2.3 放大电路的分析方法

一、直流通路与交流通路

通常在放大电路中，直流电源的作用和交流信号的作用是共存的，即静态电流、电压和动态电流、电压总是共存的。但是由于电容、电感等电抗元件的存在，直流量所流经的通路与交流信号所流经的通路不完全相同。因此，为了研究问题方便起见，常把直流电源对电路的作用和输入信号对电路的作用区分开来，分成直流通路和交流通路。
直流通路是在直流电源作用下直流电流流经的通路，也就是静态电流流经的通路，用于研究静态工作点。对于直流通路，①电容视为开路；②电感线圈视为短路（即忽略线圈电阻）；③信号源视为短路，但应保留其内阻。
交流通路是输入信号作用下交流信号流经的通路，用于研究动态参数。对于交流通路，①容量大的电容（如耦合电容）视为短路，②无内阻的直流电源（如$+V_{CC}$）视为短路。
根据上述原则，图2.2.1所示基本共射放大电路的直流通路如图2.3.1(a)所示。图中，基极电源$V_{BB}$和集电极电源$V_{CC}$的负极均接地。为了得到交流通路，应将直流电源$V_{BB}$和$V_{CC}$均短路，因而集电极电阻$R_c$并联在晶体管的集电极和发射极之间，如图2.3.1(b)所示。在图2.3.2(a)所示的直接耦合共射放大电路中，$R_s$为信号源内阻，因此其直流通路如图(b)所示。从直流通路可以看出，直接耦合放大电路的静态工作点既与信号源内阻$R_s$有关，又与负载电阻$R_L$有关。由于直流电源$V_{CC}$对交流信号短路，所以，在交流通路中，$R_{b2}$并联在晶体管的基极与发射极之间，而集电极电阻$R_c$和负载电阻$R_L$均并联在晶体管的集电极与发射极之间，如图2.3.2($c$)所示。
在图2.2.5(a)所示阻容耦合放大电路中，信号源内阻为0。对于直流量，$C_1$、$C_2$开路，所以直流通路如图2.3.3(a)所示。对于交流信号，$C_1$、$C_2$相当于短路，直流电源$V_{CC}$短路，因而输入电压$\dot{U_i}$加在晶体管基极与发射极之间，基极电阻$R_b$并联在输入端；集电极电阻$R_c$与负载电阻$R_L$并联在集电极与发射极之间，即并联在输出端。因此，交流通路如图2.3.3(b)所示。从直流通路可以看出，由于$C_1$、$C_2$的“隔直”作用，静态工作点与信号源内阻和负载电阻无关。在分析放大电路时，应遵循“先静态、后动态”的原则，求解静态工作点时应利用直流通路，求解动态参数时应利用交流通路，两种通路不可混淆。静态工作点合适，动态分析才有意义。

二、图解法

在实际测出放大管的输入特性、输出特性和已知放大电路中其它各元件参数的情况下，利用作图的方法对放大电路进行分析即为图解法。

1、静态工作点的分析

将图2.2.1所示电路变换成图2.3.4所示电路，用虚线将晶体管与外电路分开，两条虚线之间为晶体管，虚线之外是电路的其它元件。
在输入信号$\Delta u_I=0$时，在晶体管的输入回路中，静态工作点既应在晶体管的输入特性曲线上，又应满足外电路的回路方程：$$u_{BE}=V_{BB}-i_B{R}_b(\mathrm{2.3.1})$$在输入特性坐标系中，画出式(2.3.1)所确定的直线，它与横轴的交点为$(V_{BB},0)$，与纵轴的交点为$(0,V_{BB}/R_b)$，斜率为$-1/R_b$。直线与曲线的交点就是静态工作点$Q$，其横坐标为$U_{BEQ}$，纵坐标为$I_{BQ}$，如图2.3.5(a)中所标注。式(2.3.1)所确定的直线称为输入回路负载线。与输入回路相似，在晶体管的输出回路中，静态工作点既应在$I_B=I_{BQ}$的那条输出特性曲线上，又应满足外电路的回路方程：$$u_{CE}=V_{CC}-i_C{R}_c(\mathrm{2.3.2})$$在输出特性坐标系中，画出式(2.3.2)所确定的直线，它与横轴的交点为$(V_{CC},0)$，与纵轴的交点为$(0,V_{CC}/R_c)$，斜率为$-1/R_c$；并且找到$I_B=I_{BQ}$的那条输出特性曲线，该曲线与上述直线的交点就是静态工作点$Q$，其纵坐标为$I_{CQ}$，横坐标为$u_{CEQ}$，如图2.3.5(b)中所标注。由式(2.3.2)所确定的直线称为输出回路负载线。
应当指出，如果输出特性曲线中没有$I_B=I_{BQ}$的那条输出特性曲线，则应当补测该曲线。

