一、静态工作点稳定的必要性
静态工作点不仅决定了电路是否会产生失真,而且还影响着电压放大倍数、输入电阻等动态参数的变化。实际上静态工作点的不稳定因素主要有三个:① 电源电压的波动;② 元件的老化;③ 温度的变化;这些因素都会造成静态工作点的不稳定,从而使动态参数不稳定,有时电路甚至无法正常工作。其中,温度对晶体管参数的影响是最为主要的。
在图2.4.1中,实线为静态管在20℃时的输出特性曲线,虚线为40℃时的输出特性曲线。从图可知,当环境温度升高时,晶体管的电流放大系数
β
\beta
β增大,穿透电流
I
C
E
O
I_{CEO}
ICEO增大;这一切集中表现为集电极电流
I
C
Q
I_{CQ}
ICQ明显增大,共射电路中晶体管的管压降
U
C
E
Q
U_{CEQ}
UCEQ将减小,
Q
\pmb Q
QQ点将沿直流负载线上移到
Q
′
Q'
Q′,向饱和区变化;而要想使之回到原来位置,必须减小基极电流
I
B
Q
I_{BQ}
IBQ。当温度降低时,
Q
\pmb Q
QQ点将沿直流负载线下移,向截止区变化,要想使之基本不变,则必须增大
I
B
Q
I_{BQ}
IBQ。由此可见,所谓稳定
Q
\pmb Q
QQ点,通常是指在环境温度变化时静态集电极电流
I
C
Q
\pmb{I_{CQ}}
ICQICQ和管压降
U
C
E
Q
\pmb{U_{CEQ}}
UCEQUCEQ基本不变,即
Q
Q
Q点在晶体管输出特性坐标平面中的位置基本不变,而且,必须依靠
I
B
Q
I_{BQ}
IBQ的变化来抵消
I
C
Q
I_{CQ}
ICQ和
U
C
E
Q
U_{CEQ}
UCEQ的变化。常用引入直流负反馈或温度补偿的方法使
I
B
Q
I_{BQ}
IBQ在温度变化时产生与
I
C
Q
I_{CQ}
ICQ相反的变化。
二、典型的静态工作点稳定电路
1、电路组成和Q点稳定原理
典型的
Q
Q
Q点稳定电路如图2.4.2所示,图(a)为直接耦合方式,图(b)为阻容耦合方式,它们具有相同的直流通路,如图(
c
c
c)所示。在图2.4.2(
c
c
c)所示电路中,节点 B的电流方程为
I
2
=
I
1
+
I
B
Q
I_2=I_1+I_{BQ}
I2=I1+IBQ为了稳定
Q
Q
Q点,通常使参数的选取满足
I
1
>
>
I
B
Q
(
2.4.1
)
I_1>>I_{BQ}\kern 73pt(2.4.1)
I1>>IBQ(2.4.1)因此,
I
2
≈
I
1
I_2\approx I_1
I2≈I1,B点电位
U
B
Q
≈
R
b
1
R
b
1
+
R
b
2
⋅
V
C
C
(
2.4.2
)
U_{BQ}\approx \frac{R_{b1}}{R_{b1}+R_{b2}}\cdot V_{CC}\kern 20pt(2.4.2)
UBQ≈Rb1+Rb2Rb1⋅VCC(2.4.2)式(2.4.2)表明基极电位几乎仅决定于
R
b
1
R_{b1}
Rb1与
R
b
2
R_{b2}
Rb2对
V
C
C
V_{CC}
VCC的分压,而与环境温度无关,即当温度变化时
U
B
Q
U_{BQ}
UBQ基本不变。
当温度升高时,集电极电流
I
C
I_C
IC增大,发射极电流
I
E
I_E
IE必然相应增大,因而发射极电阻
R
e
R_e
Re上的电压
U
E
U_E
UE(即发射极的电位)随之增大;因为
U
B
Q
U_{BQ}
UBQ基本不变,而
U
B
E
=
U
B
−
U
E
U_{BE}=U_B-U_E
UBE=UB−UE,所以
U
B
E
U_{BE}
UBE势必减小,导致基极电流
I
B
I_B
IB减小,
I
C
I_C
IC随之相应减小。结果,
I
C
I_C
IC随温度升高而增大的部分几乎被由于
I
B
I_B
IB减小而减小的部分相抵消,
I
C
I_C
IC将基本不变,
U
C
E
U_{CE}
UCE也将基本不变,从而
Q
Q
Q点在晶体管输出特性坐标平面上的位置基本不变。可将上述过程简写为:当温度降低时,各物理量向相反方向变化,
I
C
I_C
IC和
U
C
E
U_{CE}
