【氮化镓】p-GaN AlGaN/GaN HEMTs 栅极击穿机制

2021 年，南方科技大学的 Guangnan Zhou 等人基于多栅扫描测量法，深入研究了 p-GaN 栅极 AlGaN/GaN HEMTs 的栅极击穿（BD）机制。首先，他们详细介绍了 GaN 材料因其高临界电场和高饱和速度等优异物理特性，在功率开关应用领域具有巨大潜力，特别是在低电压应用中，横向高电子迁移率晶体管（HEMTs）展现出成熟且优越的性能。然而，p-GaN 栅极 HEMTs 由于其相对较低的栅极击穿电压（通常为 10-12 V），限制了最大栅极工作电压，对栅极驱动器设计造成显著约束，因此提升栅极击穿电压成为该领域亟待解决的关键挑战。但目前对于 p-GaN 栅极 HEMTs 的栅极击穿机制尚存争议，部分研究认为击穿源于 p-GaN/AlGaN/GaN PiN 结或 AlGaN 屏障层的击穿，而另一些研究则归因于 p-GaN/金属界面处渗流路径的形成，进而促使了本研究的开展。

一、引言部分

这篇 2021 年发表于《I