2、电压放大倍数的分析

当加入输入信号$\Delta u_I$时，输入回路方程为$$u_{BE}=V_{BB}+\Delta u_I-i_B{R}_b(\mathrm{2.3.3})$$该直线与横轴的交点为$(V_{BB}+\Delta u_I,0)$，与纵轴的交点为$(0,\frac{V_{BB}+\Delta u_I}{R_b})$。但斜率仍为$-1/R_b$。
在求解电压放大倍数$A_u$时，首先给定$\Delta u_I$，然后根据式(2.3.3)做输入回路负载线，在输入回路负载线与输入特性曲线的交点便可得到在$\Delta u_I$作用下的基极电流变化量$\Delta i_B$；在输出特性中，找到$i_B=I_{BQ}+\Delta i_B$的那条输出特性曲线，输出回路负载线与曲线的交点为$(U_{CEQ}+\Delta u_{CE}，I_{CQ}+\Delta i_C)$，其中$\Delta u_{CE}$就是输出电压，见图2.3.6所示。从而可得电压放大倍数$$A_u=\frac{\Delta u_{CE}}{\Delta u_I}=\frac{\Delta u_O}{\Delta u_I}(\mathrm{2.3.4})$$上述过程可简述如下：首先给定$\Delta u_I$从图解分析可知，当$\Delta u_I>0$时，$\Delta i_B>0$，$\Delta i_C>0$，而$\Delta u_{CE}<0$；反之，当$\Delta u_I<0$时，$\Delta i_B<0$，$\Delta i_C<0$，而$\Delta u_{CE}>0$；说明输出电压与输入电压的变化相反。在输入回路中，若直流电压$V_{BB}$的数值不变，则基极电阻$R_b$的值愈小，$Q$点愈高（即$I_{BQ}$和$U_{BEQ}$的值愈大），$Q$点附近的曲线愈陡，因而在同样的$\Delta u_I$作用下所产生的的$\Delta i_B$就愈大，也就意味着$|\dot{A_u}|$将愈大。在输出回路中，$R_c$的数值愈小，负载线愈陡，这就意味着同样的$\Delta i_C$下所产生的的$\Delta u_{CE}$愈小，即$|\dot{A_u}|$愈小。可见，$Q$点的位置影响着放大电路的电压放大能力。
应当指出，利用图解法求解电压放大倍数时，$\Delta u_I$的数值愈大，晶体管的非线性特性对分析结果的影响愈大。另外，其分析过程与微变等效电路法相比，较为繁琐，而且误差较大。因此，这里阐述图解法求解$A_u$的目的是为了进一步体会放大电路的工作原理和$Q$点对$A_u$的影响。