UCE也将基本不变。
不难看出,在稳定的过程中,
R
e
R_e
Re起着重要作用,当晶体管的输出回路电流
I
C
I_C
IC变化时,通过
R
e
R_e
Re上产生电压的变化来影响b-e间电压,从而使
I
B
I_B
IB向相反方向变化,得到稳定
Q
Q
Q点的目的。这种将输出量(
I
C
I_C
IC)通过一定的方式(利用
R
e
R_e
Re将
I
C
I_C
IC的变化转化成电压的变化)引回到输入回路来影响输入量(
U
B
E
U_{BE}
UBE)的措施称为反馈;由于反馈的结果使输出量的变化减小,故称为负反馈;又由于反馈出现在直流通路之中,故称为直流负反馈。
R
e
R_e
Re为直流负反馈电阻。
由此可见,图2.4.2(
c
c
c)所示电路
Q
Q
Q点稳定的原因是:
(1)
R
e
R_e
Re的直流负反馈作用;
(2)在
I
1
>
>
I
B
Q
I_1>>I_{BQ}
I1>>IBQ的情况下,
U
B
Q
U_{BQ}
UBQ在温度变化时基本不变。
所以也称这种电路为分压式电流负反馈
Q
\pmb Q
QQ点稳定电路。从理论上讲,
R
e
R_e
Re愈大,反馈愈强,
Q
Q
Q点愈稳定。但是实际上,对于一定的集电极电流
I
C
I_C
IC,由于
V
C
C
V_{CC}
VCC的限制,
R
e
R_e
Re太大会使晶体管进入饱和区,电路将不能正常工作。
2、静态工作点的估算
已知
I
1
>
>
I
B
Q
I_1>>I_{BQ}
I1>>IBQ
U
B
Q
≈
R
b
1
R
b
1
+
R
b
2
⋅
V
C
C
U_{BQ}\approx\frac{R_{b1}}{R_{b1}+R_{b2}} \cdot V_{CC}
UBQ≈Rb1+Rb2Rb1⋅VCC发射极电流
I
E
Q
=
U
B
Q
−
U
B
E
Q
R
e
(
2.4.3
)
I_{EQ}=\frac{U_{BQ}-U_{BEQ}}{R_e}\kern 46pt(2.4.3)
IEQ=ReUBQ−UBEQ(2.4.3)由于
I
C
Q
≈
I
E
Q
I_{CQ}\approx I_{EQ}
ICQ≈IEQ,管压降
U
C
E
Q
≈
V
C
C
−
I
C
Q
(
R
c
+
R
e
)
(
2.4.4
)
U_{CEQ}\approx V_{CC}-I_{CQ}(R_c+R_e)\kern 11pt(2.4.4)
UCEQ≈VCC−ICQ(Rc+Re)(2.4.4)基极电流
I
B
Q
=
I
E
Q
1
+
β
(
2.4.5
)
I_{BQ}=\frac{I_{EQ}}{1+\beta}\kern 82pt(2.4.5)
IBQ=1+βIEQ(2.4.5)应当指出,不管电路参数是否满足
I
1
>
>
I
B
Q
I_1>>I_{BQ}
I1>>IBQ,
R
e
R_e
Re的负反馈作用都存在。利用戴维南定理,可将图2,4,2(
c
c
c)所示电路变换成图2.4.3所示电路
其中
V
B
B
=
R
b
1
R
b
1
+
R
b
2
⋅
V
C
C
V_{BB}=\frac{R_{b1}}{R_{b1}+R_{b2}}\cdot V_{CC}
VBB=Rb1+Rb2Rb1⋅VCC
R
b
=
R
b
1
/
/
R
b
2
R_b=R_{b1}//R_{b2}
Rb=Rb1//Rb2列输入回路方程
V
B
B
=
I
B
Q
R
b
+
U
B
E
Q
+
I
E
Q
R
e
V_{BB}=I_{BQ}R_b+U_{BEQ}+I_{EQ}R_e
VBB=IBQRb+UBEQ+IEQRe可得出
I
E
Q
I_{EQ}
IEQ
I
E
Q
=
V
B
B
−
U
B
E
Q
R
b
1
+
β
+
R
e
I_{EQ}=\frac{V_{BB}-U_{BEQ}}{\displaystyle \frac{R_b}{1+\beta}+R_e}
IEQ=1+βRb+ReVBB−UBEQ当
R
e
>
>
R
b
1
+
β
R_e>>\displaystyle\frac{R_b}{1+\beta}
Re>>1+βRb,即
(
1
+
β
