准确性和分辨率限制。

• 图2d和2e通过扫描隧道显微镜（STM）展示了合成MoS2在蓝宝石上的生长情况，包括小晶粒被晶界包围的情况和BL岛边缘的高度剖面。这些图像突出了晶界和点缺陷的存在。

• 图3a和3b分别展示了MoS2 FET通道靠近电极边缘处的CPD剖面和通道主体部分的平均CPD与VGS的关系。这些结果揭示了在不同VGS下，通道中电荷分布的变化。

• 图3c展示了正VGS下ΔCPD剖面，这些是通过将非零VGS下的CPD与0V时的CPD进行比较得到的。这提供了有关通道电荷调制和能带弯曲的重要信息。

• 图4a和4b通过与实验转移特性的比较，展示了不同Dit分布下计算得到的载流子密度和VGS下计算得到的导带最小值（CBM）与实验测得的-eCPD值。这些比较有助于理解实验数据和理论模拟之间的一致性。

• 图5a至5i展示了在不同VGS下，通道的形貌和SCM图。这些图像显示了随着VGS变得更加正向，MoS2通道中的信号强度和对比度变得更加明显。

• 图6a和6b展示了实验测得的|dC/dV|（VGS）与理论计算值的比较，揭示了通道载流子密度和Dit对SCM信号的影响。

• 图7a和7b展示了不同VGS下，不同位置的相对CPD（rel. CPD）与VGS的关系，以及VGS=0V时的CPD图。这些结果揭示了缺陷区域和晶界对电荷调制的影响。

• 图8展示了在不同VGS下，对岛2进行的连续CPD测量，以及相关的CPD剖面。这些数据提供了有关晶界边缘电势变化的详细信息。

• 图9展示了在VGS=40V时通道的大范围形貌和|dC/dV|图。这些图像揭示了晶界、缺陷岛和缺陷晶粒域的分布情况。

• 图10展示了在不同电流注入条件下的形貌和CPD图，以及零偏置条件下的CPD图。这些图像有助于理解在非零VDS条件下，缺陷对电流传输的影响。

• 图11和图12展示了在不同偏置条件下，沿晶界和缺陷区域的CPD剖面和CPD波动与VDS的关系。这些结果揭示了在电流传输过程中，缺陷如何影响局部电势的变化。

• 图13展示了通过DF-TEM获得的单层MoS2的互补DF-TEM图像、选区衍射图案和通过DF-TEM图像计算得到的极性图。这些图像有助于识别和理解60°孪晶在MoS2层中的分布。