3、波形非线性失真的分析

当输入电压为正弦波时，若静态工作点合适且输入信号幅值较小，则晶体管b-e间的动态电压为正弦波，基极动态电流也为正弦波，如图2.3.7(a)所示。在放大区内集电极电流随基极电流按$\beta$倍变化，并且$i_C$与$u_{CE}$将沿负载线变化。当$i_C$增大时，$u_{CE}$减小；当$i_C$减小时，$u_{CE}$增大。由此得到动态管压降$u_{ce}$，即输出电压$u_o$，$u_o$与$u_i$反相，如图(b)所示。当$Q$点过低时，在输入信号负半周靠近峰值的某段时间内，晶体管b-e间电压总量$u_{BE}$小于其开启电压$U_{on}$，晶体管截止。因此基极电流$i_b$将产生底部失真，如图2.3.8(a)所示。所以，集电极电流$i_c$和集电极电阻$R_c$上电压的波形必然随$i_b$产生同样的失真；而由于输出电压$u_o$与$R_c$上电压的变化相位相反，从而导致$u_o$波形产生顶部失真，如图2.3.8(b)所示。因晶体管截止而产生的失真称为截止失真。在图2.3.4所示电路中，可以通过增大基极电源$V_{BB}$或减小基极电阻$R_b$来消除截止失真。当$Q$点过高时，虽然基极动态电阻$i_b$为不失真的正弦波，如图2.3.9(a)所示，但是由于输入信号正半周靠近峰值的某段时间内晶体管进入了饱和区，导致集电极动态电流$i_c$产生顶部失真，集电极电阻$R_c$上的电压随着产生同样的失真。由于输出电压$u_o$与$R_c$上的电压的变化相位相反，从而导致$u_o$波形产生底部失真，如图2.3.9(b)所示。因晶体管饱和而产生的失真称为饱和失真。为了消除饱和失真，就要适当降低$Q$点。为此，可以增大基极电阻$R_b$以减小基极静态电流$I_{BQ}$，从而减小集电极静态电流$I_{CQ}$；也可以减小集电极电阻$R_c$以改变负载线斜率，从而增大管压降$U_{CEQ}$；或者更换一只$\beta$较小的管子，以便在同样的$I_{BQ}$情况下减小$I_{CQ}$。应当指出，截止失真和饱和失真都是比较极端的情况。实际上，在输入信号的整个周期内，即使晶体管始终工作在放大区域，也会因为输入特性和输出特性的非线性使输出波形产生失真，只不过当输入信号幅值较小时，这种失真非常小，可忽略不计。
如果将晶体管的特性理想化，即认为在管压降总量$u_{CE}$最小值大于饱和管压降$U_{CES}$（即管子不饱和），且基极电流总量$i_B$的最小值大于0（即管子不截止）的情况下，非线性失真可忽略不计，那么就可以得处放大电路的最大不失真输出电压$U_{om}$。对于图2.3.4所示的放大电路，从图2.3.7(b)所示输出特性的图解分析可得最大不失真输出电压的峰值，其方法是以$U_{CEQ}$为中心，取“$V_{CC}-U_{CEQ}$”和$U_{CEQ}-U_{CES}$这两段距离中较小的数值，并除以$\sqrt{2}$，则得到其有效值$U_{om}$。为了使$U_{om}$尽可能大，应将$Q$点设置在放大区域内负载线的中点，即其横坐标值为$\frac{V_{CC}+U_{CES}}{2}$的位置。

4、直流负载线与交流负载线

从图2.3.3(b)所示阻容耦合放大电路的交流通路可以看出，当电路带上负载电阻$R_L$时，输出电压是集电极动态电流$i_c$在集电极电阻$R_c$和负载电阻$R_L$并联总电阻（$R_c//R_L$）上所产生的的电压，而不仅决定于$R_c$。因此，由直流通路所确定的负载线$u_{CE}=V_{CC}-i_C{R}_C$，称为直流负载线，而动态信号遵循的负载线称为交流负载线。交流负载线应具备两个特征：第一，由于输入电压$u_i=0$时，晶体管的集电极电流应为$I_{CQ}$，管压降应为$U_{CEQ}$，所以它必过$Q$点；第二，由于集电极动态电流$i_c$仅决定于基极动态电流$i_b$，而动态管压降$u_{ce}$等于$i_c$与$R_c//R_L$之积，所以它的斜率为$-1/(R_c//R_L)$。根据上述特征，只要过$Q$点做一条斜率为$-1/(R_c//R_L)$的直线就是交流负载线。实际上，已知直线上一点为$Q$，再寻找另一点，连接两点即可。在图2.3.10中，对于直角三角形QAB，已知直角边QA为$I_{CQ}$，斜率为$-1/(R_c//R_L)$，因而另一直角边AB为$I_{CQ}(R_c//R_L)$，所以交流负载线与横轴的交点坐标为$[U_{CEQ}+I_{CQ}(R_c//R_L),0]$，连接该点与$Q$点所得的直线就是交流负载线，如图2.3.10所示。放大电路带负载$R_L$后，在输入信号$u_i$不变的情况下，输出电压$u_o$的幅值变小，即电压放大倍数的数值变小。同时，最大不失真输出电压也产生变化，其峰值等于$(U_{CEQ}-U_{CES})$与$I_{CQ}(R_c//R_L)$中的小者；有效值是峰值除以$\sqrt{2}$。
对于放大电路与负载直接耦合的情况，直流负载线与交流负载线是同一条直线；而对于阻容耦合放大电路，则只有在空载时两条直线才合二为一。

5、图解法的适用范围

图解法的特点是直观形象地反映晶体管的工作情况，但必须实测所有管的特性曲线，而且用图解法进行定量分析时误差较大。此外，晶体管的特性曲线只反应信号频率较低时的电压、电流关系，而不反映信号频率较高时极间电容产生的影响。因此，图解法多适用于分析出幅值比较大而工作频率不太高时的情况。在实际应用中，多用于分析Q点位置、最大不失真输出电压和失真情况等。