)
R
e
>
>
R
b
(1+\beta)R_e>>R_b
(1+β)Re>>Rb时,
I
E
Q
I_{EQ}
IEQ的表达式与式(2.4.3)相同。因此,可用
(
1
+
β
)
R
e
(1+\beta)R_e
(1+β)Re与
R
b
1
/
/
R
b
2
R_{b1}//R_{b2}
Rb1//Rb2的大小关系来判断
I
1
>
>
I
B
Q
I_1>>I_{BQ}
I1>>IBQ是否成立。
3、动态参数的估算
画出图2.4.2(b)所示电路的交流等效电路如图2.4.4(a)所示,电容
C
e
C_e
Ce为旁路电容,容量很大,对交流信号可视为短路。若将
R
b
1
/
/
R
b
2
R_{b1}//R_{b2}
Rb1//Rb2看成一个电阻
R
b
R_b
Rb,则图2.4.4(a)所示电路与阻容耦合共射放大电路的交流等效电路(见图2.3.18)完全相同,因此动态参数
{
A
˙
u
=
U
˙
o
U
˙
i
=
−
β
R
L
′
r
b
e
(
2.4.6
a
)
R
i
=
U
˙
i
I
˙
i
=
R
b
/
/
r
b
e
=
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
r
b
e
(
2.4.6
b
)
R
o
=
R
c
(
2.4.6
c
)
\left\{\begin{matrix} \dot A_u=\displaystyle{\frac{\dot U_o}{\dot U_i}}=-\frac{\beta R'_L}{r_{be}}\kern 95pt(2.4.6a)\\R_i=\displaystyle{\frac{\dot U_i}{\dot I_i}}=R_b//r_{be}=R_{b1}//R_{b2}//r_{be}\kern 20pt(2.4.6b)\\R_o=R_c\kern 140pt(2.4.6c)\end{matrix}\right.
⎩
⎨
⎧A˙u=U˙iU˙o=−rbeβRL′(2.4.6a)Ri=I˙iU˙i=Rb//rbe=Rb1//Rb2//rbe(2.4.6b)Ro=Rc(2.4.6c)倘若没有旁路电容
C
e
C_e
Ce,则图2.4.2(b)所示电路的交流等效电路如图2.4.4(b)所示。由图可知
U
˙
i
=
I
˙
b
r
b
e
+
I
˙
e
R
e
=
I
˙
b
r
b
e
+
I
˙
b
(
1
+
β
)
R
e
\dot U_i=\dot I_br_{be}+\dot I_eR_e=\dot I_br_{be}+\dot I_b(1+\beta)R_e
U˙i=I˙brbe+I˙eRe=I˙brbe+I˙b(1+β)Re
U
˙
o
=
−
I
˙
c
R
L
′
\dot U_o=-\dot I_cR'_L
U˙o=−I˙cRL′所以
{
A
˙
u
=
U
˙
o
U
˙
i
=
−
β
R
L
′
r
b
e
+
(
1
+
β
)
R
e
(
R
L
′
=
R
c
/
/
R
L
)
(
2.4.7
a
)
R
i
=
U
˙
i
I
˙
i
=
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
[
r
b
e
+
(
1
+
β
)
R
e
]
(
2.4.7
b
)
R
o
=
R
c
(
2.4.7
c
)
\left\{\begin{matrix} \dot A_u=\displaystyle\frac{\dot U_o}{\dot U_i}=-\frac{\beta R'_L}{r_{be}+(1+\beta)R_e}\kern 10pt(R'_L=R_c//R_L)\kern 10pt(2.4.7a)\\R_i=\displaystyle\frac{\dot U_i}{\dot I_i}=R_{b1}//R_{b2}//[r_{be}+(1+\beta)R_e]\kern 45pt(2.4.7b)\\R_o=R_c\kern 180pt(2.4.7c)\end{matrix}\right.
