静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持,而且一般不是行列地址复用的。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory)。缺点:因为一般不是行列地址复用的,所以集成度较低,功耗较DRAM大 ,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。因此SRAM难以成为大容量的主存储器,通常只用在CPU、GPU中作为缓存(cache),容量也只有几十K至几十M。异步的SRAM在读写SRAM时是不需要时钟的(专门的SRAM芯片6116等,也都没有时钟管脚),都是异步操作。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。
DDRSDRAM双倍速率同步动态RAM,需要刷新,速度快,容量大。DDR(double data rate)