【例2.3.1】在图2.2.1所示基本共射放大电路中，由于电路参数的改变使静态工作点产生如图2.3.11所示的变化。试问：
（1）当静态工作点从$Q_1$移到$Q_2$、从$Q_2$移到$Q_3$、从$Q_3$移到$Q_4$时，分别是因为电路的哪个参数变化造成的？这些参数是如何变化的？
（2）当电路的静态工作点分别为$Q_1$~$Q_4$时，从输出电压的角度看，哪种情况下最易产生截止失真？哪种情况下最容易产生饱和失真？哪种情况下最大不失真输出电压$U_{om}$最大？其值约为多少？
（3）电路的静态工作点为$Q_4$时，集电极电源$V_{CC}$的值为多少伏？集电极电阻$R_c$为多少千欧？

解：（1）因为$Q_2$与$Q_1$在一条输出特性曲线上，所以$I_{BQ}$相同，说明$R_b$、$V_{BB}$均没变；$Q_2$与$Q_1$不在同一条负载线上，说明$R_c$变化了，由于负载线变陡，所以静态工作点从$Q_1$移到$Q_2$的原因是$R_c$减小。
因为$Q_3$与$Q_2$都在同一条负载线上，所以$R_c$没变；而$Q_3$与$Q_2$不在同一条输出特性曲线上，说明$R_b$、$V_{BB}$产生变化。由于$Q_3$的$I_{BQ}(20\mu A)$大于$Q_2$的$I_{BQ}(10\mu A)$，因此从$Q_2$移到$Q_3$的原因是$R_b$减小或$V_{BB}$增大，当然也可能兼而有之。
因为$Q_4$与$Q_3$在同一条输出特性曲线上，所以输入回路参数没有变化；而$Q_4$所在负载线平行于$Q_3$所在负载线，说明$R_c$没变；从负载线与横轴交点可知，从$Q_3$移到$Q_4$的原因是集电极电源$V_{CC}$增大。
（2）从$Q$点在晶体管输出特性坐标平面中的位置可知，$Q_2$最靠近截止区，因而电路最易出现截止失真；$Q_3$最靠近饱和区，因而电路最易出现饱和失真；$Q_4$距饱和区和截止区最远，所以静态工作点为$Q_4$时的最大不失真输出电压$U_{om}$最大。
因为$Q_4$点$U_{CEQ}=6V$，正居负载线中点，所以其最大不失真输出电压有效值$$U_{om}=\frac{U_{CEQ}-U_{CES}}{\sqrt{2}}\approx 3.75V$$估算时$U_{CES}$取$0.7V$。
（3）根据$Q_4$所在负载线与横轴的交点可知，集电极电源为$12V$；根据$Q_4$所在负载线与纵轴的交点可知，集电极电阻$$R_c=V_{CC}/I_C=(12/4)k\Omega =3k\Omega$$

三、等效电路法

1、晶体管的直流模型及静态工作点的估算法

当将b - e间电压$U_{BEQ}$取一个固定数值时，也就是认为b - e间等效为直流恒压源，说明已将晶体管输入特性折线化，如图2.3.12(a)所示。式中集电极电流$I_{CQ}=\beta I_{BQ}$，说明$I_{CQ}$仅决定于$I_{BQ}$而与静态管压降$U_{CEQ}$无关，即输出特性曲线是横轴的平行线，如图2.3.12(b)所示，所以晶体管的直流模型如图($c$)所示。图($c$)中的理想二极管限定了电流方向。应当特别指出，晶体管的直流模型是晶体管在静态时工作在放大状态的模型，它的使用条件是：$U_{BE}>U_{on}$且$U_{CE}\ge U_{BE}$，并认为$\overline{\beta }=\beta$。

2、晶体管的共射h参数等效模型

在共射接法的放大电路中，在低频小信号作用下，将晶体管看成一个线性双口网络，利用网络的$h$参数来表示输入端口、输出端口的电压与电流的相互关系，便可得出等效电路，称之为共射$h$参数等效模型。这个模型只能用于放大电路低频动态小信号参数的分析。
（1）$h$参数等效模型的由来