⎩
⎨
⎧A˙u=U˙iU˙o=−rbe+(1+β)ReβRL′(RL′=Rc//RL)(2.4.7a)Ri=I˙iU˙i=Rb1//Rb2//[rbe+(1+β)Re](2.4.7b)Ro=Rc(2.4.7c)在式(2.4.7a)中,若
(
1
+
β
)
R
e
>
>
r
b
e
(1+\beta)R_e>>r_{be}
(1+β)Re>>rbe,且
β
>
>
1
\beta>>1
β>>1,则
A
˙
u
=
U
˙
o
U
˙
i
≈
−
R
L
′
R
e
(
R
L
′
=
R
c
/
/
R
L
)
(
2.4.8
)
\dot A_u=\frac{\dot U_o}{\dot U_i}\approx-\frac{R'_L}{R_e}\kern 10pt(R'_L=R_c//R_L)\kern 68pt(2.4.8)
A˙u=U˙iU˙o≈−ReRL′(RL′=Rc//RL)(2.4.8)可见,虽然
R
e
R_e
Re使
∣
A
˙
u
∣
|\dot A_u|
∣A˙u∣减小了,但由于
A
˙
u
\dot A_u
A˙u仅决定于电阻取值,不受环境温度的影响,所以温度稳定性好。
【例2.4.1】在图2.4.2(b)所示电路中,已知
V
C
C
=
12
V
V_{CC}=12\,\textrm V
VCC=12V,
R
b
1
=
5
k
Ω
R_{b1}=5\,\textrm kΩ
Rb1=5kΩ,
R
b
2
=
15
k
Ω
R_{b2}=15\,\textrm kΩ
Rb2=15kΩ,
R
e
=
2.3
k
Ω
R_e=2.3\,\textrm kΩ
Re=2.3kΩ,
R
c
=
5.1
k
Ω
R_c=5.1\,\textrm kΩ
Rc=5.1kΩ,
R
L
=
5.1
k
Ω
R_L=5.1\,\textrm kΩ
RL=5.1kΩ;晶体管的
β
=
50
\beta=50
β=50,
r
b
e
=
1.5
k
Ω
r_{be}=1.5\,\textrm kΩ
rbe=1.5kΩ,
U
B
E
Q
=
0.7
V
U_{BEQ}=0.7\,\textrm V
UBEQ=0.7V。
(1)估算静态工作点
Q
Q
Q;
(2)分别求出有、无
C
e
C_e
Ce两种情况下的
A
˙
u
\dot A_u
A˙u和
R
i
R_i
Ri。
(3)若
R
b
1
R_{b1}
Rb1因虚焊而开路,则电路会产生什么现象?
