组原3_RAM 和 ROM

目录

1. RAM 基础知识

2. RAM 刷新

3. 存储器芯片控制线信号的协同

4. ROM

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1. RAM 基础知识

易失性存储器： RAM （断电，存储信息就消失）
非易失性存储器： ROM ，磁表面存储器，光存储器

Cache 由 SRAM(静态随机存储器) 实现。   <非破坏性读出>
主存储器 由 DRAM(动态随机存储器) 实现。 <破坏性读出>

SRAM 存储元是用 双稳态  触发器 (六晶体管MOS) 来记忆信息，信息被读出后，仍保持原生状态不需要再生。
DRAM 是利用存储元电路中 栅极电容上的电荷  来存储信息。(基本存储元通常只使用一个晶体管)

SRAM ==>  读：直接查看触发器的状态(双稳态)即可，写：改变触发器的状态
DRAM ==>  读：用探测电路连接电容，检测探测线上电流变化，1(有电荷)会顺着导线流走(所以读完需要重新充电)，
                           0(无电荷)电流没变化。

SRAM 存取速度快，集成度低，功耗较大，所以一般用来组成高速缓冲存储器
相对于SRAM，DRAM具有容易集成、位价低、容量大、功耗低等优点，但存取速度比 SRAM 慢，一般用来组成大容量主存系统
 (现在主存主要采用