若将晶体管看成一个双口网络，并以b - e作为输入端口，以c - e作为输出端口，如图2.3.13(a)所示，则网络外部的端电压和电流关系就是晶体管的输入特性和输出特性，如图2.3.13(b)、($c$)所示。可以写成关系式$$\{\begin{array}{c}{u}_{BE}=f(i_B,u_{CE})(\mathrm{2.3.5}a)\\ i_C=f(i_B,u_{CE})(\mathrm{2.3.5}b)\end{array}$$式中$u_{BE}$、$i_B$、$u_{CE}$、$i_C$均为各电量的瞬时总量。为了研究低频小信号作用下各变化量之间的关系，对上边两式求全微分，得出$$\{\begin{array}{c}\text{d}{u}_{BE}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial i_B}{|}_{U_{CE}}\text{d}{i}_B+\frac{\partial u_{BE}}{\partial u_{CE}}{|}_{I_B}\text{d}{u}_{CE}(\mathrm{2.3.6}a)\\ \text{d}{i}_C=\frac{\partial i_C}{\partial i_B}{|}_{U_{CE}}\text{d}{i}_B+\frac{\partial i_C}{\partial u_{CE}}{|}_{I_B}\text{d}{u}_{CE}(\mathrm{2.3.6}b)\end{array}$$由于$\text{d}{u}_{BE}$代表$u_{BE}$的变化部分，可以用${\dot{U}}_{be}$取代；同理$\text{d}{i}_B$可用${\dot{I}}_b$取代，$\text{d}{i}_C$可用${\dot{I}}_c$取代，$\text{d}{u}_{CE}$可用${\dot{U}}_{ce}$取代。根据电路原理网络分析知识，可从式(2.3.6)得出$h$参数方程$$\{\begin{array}{c}{\dot{U}}_{be}=h_{11e}{\dot{I}}_b+h_{12e}{\dot{U}}_{ce}(\mathrm{2.3.7}a)\\ {\dot{I}}_c=h_{21e}{\dot{I}}_b+h_{22e}{\dot{U}}_{ce}(\mathrm{2.3.7}b)\end{array}$$下标$e$表示共射接法，式中$$\{\begin{array}{c}{h}_{11e}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial i_B}{|}_{U_{CE}}(\mathrm{2.3.8}a)\\ \\ h_{12e}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial u_{CE}}{|}_{I_B}(\mathrm{2.3.8}b)\\ \\ h_{21e}=\frac{\partial i_C}{\partial i_B}{|}_{U_{CE}}(\mathrm{2.3.8}c)\\ \\ h_{22e}=\frac{\partial i_C}{\partial u_{CE}}{|}_{I_B}(\mathrm{2.3.8}d)\end{array}$$式(2.3.7a)表明，电压${\dot{U}}_{be}$由两部分组成，第一项表示由${\dot{I}}_b$产生一个电压，因而$h_{11e}$为一电阻；第二项表示由${\dot{U}}_{ce}$产生一个电压，因而$h_{12e}$无量纲；所以b - e间等效成一个电阻与一个电压控制的电压源串联。式(2.3.7b)表明，电流${\dot{I}}_c$也由两部分组成，第一项表示由${\dot{I}}_b$控制产生一个电流，因而$h_{21e}$无量纲；第二项表示由${\dot{U}}_{ce}$产生一个电流，因而$h_{22e}$为电导；所以c - e间等效成一个电流控制的电流源与一个电阻并联。这样，得到晶体管的等效模型如图2.3.13(d)所示。由于式(2.3.8)中四个参数的量纲不同，故称$h$（Hybrid：混合）参数，由此得到的等效电路称为$h$参数等效模型。
（2）$h$参数的物理意义
$h_{11e}$是当$u_{CE}=U_{CEQ}$时$u_{BE}$对$i_B$的偏导数。从输入特性上看，就是$u_{CE}=U_{CEQ}$那条输入特性曲线在$Q$点处切线斜率的倒数。小信号作用时，$h_{11e}=\partial u_{BE}/\partial i_B\approx \Delta u_{BE}/\Delta i_B$，见图2.3.14(a)所示。因此$h_{11e}$表示小信号作用下b - e间的动态电阻，常记作$r_{be}$。$Q$点愈高，输入特性曲线愈陡，$h_{11e}$的值也就愈小。
$h_{12e}$是当$i_B=I_{BQ}$时$u_{BE}$对$u_{CE}$的偏导数。从输入特性上看，就是在$i_B=I_{BQ}$的情况下$u_{CE}$对$u_{BE}$的影响，可以用$\Delta u_{BE}/\Delta u_{CE}$求出$h_{12e}$的近似值，见图2.3.14(b)所示。$h_{12e}$描述了晶体管输出回路电压$u_{CE}$对输入回路电压$u_{BE}$的影响，故称之为内反馈系数。当c - e间电压足够大时，如$U_{CE}\ge 1V$，$\Delta u_{BE}/\Delta u_{CE}$的值很小，多小于$10^{-2}$。
$h_{21e}$是当$u_{CE}=U_{CEQ}$时$i_c$对$i_B$的偏导数。从输出特性上看，当小信号作用时，$h_{21e}=\partial i_C/\partial i_B\approx \Delta i_C/\Delta i_B$，见图2.3.14($c$)所示。所以，$h_{21e}$表示晶体管在$Q$点附近的电流放大系数$\beta$。
$h_{22e}$是当$i_B=I_{BQ}$时，$i_C$对$u_{CE}$的偏导数。从输出特性上看，$h_{22e}$是在$i_B=I_{BQ}$的那条输出特性曲线上$Q$点处导数，见图2.3.14(d)所示，它表示输出特性曲线上翘的程度，可以利用$\Delta i_C/\Delta u_{CE}$得到其近似值。由于大多数管子工作在放大区时曲线几乎平行于横轴，所以其值常小于$10^{-5}S$。常称$1/h_{22e}$为c - e间动态电阻$r_{ce}$，其值在几百千欧以上。（3）简化的$h$参数等效模型
由以上分析可知，在输入回路，内反馈系数$h_{12e}$很小，即内反馈很弱，近似分析中可忽略不计，故晶体管的输入回路可近似等效为只有一个动态电阻$r_{be}(h_{11e})$；在输出回路，$h_{22e}$很小，即$r_{ce}$很大，说明近似分析中该支路的电流可忽略不计，故晶体管的输出回路可近似等效为只有一个受控电流源${\dot{I}}_c$，${\dot{I}}_c=\beta {\dot{I}}_b$；因此，简化的$h$参数等效模型如图2.3.15所示。注意： 如果晶体管输出回路所接负载电阻$R_L$与$r_{ce}$相差不大，则在电路分析中应当考虑$r_{ce}$的影响。
（4）$r_{be}$的近似表达式
在简化的$h$参数等效模型中，可以通过实测得到工作在$Q$点下的$\beta$，并可以通过以下分析所得的近似表达式来计算$r_{be}$的数值。