解:(1)求解
Q
Q
Q点,因为
(
1
+
β
)
R
e
>
>
R
b
1
/
/
R
b
2
(1+\beta)R_e>>R_{b1}//R_{b2}
(1+β)Re>>Rb1//Rb2,所以
U
B
Q
=
R
b
1
R
b
1
+
R
b
2
⋅
V
C
C
=
(
5
5
+
15
⋅
12
)
V
=
3
V
U_{BQ}=\frac{R_{b1}}{R_{b1}+R_{b2}}\cdot V_{CC}=\left(\frac{5}{5+15}\cdot 12\right)\textrm V=3\,\textrm V
UBQ=Rb1+Rb2Rb1⋅VCC=(5+155⋅12)V=3V
I
E
Q
=
U
B
Q
−
U
B
E
Q
R
e
≈
(
3
−
0.7
2.3
)
mA
=
1
mA
I_{EQ}=\frac{U_{BQ}-U_{BEQ}}{R_e}\approx\left(\frac{3-0.7}{2.3}\right)\textrm {mA}=1\,\textrm{mA}
IEQ=ReUBQ−UBEQ≈(2.33−0.7)mA=1mA
U
C
E
Q
≈
V
C
C
−
I
C
Q
(
R
c
+
R
e
)
=
[
12
−
1
×
(
5.1
+
2.3
)
]
V
=
4.6
V
U_{CEQ}\approx V_{CC}-I_{CQ}(R_c+R_e)=[12-1\times(5.1+2.3)]\textrm V=4.6\,\textrm V
UCEQ≈VCC−ICQ(Rc+Re)=[12−1×(5.1+2.3)]V=4.6V
I
B
Q
=
I
E
Q
1
+
β
=
(
1
1
+
50
)
mA
≈
0.02
mA
=
20
μA
I_{BQ}=\frac{I_{EQ}}{1+\beta}=\left(\frac{1}{1+50}\right)\textrm{mA}\approx0.02\,\textrm{mA}=20\,\textrm{μA}
IBQ=1+βIEQ=(1+501)mA≈0.02mA=20μA(2)求解
A
˙
u
\dot A_u
A˙u和
R
i
R_i
Ri。当有
C
e
C_e
Ce时:
A
˙
u
=
−
β
R
L
′
r
b
e
=
−
50
×
5.1
1.5
×
2
=
−
85
\dot A_u=-\frac{\beta R'_L}{r_{be}}=-\frac{50\times5.1}{1.5\times2}=-85
A˙u=−rbeβRL′=−1.5×250×5.1=−85
R
i
=
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
r
b
e
≈
1.07
k
Ω
R_i=R_{b1}//R_{b2}//r_{be}\approx1.07\,\textrm kΩ
Ri=Rb1//Rb2//rbe≈1.07kΩ当无
C
e
C_e
Ce时,由于
(
1
+
β
)
R
e
>
>
r
b
e
(1+\beta)R_e>>r_{be}
(1+β)Re>>rbe,且
β
>
>
1
\beta>>1
β>>1,所以
A
˙
u
≈
−
R
L
′
R
e
=
−
1.1
\dot A_u\approx-\frac{R'_L}{R_e}=-1.1
A˙u≈−ReRL′=−1.1
R
i
=
R
b
1
/
/
R
b
2
/
/
[
r
b
e
+
(
1
+
β
)
R
e
]
≈
3.64
k
Ω
R_i=R_{b1}//R_{b2}//[r_{be}+(1+\beta)R_e]\approx3.64\,\textrm kΩ
Ri=Rb1//Rb2//[rbe+(1+β)Re]≈3.64kΩ当无
C
e
C_e
Ce时,电路的电压放大能力很差,因此在使用电路中常常将
R
e
R_e
Re分成两部分,只将其中一部分接旁路电容。
(3)若
R
b
1
R_{b1}
Rb1开路,则电路如图2.4.5所示。设电路中晶体管仍工作在放大状态,则基极电流和集电极电流(也约为发射极电流)分别为
I
B
Q
=
V
C
C
−
U
B
E
Q
R
b
2
+
(
1
+
β
)
R
e
=
[
12
−
0.7
15
+
(
1
+
50
)
×
2.3
]
mA
≈
