器件基础知识——电容

一、认识电容

1、储能能力

电容是电抗元件,其储存的能量称为静电能,理想情况下它自身不消耗能量

E_{C}=\frac{1}{2}*C*V^{2},E为电感储存的能量,C为电容量,V为电容两端电压

2、电容电压无法突变

i=\frac{dq}{dt}=\frac{d(C*u)}{dt}=C*\frac{du}{dt},若电压发生突变,即du/dt很大,那么电容电流将无穷大,实际不可能,所以电容电压无法突变。若加在电容上两端的电压突然撤走,则电容会产生较大电流尖峰

3、交流电中电容电流相位超前电压相位90°

直流电中没有相位,而在交流电中,相位是反映交流电任何时刻的状态的物理量

交流电的大小和方向是随时间变化的,以正弦交流电为例:

u=U_{max}*sint0<t<2\pi,t为相位

i=C*\frac{du}{dt}=C*\frac{d(U_{max}*sint)}{dt}=C*U_{max}*\frac{cost*dt}{dt}=q*cost

因为电容电压是无法突变,所以电容电流相位一定超前于电压相位

通过上述两式可得,电容电流相位超前电压相位90°

4、通高频阻低频

X_{cap,ideal}=-j*\frac{1}{\omega *C}=-j*\frac{1}{2*\pi *f*C},理想情况下电容容抗计算公式

频率越小,容抗就越大,信号就越不容易通过,所以通高频

5、通交流隔直流

电容是由两块平行板组成,看成是断路无法通过直流电。而交流电不停改变方向产生感应电荷从而产生电流,而交流电压仅在充满电时达到最大值,因此电容通交隔直

6、等效模型

实际情况下,制造电容的材料有电阻,电容的绝缘介质有损耗,表现为等效串联电阻ESR和串联等效电感ESL,所以电容真实的等效模型,应如下图所示:

X_{cap,real}=\frac{1}{j*\omega *C}+R+j*\omega *L=\frac{(1-\omega ^2*L*C)+j*\omega *R*C}{j*\omega *C}-j=\frac{1}{j}

\left | Z_{cap,real} \right |=\frac{\sqrt{(1-\omega ^{2}*L*C)^{2}+(\omega *R*C)^{2}}}{\omega *C}

7、自谐振频率SRF

f_{SRF}=f_{o}=\frac{1}{2*\sqrt{L*C}}

当频率低于自谐振频率时,电容呈容性,以电容方式工作

当频率等于自谐振频率时,电容呈阻性,以电阻方式工作

当频率高于自谐振频率时,电容呈感性,以电感方式工作

8、单位换算

1F=1000mF=10^{6}\mu F=10^{9}nF=10^{12}pF

104=100nF=0.1\mu F

105=1000nF=1\mu F

106=10\mu F

225=2.2\mu F

101=100pF

9、电容种类

(1)薄膜电容器

常用于安规电容

X电容,跨接在零火线之间,对差模干扰起到滤波作用

Y电容,跨接在火线或零线与地(PE)之间,对共模干扰起到滤波作用

(2)陶瓷电容器

贴片片状电容,ESR低容值小体积小耐压低成本低,常用于低压电路的滤波、隔直、去耦、储能

(3)铝电解电容器

非固态(液态)电解电容,ESR高容值大体积大耐压高成本低,内部电解质为液体易蒸发,高温环境下寿命低,温度特性差,常用于低高压电路的滤波、储能

(4)固态电容器

固态电解电容,ESR低容值大体积大耐压高成本高,内部电解质为固体,温度特性好,常用于低高压电路的滤波、储能

(5)钽电容器

钽(电解)电容,ESR低容值大体积小耐压低成本高,内部电解质为金属钽,失效后易引起爆裂燃烧

备注:上述仅罗列了常用的电容器,高/低/大/小都是相对而言,每种电容都有它独特的应用场景,如钽电容可以做到容值大,体积相对小很多,适合用于小型化产品

通用规律

①同材质电容,一般容值越大,其体积就越大

②同材质同容值电容,一般体积越大,其耐压就越高

③电容ESR跟其材质、容值、体积、频率有关

④电容成本受市场影响,不同材质电容可能存在较大波动

10、常见封装

陶瓷电容封装公制与英制
英制(inch)公制(mm)长(mm)宽(mm)
020106030.60.3
040210051.00.5
060316081.60.8
080520122.01.2
120632163.21.6
121032253.22.5
181248324.83.2
201050255.02.5
251264326.43.2