从图2.3.16(a)所示晶体管的结构示意图中可以看出，b - e间电阻由基区体电阻$r_{b{b}^{\prime }}$、发射结电阻$r_{b^{\prime }{e}^{\prime }}$和发射区体电阻$r_e$三部分组成。$r_{b{b}^{\prime }}$与$r_e$仅与杂质浓度及制造工艺有关，由于基区很薄且多子浓度很低，$r_{b{b}^{\prime }}$数值较大，对于小功率管，多在几十欧到几百欧，可以通过查阅手册得到。由于发射区多数载流子浓度很高，$r_e$数值很小，只几欧，与$r_{b{b}^{\prime }}$和$r_{b^{\prime }e}$相比可以忽略不计。因此，晶体管输入回路的等效电路如图2.3.16(b)所示。流过$r_{b{b}^{\prime }}$的电流为${\dot{I}}_b$，而流过$r_{b^{\prime }e}$的电流为${\dot{I}}_e$，所以$${\dot{U}}_{be}\approx {\dot{I}}_b{r}_{b{b}^{\prime }}+{\dot{I}}_e{r}_{b^{\prime }e}$$根据PN结电流方程可知，发射结的总电流$$i_E=I_S(e^{\frac{u}{U_T}}-1)(u为发射结所加总电压)$$因而$$\frac{1}{r_{b^{\prime }e}}=\frac{\text{d}{i}_E}{\text{d}u}=\frac{1}{U_T}\cdot I_S\cdot e^{\frac{u}{U_T}}$$由于发射结处于正向偏置，$u$大于开启电压（如硅管$U_{on}$为$0.5V$左右），而常温下$U_T\approx 26\text{mV}$，因此可以认为$i_E\approx I_S{e}^{\frac{u}{U_T}}$，带入上式可得$$\frac{1}{r_{b^{\prime }e}}\approx \frac{1}{U_T}\cdot I_E$$当用以$Q$点为切点的切线取代$Q$点附近的曲线时$$\frac{1}{r_{b^{\prime }e}}\approx \frac{1}{U_T}\cdot I_{EQ}$$根据$r_{be}$的定义$$r_{be}=\frac{U_{be}}{I_b}\approx \frac{U_{b{b}^{\prime }}+U_{b^{\prime }e}}{I_b}=\frac{U_{b{b}^{\prime }}}{I_b}+\frac{U_{b^{\prime }e}}{I_b}=r_{b{b}^{\prime }}+\frac{I_e{r}_{b^{\prime }e}}{I_b}$$由此得出$r_{be}$的近似表达式$$r_{be}\approx r_{b{b}^{\prime }}+(1+\beta )\frac{U_T}{I_{EQ}}或r_{be}\approx r_{b{b}^{\prime }}+\beta \frac{U_T}{I_{CQ}}(\mathrm{2.3.9})$$式(2.3.9)进一步表明，$Q$点愈高，即$I_{EQ}(I_{CQ})$愈大，$r_{be}$愈小。
$h$参数等效模型用于研究动态参数，它的四个参数都是在$Q$点处求偏导数得到的。因此，只有在信号比较小，且工作在线性度比较好的区域内，分析计算的结果误差才较小。而且，由于$h$参数等效模型没有考虑结电容的作用，只适用低频信号的情况，故也称之为晶体管的低频小信号模型。

