SRAM、DRAM和SDRAM的区别

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，而且一般不是行列地址复用的。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory）。缺点：因为一般不是行列地址复用的，所以集成度较低，功耗较DRAM大  ，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。因此SRAM难以成为大容量的主存储器，通常只用在CPU、GPU中作为缓存（cache），容量也只有几十K至几十M。异步的SRAM在读写SRAM时是不需要时钟的（专门的SRAM芯片6116等，也都没有时钟管脚），都是异步操作。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。

DDRSDRAM双倍速率同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。DDR(double data rate)