【氮化镓】高电容密度的p-GaN栅电容在高频功率集成中的应用

这篇文章是香港科技大学Kevin J. Chen等人与台积电M.-H. Kwan等人关于高电容密度的p-GaN栅电容在高频功率集成中的应用研究。

文章详细介绍了p-GaN栅电容的设计、特性和在高频功率集成中的应用。通过实验数据和理论分析，文章展示了p-GaN栅电容在实现高电容密度、低ESR和高Q因子方面的潜力。此外，文章还讨论了不同布局设计对电容器性能的影响，特别是多指交错布局在提高高频性能方面的显著优势。这项研究对于GaN功率集成电路的设计具有重要的指导意义，有助于推动GaN技术在高频功率应用中的进一步发展。

I. 引言 (Introduction)

• 背景介绍：文章开头提到了GaN-on-Si HEMTs的优势，并指出为了实现增强模式（E-mode）操作，可以在栅极电极和AlGaN/GaN异质结构之间形成p型GaN层。
• 问题陈述：讨论了p型栅极由于栅极驱动回路中的寄生电感而容易受到过电压应力的问题，尤其是在GaN功率器件进行高速开关操作时。
• 研究动机：提出了GaN功率集成的概念，以适应高电压功率开关和周边驱动/控制模块，并通过集成的栅极驱动器