3、共射放大电路动态参数的分析

利用$h$参数等效模型可以求解放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。在放大电路的交流通路中，用$h$参数等效模型取代晶体管便可得到放大电路的交流等效电路。该分析方法称为等效电路法，也称之为微变等效电路法。图2.2.1所示基本共射放大电路的交流等效电路如图2.3.17(a)所示。

（1）电压放大倍数 ${\dot{A}}_u$
根据电压放大倍数的定义，利用晶体管${\dot{I}}_b$对${\dot{I}}_c$的控制关系，可得${\dot{U}}_i={\dot{I}}_b(R_b+r_{be})$，${\dot{U}}_o=-{\dot{I}}_c{R}_c=-\beta {\dot{I}}_b{R}_c$，因此电压放大倍数的表达式为$${\dot{A}}_u=\frac{{\dot{U}}_o}{{\dot{U}}_i}=-\frac{\beta R_c}{R_b+r_{be}}(\mathrm{2.3.10})$$（2）输入电阻$R_i$
$R_i$是从放大电路输入端看进去的等效电阻。因为输入电流有效值$I_i=I_b$，输入电压有效值$U_i=I_b(R_b+r_{be})$，故输入电阻为$$R_i=\frac{U_i}{I_i}=R_b+r_{be}(\mathrm{2.3.11})$$（3）输出电阻$R_o$
根据诺顿定理将放大电路输出回路进行等效变换，使之成为一个有内阻的电压源，如图2.3.17(b)所示，可得$$R_o=R_c(\mathrm{2.3.12})$$对电子电路输出电阻进行分析时，还可令信号源电压${\dot{U}}_s=0$，但保留内阻$R_s$；然后，在输出端加一正弦波测试信号$U_o$，必然产生动态电流$I_o$（加压求流法），则$$R_o=\frac{U_o}{I_o}{|}_{U_s=0}(\mathrm{2.3.13})$$在图2.3.17(a)所示电路中，所加信号${\dot{U}}_i$为恒压源，内阻为0。当${\dot{U}}_i=0$时，${\dot{I}}_b=0$，则${\dot{I}}_c=0$，因此$$R_o=\frac{U_o}{I_o}=\frac{U_o}{U_o/R_c}=R_c$$应当指出，虽然利用$h$参数等效模型分析的是动态参数，但是由于$r_{be}$与$Q$点紧密相关，因而使动态参数与$Q$点紧密相关；对放大电路的分析应遵循“先静态，后动态”的原则，只有$Q$点合适，动态分析才有意义。

【例2.3.2】在图2.2.1所示电路中，已知$V_{BB}=1V$，$R_b=24\text{k}\Omega$，$V_{CC}=12V$，$R_c=5.1\text{k}\Omega$；晶体管的$r_{b{b}^{\prime }}=100\Omega$，$\beta =100$，导通时的$U_{BEQ}=0.7V$。
（1）静态工作点$Q$；
（2）求解${\dot{A}}_u$、$R_i$和$R_o$。
解： （1）$$I_{BQ}=\frac{V_{BB}-U_{BEQ}}{R_b}=\left(\frac{1-0.7}{24\times 10^3}\right)\text{A}=(12.5\times 10^{-6})\text{A}=12.5\mu \text{A}$$$$I_{CQ}=\overline{\beta }{I}_{BQ}=\beta I_{BQ}=(100\times 12.5\times 10^{-6})\text{A}=1.25\text{mA}$$$$U_{CEQ}=V_{CC}-I_{CQ}{R}_c=(12-1.25\times 5.1)\text{V}\approx 5.63\text{V}$$$U_{CEQ}$大于$U_{BEQ}$，说明晶体管工作在放大区。