11、串并联

电容串联,等效容值变小,等效耐压变大

\frac{1}{C}=\frac{1}{C_{1}}+\frac{1}{C_{2}}+...+\frac{1}{C_{N}}C为N个电容串联后的等效容值 

电容串联后的等效耐压计算需要分情况来看

1)若串联中每个电容的容值相等,其等效耐压为 U=min(U_{1},U_{2},...,U_{N})*N

2)若串联中每个电容的容值存在不相等,需要分成单独电容来看耐压值。先计算每个电容所能分到的电压,然后根据电压对比电容自身的耐压值来一一确定是否满足耐压

u=u_{1}+u_{2}+...+u_{N}u是流过串联电容的总电压(已知)u_{1}u_{2}u_{N}是电容所分到的电压值(待求解)

\frac{u_{1}}{X_{C1}}=\frac{u_{2}}{X_{C2}}=...=\frac{u_{N}}{X_{CN}}电容串联电流相等

X=\frac{1}{j*\omega *C}

④联立上述三式可求解出,N为串联电容的个数,k为第k个电容

当N=2,k=1时, u_{1}=u*\frac{C_{2}}{C_{1}+C_{2}}

当N=2,k=2时,u_{2}=u*\frac{C_{1}}{C_{1}+C_{2}}

当N=3,k=1时, u_{1}=u*\frac{C_{2}*C_{3}}{C_{1}*C_{2}+C_{1}*C_{3}+C_{2}*C_{3}}

当N=3,k=2时, u_{2}=u*\frac{C_{1}*C_{3}}{C_{1}*C_{2}+C_{1}*C_{3}+C_{2}*C_{3}}

 当N=3,k=3时, u_{3}=u*\frac{C_{1}*C_{2}}{C_{1}*C_{2}+C_{1}*C_{3}+C_{2}*C_{3}} 

 当N=4,k=1时, u_{1}=u*\frac{C_{2}*C_{3}*C_{4}}{C_{1}*C_{2}*C_{3}+C_{1}*C_{3}*C_{4}+C_{1}*C_{2}*C_{4}+C_{2}*C_{3}*C_{4}} 

⑤通过计算出来的分压值与电容本身的耐压值做比较,以此判断电容串联后是否能满足耐压要求

电容并联,等效容值变大同时ESR会减小,等效耐压取最小值

C=C_{1}+C_{2}+...+C_{N}C为N个并联后的等效容值

U=min(U_{1}+U_{2}+...+U_{N})U为N个并联后的等效耐压值

二、DC-DC开关电源

1、BUCK-TPS54202

\bigtriangleup V_{IN}=\frac{I_{OUT(MAX)}*0.25}{C_{in}*f_{sw}}+(I_{OUT(MAX)}*ESR_{MAX}), C_{in}影响输入电压纹波\bigtriangleup V_{IN},ESR是输入电容最大等效串联阻抗,I_{OUT(MAX)}最大负载电流,f_{sw}是开关频率

规格书指出要求\bigtriangleup V_{IN}<400mVC_{in}最大耐压值为V_{IN(MAX)}+\frac{\bigtriangleup V_{IN}}{2}

C_{boot}是自举电容,用于使上管MOS能正常导通,容值采用规格书推荐0.1\mu F陶瓷电容

下图为芯片内部框图,上下两管均为N-MOS,导通需要V_{GS}>V_{ON},但上管MOS源极连SW脚,V_{S(MAX)}=V_{IN},为使上管能成功导通,需要升压电路。此升压电路仅由C_{boot}组成,当上管MOS截止,下管MOS导通时,V_{SW}=0VV_{BOOT}=V_{IN}C_{boot}被充电;当上管MOS导通,下管MOS截止时,V_{SW(MAX)}=V_{IN}C_{boot}会强行泵高BOOT脚上电压,V_{BOOT}=2*V_{IN},使V_{GS}>V_{ON} 

BUCK电路,在T_{off}时,输出由C_{OUT}提供经由下管MOS续流至电感维持V_{OUT},在负载发生突变时,由空载变为重载,调节器需要两个或更多的时钟周期,以控制电源环路应对负载变化,在此期间需要输出电容来提供能量,以保证V_{OUT}的下降在可接受范围内,因此电容需要足够大

