目录
1. RAM 基础知识
易失性存储器: RAM (断电,存储信息就消失)
非易失性存储器: ROM ,磁表面存储器,光存储器
Cache 由 SRAM(静态随机存储器) 实现。 <非破坏性读出>
主存储器 由 DRAM(动态随机存储器) 实现。 <破坏性读出>
SRAM 存储元是用 双稳态 触发器 (六晶体管MOS) 来记忆信息,信息被读出后,仍保持原生状态不需要再生。
DRAM 是利用存储元电路中 栅极电容上的电荷 来存储信息。(基本存储元通常只使用一个晶体管)
SRAM ==> 读:直接查看触发器的状态(双稳态)即可,写:改变触发器的状态
DRAM ==> 读:用探测电路连接电容,检测探测线上电流变化,1(有电荷)会顺着导线流走(所以读完需要重新充电),
0(无电荷)电流没变化。
SRAM 存取速度快,集成度低,功耗较大,所以一般用来组成高速缓冲存储器
相对于SRAM,DRAM具有容易集成、位价低、容量大、功耗低等优点,但存取速度比 SRAM 慢,一般用来组成大容量主存系统
(现在主存主要采用