（2）动态分析时，先求出$r_{be}$。$$r_{be}\approx r_{b{b}^{\prime }}+\beta \frac{U_T}{I_{CQ}}\approx \left(100+100\times \frac{26}{1.25}\right)\text{Ω}\approx 2200\text{Ω}=2.2\text{kΩ}$$$${\dot{A}}_u=-\frac{\beta R_c}{R_b+r_{be}}=-\frac{100\times 5.1}{24+2.2}\approx -19.5$$$$R_i=R_b+r_{be}\approx (24+2.2)\text{kΩ}=26.2\text{kΩ}$$$$R_o=R_c=5.1\text{kΩ}$$【例2.3.3】在图(a)所示电路中，已知$V_{CC}=12\text{V}$，$R_b=510\text{kΩ}$，$R_c=3\text{kΩ}$；晶体管的$r_{b{b}^{\prime }}=150\Omega$，$\beta =80$，$U_{BEQ}=0.7\text{V}$；$R_L=3\text{kΩ}$；耦合电容对交流信号可视为短路。
（1）求出电路的${\dot{A}}_u$、$R_i$和$R_o$；
（2）若所加信号源内阻$R_s$为$2\text{k}\Omega$，求出${\dot{A}}_{us}={\dot{U}}_o/{\dot{U}}_s=?$解：（1）首先求出$Q$点和$r_{be}$，再求出${\dot{A}}_u$、$R_i$和$R_o$。$$I_{BQ}=\frac{V_{CC}-U_{BEQ}}{R_b}=\left(\frac{12-0.7}{510}\right)\text{mA}\approx 0.0222\text{mA}=22.2\text{μA}$$$$I_{CQ}=\beta I_{BQ}\approx (80\times 0.0222)\text{mA}\approx 1.77\text{mA}$$$$U_{CEQ}=V_{CC}-I_{CQ}{R}_c\approx (12-1.77\times 3)\text{V}=6.69\text{V}$$$U_{CEQ}$大于$U_{BEQ}$，说明$Q$点在晶体管的放大区。$$r_{be}\approx r_{b{b}^{\prime }}+\beta \frac{U_T}{I_{CQ}}\approx (150+80\times \frac{26}{1.77})\Omega \approx 1325\Omega \approx 1.33\text{kΩ}$$画出交流等效电路，如图2.3.18所示。从图2.3.18可知，${\dot{U}}_o=-{\dot{I}}_c(R_c//R_L)=-\beta {\dot{I}}_b(R_c//R_L)$，${\dot{U}}_i={\dot{I}}_b{r}_{be}$，根据${\dot{A}}_u$的定义可以得出$${\dot{A}}_u=\frac{{\dot{U}}_o}{{\dot{U}}_i}=-\frac{\beta R_L^{\prime }}{r_{be}}(R_L^{\prime }=R_c//R_L)(\mathrm{2.3.14})$$代入数据$${\dot{A}}_u\approx -80\times \frac{1.5}{1.33}\approx -90$$根据$R_i$定义可以得出$$R_i=\frac{U_i}{I_i}=R_b//r_{be}(\mathrm{2.3.15})$$通常情况下$R_b>>r_{be}$，所以$R_i\approx r_{be}\approx 1.33\text{kΩ}$。$$R_o\approx R_c(\mathrm{2.3.16})$$代入数据，得$R_o=3\text{kΩ}$。
应当指出，放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载无关。
（2）根据${\dot{A}}_{us}$的定义$${\dot{A}}_{us}=\frac{{\dot{U}}_o}{{\dot{U}}_s}=\frac{{\dot{U}}_i}{{\dot{U}}_s}\cdot \frac{{\dot{U}}_o}{{\dot{U}}_i}=\frac{R_i}{R_s+R_i}\cdot {\dot{A}}_u(\mathrm{2.3.17})$$代入数据后，得$${\dot{A}}_{us}\approx \frac{1.33}{2+1.33}\cdot (-90)\approx -36$$$|{\dot{A}}_{us}|$总是小于$|{\dot{A}}_u|$，输入电阻愈大，${\dot{U}}_i$愈接近${\dot{U}}_s$，$|{\dot{A}}_{us}|$也就愈接近$|{\dot{A}}_u|$。