0.09
mA
I_{BQ}=\frac{V_{CC}-U_{BEQ}}{R_{b2}+(1+\beta)R_e}=\left[\frac{12-0.7}{15+(1+50)\times2.3}\right]\textrm{mA}\approx0.09\,\textrm {mA}
IBQ=Rb2+(1+β)ReVCC−UBEQ=[15+(1+50)×2.312−0.7]mA≈0.09mA
I
C
Q
=
β
I
B
Q
=
(
50
×
0.09
)
mA
=
4.5
mA
I_{CQ}=\beta I_{BQ}=(50\times0.09)\textrm{mA}=4.5\,\textrm {mA}
ICQ=βIBQ=(50×0.09)mA=4.5mA管压降
U
C
E
Q
≈
V
C
C
−
I
C
Q
(
R
c
+
R
e
)
=
[
12
−
4.5
×
(
5.1
+
2.3
)
]
V
=
−
21.3
V
U_{CEQ}\approx V_{CC}-I_{CQ}(R_c+R_e)=[12-4.5\times(5.1+2.3)]\textrm V=-21.3\,\textrm V
UCEQ≈VCC−ICQ(Rc+Re)=[12−4.5×(5.1+2.3)]V=−21.3V上式表明,原假设不成立,管子已不工作在放大区,而进入饱和区,动态分析已无意义。
若晶体管的饱和管压降
U
C
E
S
=
U
B
E
Q
=
0.7
V
U_{CES}=U_{BEQ}=0.7\,\textrm V
UCES=UBEQ=0.7V,则管子的发射极电位和集电极电位分别近似为
U
E
Q
=
V
C
C
−
U
C
E
S
R
c
+
R
e
⋅
R
e
=
(
12
−
0.7
5.1
+
2.3
×
2.5
)
V
≈
3.51
V
U_{EQ}=\frac{V_{CC}-U_{CES}}{R_c+R_e}\cdot R_e=\left(\frac{12-0.7}{5.1+2.3}\times2.5\right)\textrm V\approx 3.51\,\textrm V
UEQ=Rc+ReVCC−UCES⋅Re=(5.1+2.312−0.7×2.5)V≈3.51V
U
C
Q
=
U
E
Q
+
U
C
E
S
=
(
3.51
+
0.7
)
V
=
4.21
V
U_{CQ}=U_{EQ}+U_{CES}=(3.51+0.7)\textrm V=4.21\,\textrm V
UCQ=UEQ+UCES=(3.51+0.7)V=4.21V
三、稳定静态工作点的措施
典型的静态工作点稳定电路中利用负反馈稳定
Q
Q
Q点,而图2.4.6(a)中则采用温度补偿的方法来稳定
Q
Q
Q点。
使用温度补偿方法稳定静态工作点时,必须在电路中采用对温度敏感的器件,如二极管、热敏电阻等。在图2.4.6(a)所示电路中,电源电压
V
C
C
V_{CC}
VCC远大于晶体管b-e间导通电压
U
B
E
Q
U_{BEQ}
UBEQ,因此
R
b
R_b
Rb中静态电流
I
R
b
=
V
C
C
−
U
B
E
Q
R
b
≈
V
C
C
R
b
I_{R_b}=\frac{V_{CC}-U_{BEQ}}{R_b}\approx\frac{V_{CC}}{R_b}
IRb=RbVCC−UBEQ≈RbVCC节点 B的电流方程为
I
R
b
=
I
R
+
I
B
Q
I_{R_b}=I_R+I_{BQ}
IRb=IR+IBQ
I
R
I_R
IR为二极管的反向电流,
I
B
Q
I_{BQ}
IBQ为晶体管的基极静态电流。当温度升高时,一方面
I
C
I_C
IC增大,另一方面由于
I
R
I_R
IR增大导致
I
B
I_B
IB减小,从而
I
C
I_C
IC随之减小。当参数合适时,
I
C
I_C
IC可基本不变。其过程简述如下:
从这个过程的分析可知,温度补偿的方法是靠温度敏感器件直接对基极电流
I
B
I_B
IB产生影响,使之产生与
I
C
I_C
IC相反方向的变化。
图2.4.6(b)所示电路同时使用引入直流负反馈和温度补偿两种方法来稳定
Q
Q
Q点。根据二极管的正向特性,温度升高时,二极管内电流基本不变,因此管压降
U
D
U_D
UD必然减小,稳定过程简述如下:当温度降低时,各物理量向相反方向变化。