主流的工艺技术是互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。其他技术还包括双极性、双极CMOS(biCMOS)、绝缘体上硅(SOI)和砷化镓(GaAs)。
在CMOS技术中,"互补对称"指的是CMOS电路使用对称的p型和n型MOSFET晶体管进行逻辑功能的实现。最初,"金属氧化物半导体"这一术语指的是放置在氧化物绝缘体上的金属栅电极。然而,在当今的CMOS工艺中,栅电极使用的是另一种材料——多晶硅,而非金属。不过,CMOS这一名称仍用于这种技术的现代版本。如今,从经济角度来看,绝大多数制造的集成电路是CMOS电路。这是由于CMOS器件具有三大特性:高噪声抗扰度、低静态功耗和高密度。
CMOS工艺在过去几年中不断进步,特征尺寸越来越小,使得一个芯片中能够容纳更多的电路,这与摩尔定律的描述一致。摩尔定律是由英特尔公司联合创始人戈登·摩尔于1965年提出的一项经验性观察,他指出集成电路中用于实现最低元件成本的晶体管数量大约每24个月翻一番。虽然摩尔定律最初是作为一种观察和预测提出的,但它逐渐成为整个半导体行业的目标。在过去的几十年中,它推动了半导体制造商