【可靠性】高κ-SrTiO3 MoS2 FET的稳定性和可靠性

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2025年，维也纳工业大学的Seyed Mehdi Sattari-Esfahlan和Tibor Grasser等人基于实验研究，深入探究了单晶SrTiO3（STO）基MoS2场效应晶体管（FETs）的性能、稳定性和可靠性。

研究团队通过脉冲激光沉积（PLD）方法制备了STO薄膜，并将其与MoS2薄片集成，构建了背栅FET器件。实验结果表明，STO作为栅介质展现出诸多优异特性。

首先，STO具有超高介电常数（约300），能够有效降低漏电流，使器件在等效氧化物厚度（EOT）约为4.8 nm时，漏电流密度低至约10−4 A cm−2，这得益于其晶体结构对陷阱辅助隧穿的最小化作用。

其次，在电学稳定性方面，MoS2/STO FETs表现出良好的性能。在298 K下，扫描速率为0.1 V s−1时，ID−VG特性几乎无迟滞，迟滞宽度小于3 mV；即使在环境条件下存储一天，阈值电压也仅向正偏移，迟滞宽度有所增加，但器件功能依然稳定，且在八个月的存储时间内，阈值电压偏移不显著，证明了其长期可靠性。温度特性研究发现，随着温度降低，漏极电流减少，400 K至76 K时饱和电流降低近两个数量级，而栅漏电流在400 K时虽增加约两个数量级，但仍低于1 mA μm−1。

迟滞分析揭示了逆时针迟滞现象，归因于STO生长过程中氧空位的扩散，且在环境条件下迟滞宽度随吸附/扩散的氧和水分子浓度变化而增加。

BTI研究显示，器件在正负应力偏置下均表现出异常的阈值电压偏移，这可能与STO中移动氧空位有关，且在不同温度下，BTI退化行为各异，但器件在应力后仍具有一定的恢复能力。

该研究的结果对二维纳米电子学的发展具有重要指导意义，STO作为栅介质的优异性能使其成为未来高性能、高可靠二维FETs的有力候选，有望克服当前二维纳米电子器件在稳定性和可靠性方面的关键障碍，推动该领域向更先进、更实用的方向迈进。

摘要

本研究聚焦于单晶SrTiO3（STO）作为高k绝缘体在二维场效应晶体管（FETs）中的应用。STO具有超高介电常数和预期的低界面陷阱密度，有望提高FETs的击穿强度和可靠性。研究中，作者对MoS2 FETs的性能、稳定性和可靠性进行了详细研究，特别是在不同电场强度和扫描速率下观察到较小的迟滞现象。此外，还发现迟滞动力学在长时间内具有可重复性，BTI行为异常，这可能与氧空位的扩散有关。这些发现表明STO作为栅介质在二维纳米电子学中具有很大的应用潜力。