matlab无缝拼接两个图_Adv. Sci.：在MoS2边缘实现无缝拼接的金属性SnxMo1xS2，在微反应器中增强光电催化性能...

来源：低维昂维← 关注TA

   文章信息   

第一作者：邵功磊，鲁艺珍，洪金华 通讯作者：潘安练*，林永昌*，曹阳*，刘松*

单位：湖南大学，厦门大学，日本先进工业科学技术研究所

   研究背景   

能源的严重消耗导致全球环境污染和温室效应加剧，利用太阳能进行可持续水分解产氢有望彻底解决能源和环境问题。纳米结构半导体通常被用作光电催化剂，但其稳定性和总能量转换效率仍远非理想情况。同时，光电催化剂应具备宽太阳光吸收范围、快速电荷输运、高密度活性位点、合适带隙和能级、大比表面积以及低成本和环境友好等特点。 2D过渡金属硫化物(TMDs)材料具有大表面积的超薄结构，提供了较大的电荷迁移率，较宽的光吸收范围，可调的电子结构和高机械柔韧性。构建异质结已被证明是精确调制电子性能的有效策略，可以显著提高其分解水的光电催化性能。2D半导体MoS ₂是一种合适的候选材料，具有匹配的带隙用于太阳能吸收。高透光性的MoS ₂具有出色的电子特性，表现出高载流子迁移率和可调的载流子行为。但光腐蚀，稳定性差和光子转换效率低，极大地限制了其潜在的应用。这归于光生电子-空穴分离效率和传输效率低，在半导体和电极之间的界面处存在较高的电子传输势垒。因此，优化界面结构以实现快速的电子-空穴分离，减少光生电子-空穴的复合以及延长电子或空穴的寿命对于提高光电催化性能具有重要意义。外延金属-半导体(M-S)异质结被认为是高性能和低能耗的超结构。在面内M-S异质结中，金属2D材料控制着内部电子输运，而共价连接取代了传统的物理电极接触，可以显著改善电荷注入，从而提高电学性能。共价键合有利于降低了肖特基势垒高度，通过消除费米能级钉扎效应实现了欧姆特性。此外，金属材料的无缝拼接作为接触电极可以改变电荷转移动力学，并促进电子在电极界面上的快速输运。因此，迫切需要通过共价键结合，原位生长无缝拼接的2D外延M-S横向异质结，以有效降低接触电阻并提高界面处的载流子迁移率，从而促进光电催化系统中光生电子-空穴的分离。

   成果介绍   

有鉴于此，近日， 湖南大学刘松教授，厦门大学曹阳教授，日本先进工业科学技术研究所林永昌教授以及湖南大学潘安练教授(共同通讯作者)等合作报道了利用异质杂原子Sn进行掺杂工程，一锅法CVD制备单层Sn _x Mo _1-x S ₂