 C_{OUT}>\frac{2*\bigtriangleup I_{OUT}}{f_{sw}*\bigtriangleup V_{OUT}}\bigtriangleup I_{OUT}是输出电流的变化量,\bigtriangleup V_{OUT}是可接受的输出电压变化范围,f_{sw}是变换器的开关频率,通过此公式可以评估出电源带载能力与输出电容容值之间的关系

C_{OUT}>\frac{1}{8*f_{sw}}*\frac{1}{\frac{V_{OUTripple}}{Iripple}}V_{OUTripple}是可接受的电源纹波,I_{ripple}是电感纹波电流,通过此公式可以评估出电源纹波与输出电容容值之间的关系,可以明显得出增大输出电容容值可以降低电源纹波

R_{ESR}<\frac{V_{OUTripple}}{I_{ripple}},通过此公式可以评估出电源纹波与输出电容ESR之间的关系

f_{o}=\frac{3.95}{V_{OUT}*C_{OUT}},此公式是在未添加前馈电容下,简单估算输出电容的交叉频率,规格书建议此频率<40kHz

C_{ff}是前馈电容,用于增加电源环路的相位裕量,提高环路稳定性

C_{ff}=\frac{1}{2*\pi *f_{o}}*\frac{1}{R_{fb1}},当C_{OUT}有较高ESR时,此电容不需要添加,但通常输出电容使用贴片陶瓷电容时,ESR都较小

通常:陶瓷电容ESR<钽电容ESR<电解电容ESR

在BUCK电路中,C_{in}输入电容影响输入电压纹波,需要关注它的容值、ESR、耐压值;C_{boot}自举电容组成升压电路,按规格书推荐选型;C_{OUT}输出电容影响电源带载能力、电源纹波,需要关注它的容值、ESR、耐压值、交叉频率;C_{ff}前馈电容影响环路稳定性,是否添加与C_{OUT}输出电容ESR有关

2、BOOST-TPS61023

C_{1}为输入电容,用于改善输入电流纹波。规格书指出,在使用长导线给电源供电时,需要额外增加大容量钽电容和电解电容,否则输出端的负载阶跃会在电源芯片VIN引脚引起振铃,严重将损坏器件

C_{2}为输出电容,用于满足输出纹波和环路稳定性的要求

C_2=\frac{I_{OUT}*D_{MAX}}{f_{sw}*V_{ripple}},此公式是在使用陶瓷电容时的计算公式,忽略了ESR的影响,D_{MAX}是最大占空比,可以明显得出增大输出电容容值可以降低电源纹波

V_{ripple(ESR)}=I_{L(P)}*R_{ESR} ,若使用的是钽电容或电解电容,则需要考虑ESR引入的电压纹波,此公式用于单独计算ESR引入的电压纹波部分

C_{ff}为前馈电容,用于增加电源环路的相位裕量,提高环路稳定性

C_{ff}=\frac{1}{2\pi*f_{FFZ}*R_{1} },此公式用于计算前馈电容容值,f_{FFZ}是前馈电容产生的零点频率

3、BUCK-BOOST-TPS61023

C_{IN}是输入电容,用于改善稳压器的线路瞬态响应和电源EMI。若输入电源与电源芯片较远,则需要额外增加大容量钽电容或电解电容;若使用高阻抗源工作,建议增大输入电容容值

C_{OUT}是输出电容,增大电容可以减小瞬态响应过冲和增加瞬态响应时间,在轻负载电流下,输出电压纹波取决于输出电容容值,较大的输出电容可以降低输出电压纹波,但大容值也带来大漏电流会增大I_{q}

4、总结

在DC-DC中电容的选型,重点关注电容的六个参数以及规格书的推荐

C,容值

R_{ESR},等效直流阻抗

V_{MAX},耐压值

Footprint,器件封装

Temperature,温度特性

Accuracy,电容精度

电容的作用:

①隔直:阻止直流信号而让交流信号通过(音频信号、纹波测量)

②滤波:滤除杂波

③储能:当负载变化过快时,及时补偿,维持电压稳定

④旁路:针对输入信号,滤除高频噪声,容值一般根据谐振频率,0.01~0.1uF

⑤去耦针对输出信号,滤除低频噪声,容值一般10uF及以上

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