光增益中的参数详解：响应率，量子效率

  光响应$R=I/P_{in}=\frac{\frac{P_{in}}{h\nu}\eta e}{P_{in}}=\frac{e}{h\nu }\eta$。对于光子型探测器，光响应是一个与光波长相关的量。

  对于场效应管器件，光响应可能与沟道长度有关：$R\propto\tau_{lifetime}/\tau_{transit}$，其中$\tau_{transit}=\frac{l^2}{\mu V_{ds}}$ $^1$

  用电流响应度（A/W）或是用电压响应度(V/W)来衡量探测器？文章中没有同一解释。目前我采取的策略是，当测试时，给定恒压，测电流，电流会随光照变化，用电流。比如石墨烯量子点混合器件，沟道电阻很小（～1k）。给定1V电压，暗电流1mA，光电流1uA；如果偏置换位电流，给定恒流1mA，暗电压1V，光电压1mV。源表擅长测电流，电流档位很多。要求仪器去检测电压不是一个明智的选择，所以这种情况下，多采用电流响应率。

  找一些例子，编成列表：

material	Spectrum	R	measurement conditions	channel length	Ref
8nm BP	400-900(nm)	$4.3\times10^{6}-5.6\times10^{4}$	$\lambda=633nm,P_{in}=0.5mW/cm^{2}$	100nm,1um	1

参考文献：
 
1.Broadband Black-Phosphorus Photodetectors with High Responsivity[Supporting Information]. M.Huang ,et al. 2016. Advanced Material