（STM32）W25Q64存储模块

 1bit表示一个二进制位，1Byte表示8个二进制位。

每一个字节需要一个地址，所以24位地址，2^24次方最大寻址范围是16M。

W25Q256是特殊型号，切换4字节寻址模式才能使用后面的16M空间。

HOLD：芯片正常读写数据时，突然产生中断，然后想用SPI通信线去操控其他器件，这时如果把CS置回高电平，那时序就终止了，但如果你又不想终止总线，又想操作其他器件，这就可以HOLD引脚置低电平，这样芯片就HOLD住了。芯片释放总线，但是芯片时序也不会终止，它会记住当前的状态，当你操作完其他器件时，可以回过来，HOLD置回高电平，然后继续HOLD之前的时序，相当于SPI总线进了一次中断，并且在中断里，还可以用SPI干别的事情

 IO标识和双重SPI、四重SPI模式有关。双重IO12同时并行作为数据线收发，四重IO1234同时并行作为数据线收发。

右上角这一大块，描述的是存储器的规划示意图 

为了方便管理，储存区分为若干块 Block  ， 其中每个块再划分成若干扇区 Sector

整个空间内部又划分为很多页 Page ，。

高电压生成器：掉电不丢失存储器，一般内部都有一个高压源，让内部存储器产生即便断电也不会消失的状态。

发送的三个字节地址，前两个字节会进入页地址锁存器，通过页保护、行解码来选择需要操作哪一页。最后一个字节会进入字节地址锁存器。，通过列解码和256字节页缓存，来进行指定字节的读写操作。

SPI控制逻辑相当于整个芯片的管理员，执行指令、读写数据都靠它。

状态寄存器：它和忙状态、写使能、写保护等功能有关

因为这个地址锁存都有一个计数器，所以进行读或者写操作之后，地址指针自动加1。

 256字节的页缓存区。写入数据先放入页缓存区，然后在时序结束后，芯片再将缓存区的数据复制到对应的Flash里面进行永久保存 。但是有一个限制，写入的时序，连续写入的数据量不能超过256字节。写完之后缓存区再转移到Flash内。

 往缓存区写入数据时序结束后，芯片会进入一段忙的状态，会给状态寄存器BUSY置位。此时芯片不响应新的读写时序。

（非常重要） Flash存储器读写特性和要求：

 擦除有专门的擦除电路执行，只需要发送指令即可。

Flash中 0xFF代表空白   而不是0x00

最小擦除单元，不是字节，是按照存储器的划分，最小是扇区。

连续写字节不能跨越页边沿，否则会出现地址错乱，连续读字节可以跨页，不会返回当前页头。

发出擦除指令，芯片也会进入忙状态，此时写入也是无效的，需要获取状态寄存器BUSY标志位置0后才可以继续操作。

写使能：任何写入操作前都需要写使能，进行写入操作后，不需要再写失能，硬件会自动失能。一个写使能只能保证后续一条写指令可以执行。